Мембрана
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 1 0 13/04; В 32 20 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ(53) 62-278(088.8) МН. ик,нинГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИ(54) (57) МЕМБРАНА на основе армирующей подложки и слоя кремнийорганического каучука, отличающаяся тем, что, с целью повышения механической прочности и увеличения газопроницаемости, она включает армирующую пористую подложку из металлического спеченного порошка с открытой пористостью 20 - 70%, толщиной 120 - 150 мкм, поры которой заполнены на 0,08 - 0,1 толщиныподложки кремнийорганиче. ским каучуком, и слой кремнийорганическо. го каучука толщиной 0,02 - 0,05 толщины подложки.1039519 Составитель Б. Холоденко Редактор Л. Гулько Техред И. Верес Корректор Г. Решетник Заказ 6559/4 Тираж 688 11 одписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 13035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ПГ 1 П Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4Изобретение относится к промышленности пластмасс, в частности к разработке мембраны на основе кремнийорганического полимера.Известна мембрана на основе армирующей (тканой) подложки и слоя к)емнийорганического каучука 1 и 2.Однако данная мембрана характеризуется низкой прочностью и газопроницаемостью,Цель изобретения - повышение прочностных свойств и газопроницаемости мембраны.Поставленная цель достигается тем, что мембрана включает армирующую пористую подложку из металлического спеченного порошка с открытой пористостью 20 - 70%, толщиной 120 - 150 мкм, заполненной на 0,08 - 0,1 толщины подложки кремнийорганическим каучуком, и слоя кремнийорранического каучука толщиной 0,02 - 0,05 толщины подложки.Предлагаемая мембрана (селективная) может быть получена любым известным способом, например покрытием, напылением, пропиткой раствором полимера.Пример 1. Приготавливают 20%-ный раствор силиконового каучука в бензине марки калоша и распыляют раствор на нагретую пористую подложку. Температура подложки выдерживается постоянной и равной 140 С. При попадании аэрозоля раствори на гнлрофнльную пористую подложку он втягивается капиллярными силами внутрь : одложки, при этом бензин кипит и полностью испаряется, а каучук остается на глубине порядка 0,08 от толщины подложки. При последующих распылениях поры подложки полностью заполняются на указанную глубину, После этого на поверхность подложки распылением наносится слой каучука, равный 0,02 - 0,05 от толщины подложки. Толщина слоя определяется количеством распыленного полимера.Пример 2. Приготавливают 1/о-ный раст Овор каучука в бензине марки калоша и распыляют его на нагретую до 120,5 С пористую подложку. В этом случае каучук остается на глубине 0,10 от толщины подложки а последующее распыление полностью заполняет поры и создает на поверхности слой 1 каучука, равный 0,02 - 0,05 от толщины подложки.Пример 3. Приготавливают 5 о/о-ный раствор силиконового каучука в бензине марки калоша и распыляют приготовленный раствор на нагретую пористую подложку. Температура подложки выдерживается равной 125 С. При испарении растворителя каучук остается на глубине порядка 0,085 от толщины подложки. После этого распылением раствора заполняются поры подлож ки каучуком на указанную глубину, а наповерхности создается слой полимера, равный 0,02 - 0,05 от толщины подложки.Предложенная мембрана обладает повышенной прочностью, а именно - выдерживает перепад давления в 1 -1,2 атмосферы без разрушения, кроме того, по газо- проницаемости, по кислороду и углекислому газу превосходит известную в 3 - 4 раза,
СмотретьЗаявка
2068551, 29.10.1974
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ В-2763
ЛИДОРЕНКО НИКОЛАЙ СТЕПАНОВИЧ, МУЧНИК ГРИГОРИЙ ФРОИМОВИЧ, КАРИЧЕВ ЗИЯ РАМИЗОВИЧ, ГОРУН ВИКТОР ТИМОФЕЕВИЧ, ШТЕЙНБЕРГ АЛЕКСАНДР НАУМОВИЧ, ЛЕВ МИХАИЛ БОРИСОВИЧ
МПК / Метки
МПК: B01D 13/04
Метки: мембрана
Опубликовано: 07.09.1983
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1039519-membrana.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Мембрана</a>
Способ определения прочности сцепления покрытия с пористой подложкой
Номер патента: 903753
Опубликовано: 07.02.1982
Авторы: Белобородов, Заславский, Родионов
МПК: G01N 19/04
Метки: подложкой, покрытия, пористой, прочности, сцепления
...избыточное давление с обеих сто90375 Формула изобретения Составитель В. Свиридов Редактор А. Шандор Техред С. Мигунова Корректор М. ПожоТираж 882 Подписное ВНИИПИ Государственного коМитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, /5Заказ 102/25 филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проект д,рон подложки и выдерживают подложкудо выравнивания давления по всей еетолщине, а перепад давления создаютпутем снижения давления со стороныпокрытия,При этом избыточное давление вы"бирают большим давления когезионного разрушения подложки.Способ осуществляют следующим образом. 1 ОПористую подложку с нанесенным наодну из ее поверхностей испытуемымпокрытием размещают в камере давления таким образом, чтобы...
Способ измерения толщины диэлектрических покрытий на подложках в процессе осаждения
Номер патента: 1487619
Опубликовано: 10.06.2001
Авторы: Милешко, Никитенко, Сорокин
МПК: G01B 7/04
Метки: диэлектрических, осаждения, подложках, покрытий, процессе, толщины
Способ измерения толщины диэлектрических покрытий на подложках в процессе осаждения, заключающийся в том, что строят анодную поляризационную кривую контролируемой структуры в электролите при заданной скорости увеличения потенциала подложки, находят пороговое напряжение, соответствующее началу линейного участка на указанной кривой, по которому определяют толщину слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения, построение анодной поляризационной кривой проводят при скорости увеличения потенциала подложки от 0,2 до 12 В/с в электролите с электропроводностью от 50 до 400 мкСм/см.
Способ контроля толщины последовательно наносимых на подложку слоев диэлектрикови металла
Номер патента: 326535
Опубликовано: 01.01.1972
Автор: Фурман
МПК: G02B 5/28
Метки: диэлектрикови, металла, наносимых, подложку, последовательно, слоев, толщины
...лучистый поток от источника, например лампы накаливания. Поток, прошедший через образец, проектируют на входную щель монохроматора, расположенного вне вакуумной ка- ЗО меры. Выдслесцсьссс моцохроматором поток заданного спектрального состава направляют ца приемник лучистой эссергсссс, например фотоумножитель. Сигнал, возникающий на приемнике, подают ца регистрирующее устройство, показания которого линейно связаны с пропусканием образца.Сначала нд подложку наносят диэлектрическое покрытие, состоящее цз чередующихся четвертьволновых слоев с высоким и низким показателямп преломления. Контроль диэлектрических слоев производят на длине волны Лс, соответствующей наибольшему отражецшо диэлектрического покрытия, После нанесения...
Способ измерения толщины тонких покрытий, нанесенных вакуумным испарением на подложку
Номер патента: 670803
Опубликовано: 30.06.1979
Авторы: Алексеев, Козлов, Кухарская, Надточий
МПК: G01B 11/06
Метки: вакуумным, испарением, нанесенных, подложку, покрытий, толщины, тонких
...подложки и измеряемого покрытия, Е и О - точки на границе измеряемого покрытия и реплики.Далее для увеличения контрастности реплику необходимо оттенить тяжелым металлом (платиной, хромом, золотом). Это осуществляется (см. фиг. 2), например, следующим образом; в установке 5 типа ВУПреплику помещают с наклоном, равным углу у (который является углом оттенения реплики), производят разогрев указанных сортов металла до температуры парообразования. Образовавшиеся мельчайшие частички металла 6, испаряясь, осаждаются на реплику, причем оттенение должно производиться вдоль направления рисок (см. фиг, 3, где Б - напыленный слой после первого оттенения).Новым этапом подготовки образца является нанесение на оттененную реплику технически чистого...
Способ измерения толщины тонких пленок на подложках
Номер патента: 684299
Опубликовано: 05.09.1979
Авторы: Конев, Любецкий, Пунько
МПК: G01B 11/06
Метки: пленок, подложках, толщины, тонких
...индекс. Кроме того, установка содержит анализатор 7, приемник 8 излучения, усилитель 9 и синхродетектор 10. Эллиптичность определяется по индикатору 11.Способ осуществляется следующим образом.Излучение от генератора 1 проходит фокусируюшую линзу 2, модулятор 3, врашатель 4 плоскости поляризации, анализатор 5 и под р попадает на контрольную подложку 6 с пленкой. Отраженное деполяризованное излучение, пройдя через анализатор 7 попадает на приемник 8, сигнал с которого усиливается усилителем 9 и детектируется на синхродетекторе 10.Эллиптичность определяется по настройке индикатора 11 по минимуму показаний детектора путем вращения анализатора 7, это соответствует измерению величины малой оси эллипса поляризации, при этом по лимбу...
Предыдущий патент: Способ экстракции
Следующий патент: Устройство для фильтрования
Случайный патент: Рекуператор