Запоминающий элемент
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1103290
Авторы: Брикенштейн, Перепеченых, Самойлов, Стукова, Стунжас, Тян, Фиалков, Цвелиховский
Текст
СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИРЕСПУБЛИК 119) (11 О О 11 б 11/56 ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТ Я ЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИ ВТОРСНОМ,Ф СВИ(71) Всесоюзный научно-исследовательский и проектно-технологический институт электроугольных изделий(54) (57) ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ, содержащий диэлектрическую подложку с нанесенными на нее двумя электродами и графитирующимся активным слоем, расположенным между электродами, отличающийся тем, что, с целью увеличения длительности хранения информации, графитирующийся активный слой выполнен из полимерного полупроводника с отрицатель. ным дифференциальным сопротивлением Ь-типа,1103290 Составитель Н, Бекин Редактор М. Петрова Техред И. Верес Корректор А. Зимокосов Заказ 4825/40 Тираж 575 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений н открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП Патентэ, г. Ужгород, ул, Проектная, 4Изобретение относится к электронике и может быть использовано в вычислительной технике в качестве элемента репрограммируемого постоянного запоминающего устройства (РПЗУ).Известен запоминающий элемент, содержащий диэлектрическую подложку с нанесенными на нее двумя электродами, между которыми находится активный слой, являющийся продуктом карбонизации полимеров 11,0 Недостатком данного элемента является малое время сохранения низкоомного состояния - около 72 ч.Наиболее близким к изобретению является запоминающий элемент, содержащий диэлектрическую подложку с нанесенными на нее двумя электродами и графитирующимся активным слоем, расположенным между ними 2.Однако известное устройство характери зуется недостаточной стабильностью его сопротивления во времени, а также расбросом элементов по параметрам,Цель изобретения - увеличение длитель ности хранения информации.Поставленная цель достигается тем, что в запоминающем элементе, содержащем диэлектрическую подложку с нанесенными на нее двумя электродами и графитирующимся активным слоем, расположенным между электродами, графитирующийся активный слой выполнен из полимерного полупроводника с отрицательным дифференциальным сопротивлением Я-типа. В качестве представителя полимерного полупроводника взят олигоарилен, являющийся полимером с системой сопряженных связей термообработанный при температуре 390 - 500 С. При такой температуре полимер проходит стадию образования жидкокристаллической структуры (мезофазы), которая обуславливает стабильность электрических свойств материала.На чертеже изображен запоминающий элемент. На подложку 1 нанесены электроды 2 с межэлектродным расстоянием 10 мкм, между которыми находится пленка 3 из полимера с Я-характеристикой:В исходном состоянии элемент имеет высокое сопротивление (порядка 10" Ом), при приложении импульса напряжения 20 - 25 В элемент переходит в состояние с сопротивлением порядка 10 Ом, которое сохраняет неопределенно долгое время. Возвращение элемента в высокоомное состояние осуществляется подачей импульса напряжения той же амплитуды, но противоположной полярности.Использование предлагаемого технического решения по сравнению с базовым позволит. увеличить выход годной продукции иа 20/о и кроме того получить элементы памяти со стабильными и идентичными параметрами.Ожидаемый экономический эффект на одно ПЗУ на основе олигоарилена емкостью 1 кбит составляет 0,19 руб., что при ориентировочной потребности в ПЗУ 100000 шт, в год дает ожидаемый экономический эффект 19997 руб.
СмотретьЗаявка
3564525, 18.03.1983
ВСЕСОЮЗНЫЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ И ПРОЕКТНО ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОУГОЛЬНЫХ ИЗДЕЛИЙ
ПЕРЕПЕЧЕНЫХ ВЛАДИМИР ИВАНОВИЧ, БРИКЕНШТЕЙН ХАИМ-МОРДХЕ АРОНОВИЧ, САМОЙЛОВ ВИКТОР СЕРГЕЕВИЧ, СТУКОВА ЛЮДМИЛА ЛЕОНТЬЕВНА, СТУНЖАС МАЙЯ ГАТАУЛОВНА, ТЯН ЛЕОНИД СЕМЕНОВИЧ, ФИАЛКОВ АБРАМ САМУИЛОВИЧ, ЦВЕЛИХОВСКИЙ ГЕНРИХ ИСАЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/56
Метки: запоминающий, элемент
Опубликовано: 15.07.1984
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1103290-zapominayushhijj-ehlement.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Запоминающий элемент</a>
Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства
Номер патента: 1012704
Опубликовано: 27.05.1997
МПК: G11C 11/40
Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент
Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в приповерхностном слое которой расположены диффузионные области второго типа проводимости, образующие сток и исток, над которыми размещен первый диэлектрический слой, выполненный, например, из окисла кремния толщиной 40 100 над первым диэлектрическим слоем размещен второй диэлектрический слой, выполненный, например, из нитрида кремния толщиной 200 500 и проводящий электрод, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия при стирании информации и надежности элемента, он содержит...
Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства
Номер патента: 1079079
Опубликовано: 15.07.1992
Авторы: Гриценко, Камбалин, Романов
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент
...Инжектированные дырки захватываются ловушками нитрида кремния, по всему слою 3, в том цисле и около границы раздела первого и второго диэлектрицеских слоев элемента памяти, где накапливается положительный заряд.Стирание осуществляется при подаце на проводящий слой положительного напряжения такой велицины, цто поля во втором и первом диэлектрицеском полях в 1,5-2,5 раза меньше, цем при записи. При этом преобладающим является ток инжекции электронов из полупроводниковой подложки через пер вый диэлектрический слой во второй диэлектрицеский слой. Электроны цастицно рекомбинируют с дырками, а 1079079частицно компенсируют их заряд. Недостатком такого элемента памяти является недостаточно большое времяхранения информации.Целью изобретения...
Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства
Номер патента: 1531170
Опубликовано: 23.12.1989
Автор: Семенов
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент
...запоминающих устройств (ППЗУ),Целью изобретения является повыше ние коэффициента программирования ЗУ.На фиг. 1 представлен разряд конструкции элемента памяти, на фиг, 2его топология1 ОЭлемент памяти содержит диэлектрическую подложку 1, проводящий слой,образующий плавкую перемычку 2, проводящие электроды 3, диэлектрическийслой 4 с отверстием 5., 5Перемычка 2 служит для невосстанавливаемого прерывания цепи между электродами 3 при необходимости изменения состояния данного элемента памяти ППЗУ в процессе программирования 2 О(записи информации в ППЗУ), Электроды3 служат для соединения перемычки2 с другими элементами накопителя(матрицы запоминающих элементов) исхем управления ППЗУ. Подложка 1 и 25слой 4 служат для крепления, защиты...
Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства и способ его изготовления
Номер патента: 1642888
Опубликовано: 23.09.1992
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент
...полупроводниковой подложки 1. Под дейст-вием высокой напряженности электричес-. кого поля во втором диэлектрическомслое 8 электроны инжектируются с ниж- ней поверхности по 3 икремнневых областей 9, туннелируют через Второй диэлектрический слой 8 и удаляются через области 5, 12 В результате .этого пороговые напряжения запоминающихтранзисторов становятся отрицательными, что эквивалентно единичному про водящему состоянию в режиме считыва" ния информации.3 режиме программирования информа" ции на Выбранную адресную поликремпиевую шину и выбранные разрядные диффузионные шины подают высокое положительное импульсное напряжение(12 В, 1 мс), На соседние разрядныедиффузионные шины и остальные адресные шниы подают нулевое напряжение,на...
Элемент памяти для постоянного запоминающего устройства и способ его изготовления
Номер патента: 1655242
Опубликовано: 23.09.1992
Автор: Овчаренко
МПК: G11C 17/00
Метки: запоминающего, памяти, постоянного, устройства, элемент
...за счетвысокой напряженности стокового электрического поля выбранных запоминаю "щнх транзисторов "горячие" электроныинжектируются из каналов этих транзисторов, захпзтьгваются поликремнггевыми областями, чТо приводит к повьппению их пороговых напряжений. Этоэквивалентно нулевому непроводящемусостоянию в режнгге считывания информации,Состояния остальных невыбраниыхзапоминающих транзисторов сохраняются неггзлгенными из-за нулевого напряжеггия на адресных поликремниевыхплглах илп низкого напряжения на разрядных диффузионных шинах, в результате чего отсутствует инжекция "горячих" электронов в их каналах.В режиме считьвания информации иа,адресные поликремниевые шины и разрядные диффузионные гпины подают более низкое (5 В) напряжение...
Предыдущий патент: Пространственно-временной модулятор света
Следующий патент: Адаптивное устройство для защиты памяти
Случайный патент: В п т б