Датчик давления
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(51)4 0 01 1. 9 02 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТПРИ ГННТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ ТЕЛЬСТВУ К АВТОРСКОМ(46) 07. 12.8 тельнои твано длявысокогокриогенныления сод 45 9. Бюл. М.В.Ломоимов, А.В манов, Л овабул, А.В.ДавыРябова А. Ак П.Зл в виде мо ра теплу 1 п,Т 1 няется в 7,(088,8) Н.Б. и др. В рхность Ферми т.104, вып.З, е свидетельст кл. С 01 1,9/ДАВЛЕНИЯ тение относит ияние давлеа монокр онтакты. металлов,- с.461-464. о СССР 2, 1985. можно для тов выбра сопротивле температур иэм Изобретенной технике,тносится мерительйствам а име о к устрия. являетс для измерениЦелью иэо авл овыше ого диапазона. труктурная схе уК(71) МГУ им (72) Б, дов, В.и М,Е.Тамм, (53) 531.78 (56) Брандт ния на пове УФН, 1971,Авторско У 1182291, (54) ДАТЧИК (57) Изобре точности и расширение температур На чертеже изображена сма датчика давления,Чувствительный монокристаллическийэлемент 1 получают методом выкалывания из монокристалла сплава 1 п,Т 1 Те,на него нанесены токовые 2 и потенциальные 3 контакты.Токовые контакты 2 подсоединены кисточнику питания, а потенциальныеконтакты 3 - к измерительному приборВо всем диапазоне температур от 4,2до 300 К контакты являются омическими.Измерительный ток через контакты 2варьируется от 10 мкА до 10 ИА.Датчик работает следующим образом. хинке, может быть использоизмерения давления в камерах давления при нормальных итемпературах. Датчик давржит чувствительный элемент окристалла твердого раствода таллия в теллуриде индияпричем доля таллия изме- пределах от 0,08 до 0,20, сталл нанесены омические Варьируя состав сплава, конкретных эксперимень нужный интервал значений ния для широкого диапазона1 ил. Чувствительный элемент помещается в камеру высокого давления с передающей средой, представляющей собой смесь , мас.7,: трансФорматорное масло 10; керосин 70 и пентан 20. Давление в камере увеличивается при Т 300 К. При этом сопротивление датчика давления уменьшается. Величина коэФФициента преобразования достаточна для измерения давления при Т=ЗОО К с точностью 5 1 О Па. Далее камеру вы 6держивают при комнатной температуре в течение 6 ч. Стабильность сопротивления датчика при Фиксированной температуре в течение 6 ч. Стабильность сопротивления датчика при Фиксированной температуре свидетельствует об отсутствии течей в камере высокого давления. Затем в зависимости от целей проводимых экспериментов камеру охлажлают в криогенных жидкостях. При этом в результате раз,ции коэААициентов сжимаемости передающей давление жидкости и материала камеры происходит сброс давленияпри охлаждении, Полученное давлениев жидком гелии контролируется темже датчиком давления Калибровка датчика осуществляется отдельно приТ = 300 К и при Т = 4,2 К известнымиметодами. В дальнейшем этот датчикможет быть использован постоянно длякалибровки различных камер давленияс разными передающими давление жидкостями. Малые габариты датчиков позволяют испольэовать их в различных физических экспериментах в широком интервале температур.Значение концентрации Т 1 Тех в спла. вах 1 п, Т 1 Те, используемых в ка-хчестве чувствительного элемента дат чика давления, выбирается исходя из следующего. При х ( 0,07 сплавы становятся полуметаллическими с малым коэААициентом преобразования, С ростом х при Т=300 К коэАФициент преоб разования увеличивается. При х=0,08-110 Па , что вполне достаточно рдля измерения давления с точностью Составитель А.Зосимовдактор И.Горная Техред Л.Сердюкова Пож орек по изоб -35, Ра изводственно-изд бинат "Патент", г. Ужгород, ул. Гагарина, 1 льс кап каз 7503/47, Тираж 789 НИИПИ Государственного комите 113035, Москване менее 5 10" Па, Значение х=0,08 определяет нижнюю границу изменений х выбранных сплавов,При х0,20 удельное со,ротивление чувствительного элемента при Т = 4,2 К превышает 10 Ом см измеряется с недостаточной точностью изза возникновения зависимости от режима охлаждения и до 307 отличается от образца к образцу. Состав х=0,20 определяет верхнюю границу концентрации Т 1 в чувствительных элементах. Формула изобретения Датчик давления, содержащий чувствительный элемент, в виде полупроводникового монокристалла с омическими кЬнтактами, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения точности и расширения температурного диапазона, в нем монокристалл представляет собой соединение теллурида таллия с теллуридом индия в виде сплава 1 пТ 1 Те, причем концентрация Х таллия выбрана в пределах О,ОЯ 4 х с 0,2,Подписноетениям и открытиям при ГКНТ ССС ская наб., д. 4/5
СмотретьЗаявка
4395400, 22.03.1988
МГУ ИМ. М. В. ЛОМОНОСОВА
АКИМОВ БОРИС АЛЕКСАНДРОВИЧ, АЛБУЛ АЛЕКСАНДР ВЕЛИНИНОВИЧ, ДАВЫДОВ АЛЬБЕРТ ВАЛЕНТИНОВИЧ, ЗЛОМАНОВ ВЛАДИМИР ПАВЛОВИЧ, РЯБОВА ЛЮДМИЛА ИВАНОВНА, ТАММ МАРИНА ЕВГЕНЬЕВНА
МПК / Метки
МПК: G01L 9/02
Опубликовано: 07.12.1989
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1527524-datchik-davleniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Датчик давления</a>
Предыдущий патент: Чувствительный элемент
Следующий патент: Мембранный блок датчика давления
Случайный патент: Патентно-техиннеснаябиблиотека