Хара
Способ моделирования мелкоочаговых некрозов миокарда у животных
Номер патента: 1597894
Опубликовано: 07.10.1990
Авторы: Боднар, Маркова, Мисула, Хара
МПК: G09B 23/28
Метки: животных, мелкоочаговых, миокарда, моделирования, некрозов
...лапку и однократ-), но внутримышецно вводит индометацин в дозе 1,0-2.0 мг/кг массы тел реэ 15 мин крысе аналогично вн шечно вводят адреналин в дозе 0,50- 0,65 мг/кг массы тела.П р и м е р 1. После 10-дневной адаптации к экспериментаторам крысе- самцу внутримышечно вводят индомета" цин в дозе 1,0 мг/кг. Через 15 минвнутримышечно вводят адреналин в дозе 0,50 мг/кг. Через 1 ц после введения адреналина животное забивают,а извлекают сердце и изготовляютсрезы. Срезы окрашивают по Гейденгайну и рассматривают под микроскопом.Очаговые некрозц считают в случайновыбранном одном из трех срезов в10 полях зрения, которое перемещаютпо ходу часовой стрелки. В сердечной мышце крысы имеется 281 мелкооца.говый некроз.П р и м е р 2. После 15-дневной ,...
Устройство для смазки вращающегося элемента
Номер патента: 1330396
Опубликовано: 15.08.1987
Авторы: Запольский, Темченко, Хара
МПК: F16C 33/10, F16N 7/16
Метки: вращающегося, смазки, элемента
...ул, Проектная, 4 Изобретение относится к машиностроению и может быть применено дляавтономной жидкостной смазки низкооборотных вращающихся элементов сгоризонтальной осью вращения, например муфт свобоДного хода, подшипниковых узлов с неподвижной цапфой.Целью изобретения является повышение удобства эксплуатации узла путем обеспечения возможности регулировки подачи смазки без разбора узла.На фиг, 1 изображено предлагаемоустройство, общий вид; на фиг. 2разрез А-А на фиг, 1.На ведущую обойму 1 двойной роликовой муфты свободного хода, подлежащей смазке, концентрично установлен кольцевой резервуар 2 с четырьмярадиальными отверстиями 3, выполненными соосно смазочным отверстиям 4в Обойме 1, В соосные "отверстия резервуарами обоймы...
Устройство для моделирования биполярного транзистора
Номер патента: 1137492
Опубликовано: 30.01.1985
Автор: Хара
МПК: G06G 7/62
Метки: биполярного, моделирования, транзистора
...переменный резистор, блок моделирования тока базы, выполненный в виде усилительного транзистора, эмиттер которого подключен к первому выводу переменного резистора, блок моделирования коллекторцого тока, выполненный в виде усилительного транзистора, коллектор которого является коллекторным выводом устройства, базовый вывод которого соединен с базой усилительного транзистора блока моделиронания тока базы, введен блок моделирования иэмецения коэффициента усиления по току, выполненный н виде усилительного,транзистора, коллектор которогоподключен к второму выводу переменного резистора, подвижный контакткоторого соединен с базой усилгтельного транзистора блока моделирования коллекторного тока, эмиттеркоторого является эмиттерным выводом...
Способ получения абразивного материала
Номер патента: 72197
Опубликовано: 01.01.1948
Автор: Хара
МПК: C01F 7/02, C01F 7/46, C09K 3/14 ...
Метки: абразивного
...1 м)0 Бодм ДО пе 1 эВОНЯльнОГ Объеч,1, снОВя т(цятел(,НО перемеПивс 110 т, ОтстяиВяют и т. д. я:О 0 061 эяботк, измееОЙ Окиси алОмии 5 провд 5 т 4 1)аза. , 01 эаогяннОЙ Опися 1 ныы спосс)ъ Взвеси при оа Вл 5 и 10- - О, ПасПе 1 ОГО )ястВО- эя с,ь)ит ятр(15 дл 5 ОыстрОГО ояг,(РрОВ 1 пи 51 Осядкя. Сливя 10 т Отст О 5 В 1 п и 1 С 5 и Р Оз 1 э Яиы и Р Я с т В 0 э. Ос ЯД) 1 0 тф Р 1 1 ьР вы В Я 0 ГВ ь 1 с м ш 1 В иют при10- 120". 1)ь(гу(е; ный осадок растирают в фарфоровой ступкс, после чег 5(е)снос 5 т 15 фя)форовые тигли и прокалБают 51 ри 1100 в те(ени 2 чеСОВ. Г кя 1 кдь(ЙР 1 ель 51 асыпают 2 с ц)тористОГО 51 м 1 Н 5 и п- Верх неГО 16 я 10)п(к ОКси Ялюми(и 5 ь (1 рокалепную Оксь яломнни 5 э астире ют Б а Г 1 тОБОЙ ст пке. Спекш 10 С 51...