Способ контроля многоотверстных ферритовых пластин памяти
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 938320
Авторы: Александров, Арасланов, Пряселкин
Текст
(и)938320 ОП ИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Сею з СфветсиикСфциапистичесииаРеспубпик(53) УДК 681.327, .02 (088 8) Опубликовано 23.06.82. Бюллетень23 Дата опубликования описания 25,06,82 72) Авторы изобретения(54) СПОСОБ КОНТРОЛЯ МНОГООТВЕРСТНЫХ фЕРРИТОВЪ ПЛАСТИН ПАМЯТИпр ых пластин до нанесениямотки.Известен также способ оля эл тромагнитных параметров, при в устройстве контроля импульс еняемыйых харакИзобретение относится к автоматикеи вычислительной технике и может быть использовано для разбраковки многоотверствых пластин памяти по электромагнитным характеристикам до нанесения печатных обмоток.Известен способ контроля многоотверстных пластин памяти, основанный на контроле отношения пороговой напряженности к коэрцитивной силе путем пропус кания через отверстия многоотверстных пластин памяти синусоидального токаГвысокой частоты совместно с синусоидал ными токами низкой частоты и измерений с помощью печатной обмотки сигнала перемагничивания и сигнала помехи 1Недостатком указанного способа явется невозможность его использованияи контроле многоотверстных ферритов печатной об- го теристик многоотверстных ферритовых пластин, содержащем контактные иглы, нглодержатель, контактную ванну, генератор токов перемагничивания, блок измерения, коммутатор контактных игл.В этом способе импульсные характеристики многоотверстных ферритовых пластин измеряют путем пропускания через одну из контактных игл, прошивавших отверстия многоотверстной пластины, импульсов тока перемагничивания и определения на ней сигнала перемагничивания Г 21.Недостатком этого способа является низкая точность измерения сигналов считывания при контроле многоотверстных пластин с количеством рядов отверстий более двух.Цель изобретения - повышения, точности измерения в способе контроля многоотверстных ферритовых пластин памяти, включающем пропускание через контактные иглы, прошивающие отверстия пластины памяти, импульсов тока перемагничи 3 9383вания отверстий пластины памяти и измерения сигналов считывания, пропускают одновременно импульсы тока перемагничиванияв одном направлении через первое отверстие и в противоположном направлении через третье отверстие одного рядаи измеряют сигналы считывания, возникающие при переключении магнитного потока перемычек между первым и вторым,вторым и третьим отверстиями того же 1 Оряда, затем пропускают импульсы токаперемагничивания противоположной полярности через второе и четвертое отверстия и измеряют сигнал считывания, возникающий при переключении магнитногопотока перемычки между вторым и третьим отверстиями, затем цикл операцийповторяют для остальных отверстий ферритовой пластины памяти.На чертеже показано устройство, реализующее предложенный способ.Устройство содержит генератор 1 токов,перемагничивания, коммутатор 2 контактных игл по токовой цепи, коммутатор3 контактных игл по цепи считывания, д 5блок 4 измерения, контролируемая многоотверстная пластина 5 памяти, обшачшина 6,Устройство работает следуюшим образом. 30Генератор 1 токов переключения магнитного потока через коммутатор 2, подключающий к соответствующим входнымшинам генератора в первый цикл измерения контактные иглы, прошивающие первое и третье отверстия, во втором и последуюших циклах контактные иглы, прошиваюшие второе и четвертое, пятое иседьмое шестое и восьмое и т,д. отверстия, переключает магнитные потокивокруг выбранных пар отверстий. Блок 4измерения, подключаемый через коммутатор 3 к контактным иглам, прошиваюшимв первый цикл измерения сигнала первоеи второе отверстие и затем второе и45третье отверстия, а во второй и последующие циклы второе и третье, третьеи четвертое и т.д, отверстия, измеряютсигналы, возникающие при переключениимагнитного потока вокруг выбранных ком 50 20мутатором 2 отверстий пластин 5 памяти. По результатам измерения в сравнении с заданными критериями разбраковки блок 4 измерения сортирует пластины 5 памяти на годные и брак.Предлагаемый способ, в сравнении с известным, позволяет исключить наводимые на цепь считывания от импульсных токов перемагничивания ЭДС помехии скомпенсировать емкостную наводку от падения на контактной игле, через которую пропускаются токи на соседнюю контактную иглу, что позволяет повысить точность измерения,фор мула изобретенияСпособ контроля многоотверстных ферритовых пластин памяти, включающий пропускание через контактные иглы, прошиваюшие отверстия пластины памяти, импульсов тока перемагничивания отверстий пластины памяти и измерения сигналовсчитывания, отлич а ющийся тем, что, с целью повышения точности измерения, пропускают одновременно импульсы тока перемагничивания в одном направлении через первое отверстие и в противоположном направлении через третье отверстие одного ряда и измеряют сигналы считывания, возникающие при переклю-. чении магнитного потока перемычек между первым и вторым, вторым и третьим отверстиями того же ряда, затем пропускают импульсы тока перемагничивания противоположной полярности через второе и четвертое отверстия и измеряют сигнал считывания, возникающий при переключении магнитного потока перемычки между вторым и третьим отверстиями, затем цикл операций повторяют для остальных отверстий ферритовой пластины памяти.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе 1, Авторское свидетельство СССР М 457948 кл. 6 01 К 33/12 1973. 2. Авторское свидетельство СССР И 306499, кл. ( 11 С 11/06 1969.,ВНИИП иал ППП Патент", г. Ужгород уп. Проект Тираж 622 И Государственного к по делам изобретений 5, Москва, Ж, Ра итета СССР. открытийушскаа наб. д. 4
СмотретьЗаявка
2914205, 11.04.1980
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-1216
АЛЕКСАНДРОВ ГАЛАКТИОН АЛЕКСАНДРОВИЧ, АРАСЛАНОВ ИГОРЬ ЗАКЕЕВИЧ, ПРЯСЕЛКИН ЮРИЙ ВЛАДИМИРОВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 29/00
Метки: многоотверстных, памяти, пластин, ферритовых
Опубликовано: 23.06.1982
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-938320-sposob-kontrolya-mnogootverstnykh-ferritovykh-plastin-pamyati.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ контроля многоотверстных ферритовых пластин памяти</a>
Предыдущий патент: Аналоговое запоминающее устройство
Следующий патент: Материал для терморезисторов
Случайный патент: Устройство для рассева и обеспыливания влажных материалов