Ячейка памяти с внутренней регенерацией
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1274001
Авторы: Берг, Габсалямов, Лашевский, Тенк, Шейдин
Текст
СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИН А 1 4 С 11 С 11/4 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИИ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ ВИДЕТЕЛЬСТВ К АВТОРСК рг 977.7-58 ННЕЙ лектр (54) Я ГЕНЕР (57) И вычисл аай.Г.Габсалямов, И.В.Бшевский, Э.Э.Тенк111 ейдин81.327.66 088.8)атент С 1 А У 4030083,1 С 11/00, опублик.оника, Р 4, 1981, с,5ЧЕИКА ПАМЯТИ С ВНУТР АЦИЕ.:зобретение относится к облас ительной техники и может быт,.ЯО, 74001 использовано при построении.заломи нающих устройств. Цель изобретения - упрощение ячейки памяти - достигается тем, что, в ячейке памяти, содержащей три транзистора и накопительный элемент на конденсаторе, конденса" тор подключен к затвору и к,.истоку .третьего транзистора подсоединением стока второго транзистора к одной из шин импульсного напряжения. Это позволило значительно упростить ячейку памяти за счет сокращения числа внешних связей.1 ил1274001 3 Подписно Заказ 6482/50 Ти М ал ППП фПатент", г. Ужгород, оектная, 4. Изобретение относится к вычислительной технике и может быть исполь. зовано при построении запоМинающих устройств.Целью изобретения является упрощение ячейки памяти.На чертеже представЛена электрическая схема предложенной ячейки памяти.Схема содержит адресный, информационный и регенеративный транзисторы 1-3, накопительный элемент 4 на конденсаторе, шины 5 и 6 импульсного напряжения, информационный вход- выход 7 и адресный вход 8,Ячейка памяти работает следующим образом. В режиме считьвания информации по адресному входу 8 поступает сигнал, открывающий транзистор 1. При хранении информации единичного уровня на конденсаторе 4 транзистор 3 открыт и высокое напряжение импульса на шине 5 открьвает транзистор 2. При хранении информации нулевого уровня на конденсаторе 4 транзистор 3 закрыт и не допускает открывания транзистора 2. Шина б через открытые транзисторы 1 и 2 подсоединяется ко входу 7. В режиме записи сигнал по адресному входу 8 открывает транзистор 1, Конденсатор 4 заряжаетсячерез входячейки памяти и открывает транзистор 1, Низкое импульсное напряжение на шине 5 закрывает транзистор 2. В следующем такте на вход 7 поступает зйписьваемая информация, которая при записи информации нулевого уровня разряжает конденсатор 4.В следующем такте закрьвается транзистор 1. В режиме регенерации транзистор 1 закрыт. В момент действия низкого напряжения на шине 5 на конденсаторе 4 присутствует единичныйуровень и транзистор 3 открыт, атранзистор 2 закрыт. В следующем такте действует высокое напряжение нашине 5 и транзистор 2 открыт. Конденсатор 4 подзаряжается полньж напряжением с шины 6. В связи с этимусловия хранения логической единицы Оменее критичны к токам утечки. Прихранении информации нулевого уровнятранзистор 3 остается закрытым ина затворе транзистора 2 сохраняется потенциал, близкий нулю, благодаря наличию токов утечки. В этом 15случае транзистор 2 закрыт. Предложенная ячейка памяти значительно проще известной, так как в ней сокращено число шин внешних связей. Формула изобретения Ячейка памяти с внутренней регенерацией, содержащая адресныйтранзистор, сток которого являетсяинформационным входом-выходом ячейки памяти, затвор адресного транзистора является адресным входомячейки памяти, информационный транзистор, исток которого соединен систоком адресного транзистора и сзатвором транзистора регенерации,исток которого соединен с первой шиной импульсного напряжения, асток подключен к затвору инфорЗ 5 мационного транзистора, накопительный элемент на конденсаторе, втораяшина импульсного напряжения, о т -л и ч а ю щ а я с я тем, что, сцелью упрощения ячейки памяти, в нейобкладки конденсатора соединенюсоответственно с затвором и истокомтранзистора регенерации, сток инфор"мационного транзистора подключен квторой шине импульсного напряжения.
СмотретьЗаявка
3764950, 05.07.1984
ОРГАНИЗАЦИЯ ПЯ Х-5263
ГАБСАЛЯМОВ АЛЬФРЕД ГАБДУЛЛОВИЧ, БЕРГ ИОЗЕФ ВЕНИАМИНОВИЧ, ЛАШЕВСКИЙ РАФАИЛ АРОНОВИЧ, ТЕНК ЭДМУНД ЭДМУНДОВИЧ, ШЕЙДИН ЗИНОВИЙ БОРИСОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/40
Метки: внутренней, памяти, регенерацией, ячейка
Опубликовано: 30.11.1986
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1274001-yachejjka-pamyati-s-vnutrennejj-regeneraciejj.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Ячейка памяти с внутренней регенерацией</a>
Предыдущий патент: Элемент памяти
Следующий патент: Ассоциативное запоминающее устройство
Случайный патент: Климатическая камера