Управляющее устройство свч

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛН 801121725 ЗШН 01 Р 110 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯН АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 8 Ю Ю1 7 10 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЙЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ(54)(57) УПРАВЛЯЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО СВЧ,содержащее диэлектрическую подложку,одна сторона которой металлизирована, а на другой расположен центральный проводник.микропблосковой линиис разрывами, и полупроводниковые диоды, установленные в отверстияхдиэлектрической подложки между металлизацией и разрывами центральногопроводника микрополосковой линии исоединенные с ним с йомощью перемычек, о т л и ч а ю щ е е с я тем,что, с целью снижения затухания иКОТ в режйме пропускания, междуразрывами центрального проводникамикрополосковой линии по обе стороны от полупроводниковых диодоввведены дополнительные перемычки ссумматорным характеристическим сопротивлением, равным волновому сопротивлению центрального проводникамикрополосковой линии.11217 1Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано для;управления СВЧ мощности в линияхпередачи различного назначения.Известно управляющее устройствоСВЧ,ф содержащее диэлектрическую подложку, одна сторона которой металлизирована, а на другой расположенцентральный проводник микрополосовойлинии, в разрыве которого включеныполупроводниковые диоды с помощьюперемычек 1,Недостатком известного управляющего устройства СВЧ является большаявеличина затухания и большая величина коэффициента стоячей волны (КСТ )в режиме пропускания.Наиболее близким к предлагаемомупо технической сущности являетсяуправляющее устройство СВЧ, содержащее диэлектрическую подложку, однасторона которой металлизирована, а надругой расположен центральный проводник микрополосковой линии с разрывами, и полупроводниковые диоды, 25установленные в отверстиях диэлектрической подложки между металлизациейи разрывами центрального проводникамикрополосковой линии и соединенныес ним с помощью перемычек 2,Недостаткам известного управляющего устройства СВЧ является большоезначение затухания и КСТ в режимепропускания.Цель изобретения - снижение затухания КСТ в режиме пропусканияуправляющего устройства СВЧ.Поставленная цель достигаетсятем, что в управляющем устройстве СВЧсодержащем диэлектрическую подложку,40одна сторона которой металлизирована,на другой расположен центральный проводник микрополосковой линии с разрывами, и полупроводниковые диоды,установленные в отверстиях диэлектри"45ческой подложки между металлизациейи разрывами центрального проводникамикрополосковой линии и соединенныес ним с помощью перемычек, между разрывами центрального проводника микрополосковой линии по обе стороны от50полупроводниковых диодов введены дополнительные перемычки с сумматорным хар актеристиче ским сопр отивлением р авныи волновому сопротивлению центрального проводника микрополосковойлинии.ВНИИПИ Заказ 7990/40 Т 25 1На чертеже препставлена конструкция чправляюшего устройства СВЧ.Управляющее устройство СВЧ содержит диэлектрическую подложку 1, одна сторона которой металлизирована, а на другой расположен центральный проЪводник 2 микрополосковой линии с разрывами, полупроводниковый диод 3, установленный в отверстии 4 диэлектрической подложки 1 и соединенный с центральным проводником 2 микрополосковой линии с помощью перемычек 5. Между разрывами центрального проводникового диода 3 введены дополнительные перемычки 6, В корпусе 7 под дополнительными перемичками 6 введен слой диэлектрика 8 с малым Е, где Е- диэлектрическая проницаемость.Полупроводниковый диод 3 крепится на держателе 9 и втулке 10, которые изолированы по постоянному току от корпуса 7 изолирующим слоем 11,При отсутствии управляющего напряжения на полупроводниковом диоде 3 сопротивление его велико, структура поля в микрополосковой линии практически не искажается, так как СВЧ сигнал проходит через дополнительные перемычки 6, наличие которых обеспечивает малое затухание СВЧ сигнала и снижение КСТ .При подаче управляющего напряжения на полупроводниковый диод 3 сопротивление его мало и потенциал центрального проводника 2 микрополосковой линии практически равен потенциалу корпуса 7. При этом величина ослабления СВЧ сигнала практически не зависит от наличия дополнительных перемычек 6.Ширина дополнительных перемычек 6 и размеры слоя диэлектрика 8 выбираются из известных соотношений для обеспечения суммарного характеристического сопротивления дополнительных перемычек 6, равного волновому сопротивлению центрального проводника 2 микрополосковой линии. Использование изобретения позволяет снизить затухание и КСТ управляющего устройства СВЧ в режиме про" пускания при сохранении величины ослабления СВЧ сигнала в режиме запирания, что существенно расширяет воэможность практического применения управляющих устройств СВЧ.ирзж 590 Подписное