Устройство для регулирования технологических параметров

Номер патента: 1599901

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Лисицын, Марголин

МПК: G11C 29/00

Метки: аварийном, информации, отключении, памяти, питания, полупроводниковой, сохранения

...на резисторе 7 высокий уровень напряжения будет сохраняться на выходе 21 устройства все время, когда напряжение основного источника 1 питания ниже номинального. Память 3 будет при этом находиться в режиме хранения.При снижении напряжения основного источника 1 питания ниже напряжения резервного источника 2 питания, разделительный элемент на диоде 3 закрывается, а разделительный элемент на диоде 4 открывается, обеспечивая непрерывность подачи питания на память 5 и поддержание высокого (запрещающего) уровня на выходе устройства 21.При включении питания (Т 5 фиг. 2) напряжение питания нарастает от нуля до номинального значения. Напряжение на стабилитроне 14 нарастает от нуля до напряжения стабилизации стабилитрона 14 (Тб фиг, 2),...

Номер патента: 1621116

Опубликовано: 15.01.1991

Автор: Герасименко

МПК: H02H 7/08

Метки: двух, защиты, перегрузки, работы, фазах, электродвигателя

...сопротивление, вследствие чего выдержка времени получается большой. С увеличением перегрузки растет напряжение на элементе выдержки времени, а значит, уменьшается сопротивление группы диодов 30 в цепи коллектора транзистора 21, он переходит из режима насыщения в нормальный (активный) режим работы,5101520 253050 вследствие чего выдержка времени уменьшается т,е, с увеличением перегрузки (1,15- 6,0) 1 н резко уменьшается выдержка времени. При определенных значениях сопротивления зарядного резистора 19, емкости накопительных конденсаторов 13 (изменение емкости перемыкателем 20), коэффициента усиления транзистора.21, а также сопротивлений резисторов 27, 28 и 29 и изменяющемся сопротивлении группы диодов 30 в цепи коллектора транзистора 21...

Номер патента: 1670774

Опубликовано: 15.08.1991

Автор: Турченков

МПК: H03K 3/53

Метки: конденсатора, разряда

...транзисторы 9 и 4 вошли в режим насыщения и конденсатор 3 начал разряжаться большим током коллектора транзистора 4. Достоинством данной схемы является то, что параметры используемых транзисторов практически никакого влияния на уровень разряда конденсатора 3 не влияют. Когда напряжение на конденсаторе 3 достигло начального уровня, даваемого величиной напряжения на шине 13, например равного - нулю, на выходе операционного усилителя 10 15 20 25 ЗС 35 40 45 50 55 1 будет сформировано положительное напряжение, которое смещает переход транзистора 4 в обратном направлении, транзистор 4 призакрывается настолько, что ток через его коллектор оказывается равным тОку вх с источника 2, т.е. на инвертирующем входе операционного усилителя 1...

Номер патента: 792592

Опубликовано: 30.12.1980

Авторы: Кудряшов, Рюмин

МПК: H03K 17/72

Метки: прерывания, цепи

...13, 20Устройство для прерывания цепи работает следующим образом,Тиристор 1 приводится в исходное открытое состояние блоком 9.В исходном состоянии тиристор 1 открыт, второй конденсатор 11 разряжен,переключатель 13 находится в указанномна чертеже положении. цепь тока образована последовательно соединенными источником 10, приемником 7 нагрузкой 8 и открытым тиристором 1, Присрабатывании переключателя 13 второйконденсатор 11 щунтирует цепь тока тиристора 1, который, выключаясь, разрывает цепь тока через нагрузку 8, и ток утеперь проходит через переключатель 13и после заряда второго конденсатора 11 через стабилитрон 12, Процесс зарядавторого конденсатора 11 при соответсч- вующих значениях емкости второго кон- щденсатора 11 и сопротивлений...

Номер патента: 1518861

Опубликовано: 30.10.1989

Авторы: Карюк, Писарев, Удачин

МПК: H03B 5/36

Метки: генератор, двухтактный, кварцевый

...15. При этом нечетныеэлектрические гармоники в точке соединения коллекторов третьего и чет 55вертого трацзисторон 3 и 4 компенсируются, а четные склядывяютсн. Дляобеспечения полцои компенсации нече гных гармоник цеобхдимо обеспечить равенство их амплитуд. 1 рц изменеции положения движка переменного реисторя 20 изменяются эквивалентные ицдуктинцости каскядон, выполненных ця третьем и четвертом транзисторах 3 и 4, причем если индуктивность одного плеча возрастает, то индуктивность второго уменьшается, а суммарная индуктивность остается практически постоянной. Аналогчно изменяются и величины входных напяжений на базах третьего и четвертого транзисторов 3,4, а следовательно, и амплитуды сигналон на седьмом резисторе 15, что позволяет...