Вольтметр детекторной системы

Номер патента: 1649644

Опубликовано: 15.05.1991

Автор: Якоб

МПК: H03K 17/08

Метки: моста, пара, плечо, полууправляемая, электронная

...транзистора Т посред ством тока управления х (фигЗ,Р .По истечении времени задержки включениятранзистор Т начинает воспринимать ток (ток коллектора с на фиг.З,а), Так как протекание тока д 30 от источника напряжения постоянного тока через транзистор Т ввиду линейной индуктивности создается медленно (фиг.З,с),конденсатор С кратковременно должен представлять выходной токпока не будет создан ток 1 из контура напряжения постоянного тока, Одновременно конденсатор Спри переключении выходного тока д с диоО да П 1 на тразистор Т должен предо ставлять реактивный ток для запирания диода П 1. Благодаря этому транзистор Т в течение времени задержки запирания диода Р 1 может работать в активной зоне (высокая мощность по терь в транзисторе),...

Номер патента: 1787295

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Дереченик, Кононов, Олтушец, Пеньков, Полонин, Яцук

МПК: H01L 21/304

Метки: интегральных, кристаллами, пластин, полупроводниковых, приборов, схем, утонения

...стороны пластины с плоскостью держателя, Кроме того, нанесение защитного покрытия на планарную сторону пластины не улучшает ее геометрию в части прогиба и клина по отношению к держателю, на котором пластина крепится для проведения механического утонения. Поэтому в процессе закрепления ее на держателе происходит механическая деформация пластины с изме-. нением исходных геометрических параметров, это приводит к нарушению металлизации и соответственно к снижению выхода годных на операции "функ 1 ионирование".Целью изобретения является повышение выхода годных за счет исключения разрушения пластины и кристаллов.Цель достигается тем, что по способу водниковых приборов и интегральных схем, включающему нанесение высокомолекулярного соединения...

Номер патента: 943916

Опубликовано: 15.07.1982

Авторы: Глазман, Николаев

МПК: H01J 23/033

Метки: охлаждения, прибор, системой, электронный

...радиальные каналы, расположенные равномерными рядами, между которыми со стороны, обращенной к охлаждаемой поверхности выполнены пазы, при этомвходной штуцер соединен с наружной,а выходной - с внутренней камерой.Нафиг. 1 изображено продольноесечение прибора с. одним из возможных вариантов системы охлаждения;на фиг. 2 - то же, поперечное сечение,Система охлаждения содержит двепродольные камеры 1 и 2 с общейстенкой 3, в которой выполнены радиальные каналы 4, посредством которых камеры 1 и 2 сообщаются, Каналыравномерно распределены по поверхности стенки 3, а общая площадь ихсечения составляет 503 от площади осаждаемой поверхности; формаотверстий в каналах 4 может быть различной: они могут быть выполненыкруглыми 1 фиг. 1), в виде щели...

Номер патента: 557703

Опубликовано: 05.10.1977

Авторы: Баранов, Горина, Достанко, Королев, Полякова, Савицкий, Чистяков

МПК: H01L 23/54

Метки: интегральных, материал, покрытия, полупроводниковых, приборов, проводящего, схем

...соединений типа А В, А Ви АВ, где А - металл платиновой группыф 60 4В - элемент ПВ или УВ группы: возможен также смешанный состав фаз, напри мер А В + АВ а также наличие промежуточных фаз, дефектных структур и т.д. Промежуточные фазы, в отличие от чистых ме. галлов, имеют свою электронную структуру и, в сэответствии с ней, другие межатомные расстояния, измененную решетку и, в конечном итоге, свой цвет металлического материала. При атом определяющим фактором являетсястроение электронных оболочек компонентов. Покрытие из такого материала будет иметь цвет, этличный от цвета исходных составляющих, его можно задавать выбором материалов и регулированием процентного содержания каждой компоненты, определяющего формульный состав и...

Номер патента: 630703

Опубликовано: 30.10.1978

Авторы: Сигалаев, Смирнов

МПК: H02H 7/20

Метки: внутренних, защиты, приборов, пробоях, токовой, электровакуумных

...диодами, один из которых включен последовательно с указанными смежными плечами моста, а другой - спервичной обмоткой трансформатора.На чертеже представлена схема устройства защиты электровакуумного прибора(й,Злементы плечей мостовой схемы 1 - 4выбраны таким образом, что при нормальнои работе прибора обеспечено запертоесостояние диода 5 и ток в обмотке 6 импульсного трансформатора отсутствует. Потенциал точкиизменяется в соответствиис изменениями тока прибора без временнои задержки, а потенциал точки 8 - с задержкой, ооусловлецной постоянной времени заряда конденсаторов 9 и 10 через внутре,нее сопротивление диода 11,11 ри прооое прибора резко возрастаетток прибора и напряжение на входе мостовой схемы. 11 отенциал точки 7...