Формирователь биполярных импульсов

(1) 4 Н 03 К 5/01 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ / Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ(71) Украинский заочный политехнический институт им. И.З.Соколова (72) Ш.Х,Бадалишев и А.Р.Корсунов (53) 62 1. 374(088,8)(56) Микроэлектронные цифроаналоговые преобразователи информации./Под ред. В.Б.Смолова, Л.: Энергия, 1976, с. 50, рис. 2-28 б.Авторское свидетельство СССР 9 809527, кл. Н 03 К 5/01, 1979. (54)(57) ФОРМИРОВАТЕЛЬ БИПОЛЯРНЫХ ИМПУЛЬСОВ, содержащий инвертор, входной транзистор прямой проводимости, база которого подключена к входу инвертора, эмиттер через первый резистор подключен к его выходу,а коллектор через второй резистор -к шине отрицательного питающегонапряжения, выходной транзистор,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что,с целью повышения быстродействия,выходной транзистор выполнен в виде полевого транзистора с двумя изолированными затворами и каналом и, -типа, первый затвор которого подключен к выходу инвертора, второй - кколлектору входного транзистора, ис"ток через диод соединен с шинойотрицательного питающего напряжения,а сток через резистор - с шинойположительного питающего напряжения.1 тт Сос.татвителть ."1,Пеоноват Е,;рт т ут 1 ИК Корректор Г.Решетник Редактор Н.Пушненкоза Заказ 8429/б 0 1 И 1 тя;г, О 7 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Жт Раушская наб д. 4/5филиал ППП "Патент", г, Ужготрод, ул. Проектная, т 111 зобретение относится к импульсной технике и может бьггь использова-. но в устройствах управления переключатощими элементами.Целью изобретения является повышение бЬ 1 стрсдействия.Ня ЧЕртЕжЕ ПрЕЦСТяВЛЕня ЗЛЕКтрИ- ческая схема формирователя би 11 слярных импульсов.фовмкрсвятель Оипслярных импуль" сов содержит инвевтор 1 первый ре- зистОР Ет бипогЯРный тРанзистоР 3 ттРЯМОИ ПттОВСДттМССтИ ВттЭРСИ РЕЗИСтор :., полевой транзис.тор 5 с двумя изолированньпти затворами и канало-типа,. третий резистор б., диоц 7,Пртт. наличии на вхогте инвертора 1являющегося Одновоеменно входом фоРМИРОВатЕЛЯ НЯПРЯжЕНИЯ Н 5 тЛЕБОГОуровня на выходе инвертсра 1 находит ся положительное напряжение, ссст -ветствующее напряжению логическойединицы которое через резистор 2Пот"ГУПЯЕт НЯ ЭМиттЕР От 1 ПОЛЯРНОГОтранзистора 3. При этом транзистор,3 открыт и в цепи его коллекторапротека т ток. величина которогс ограничивается сопротивлением ре"зистора 4. Напряжение между вторымза.вором полевого транзистора 5 и его истоком сказывается попожительным, благодаря чему тгтанзистор открь 1 т, Для ограничения тока стока вего цепи включен резистор б, Бя сто.ке полевого транзистора 5, которьтгйявляется выходом формирователя присутствует отрицательное напряже"ние., соответствующее напряжению нашине отрицательного питающего напряжения, При наличии ня входе инвертора 1 т напряжения, .Оответствующего уровню логической единицы,1 с) 1 ьоиполярный транзистор 3 запирается.Напряжение между затвором полевоготранзистора 5 и его истоком благодаря диоду 7 ьключенному в цепь истока, оказывссется отрицательным.Полевой транзистор 5 также запирается и на ето стоке появляется попожительное напряжение, соответствуютдсе напряжению на шине положительного источника напряжения,При переходе входного напряжения форьироватсьпя с одного логического уровня на другой на базе биполярного транзистора 3 происходит одновременное изменение управляющихпотенциалов в противоположные стоРОНЫ,. Чта ЭКВ 1 т 1 ВЯЛЕНтнс УВЕЛИЧЕНИЮскорости изменения потенциала на втором затворе полевого транзистора 5, Скорость изменения потенциала первого затвора этого транзистора соответствует скорости переключения инвертора, 1 ак как фазы сигналов на первом и втором затворах полевого транзистора одинаковы, скоростьизменения уровня напряжения на .стоне полевого транзистора возрастает Использование двухзатворного поле. вого транзистора позволяет сократить время переключения с низкого уровня напряжения на высокий уровень на 20% а время переключения с высокого уровня напряжения на низкий уровень - на 757. по сравнению с базовым устройством, применяемым не прецприятиях радиотехнической промышленности. Включение диода в цепь истока гтолевого транзисторапозволяет получить на выходе формирователя биполярные импульсы одинаковои ямплтятуды,