Барабанный электромагнитный или магнитный сепаратор

Номер патента: 7003

Опубликовано: 30.11.1928

Автор: Свицын

МПК: C01G 3/10, C01G 9/04

Метки: купороса, латунного, лома, медного, хлористого, цинка

...тонкой порошкообразной смеси окисей меди и цинка, которую растворяют затем в соляной кислоте, а длч осаждения хлорокиси меди из солянокпслого раствора применяют ту же порошкообразную смесь окисей меди и цинка., полученную же хлорокись меди перерабатывают на медный купорос обычными способами. по.лихографин краевый Печатника Предлагаемый 1 способ получения медного купороса п хдористого цинка из латунного лома состоит в следующем: латунныи лом расплавляется в горне при помощи нефтяной форсунки и расплавленная латунь распыляется прп выпуске из горна при помощи пульверизатора струей воздуха, сжатого компрессорож и перегретого в змеевике теплотою отходящих продуктов горения нефти. При этом латунь, превращаясь в тончайшую пыль, сгорает в...

Номер патента: 1776702

Опубликовано: 23.11.1992

Авторы: Гарьените, Добровольскис, Малинаускас, Миглинайте, Резайте, Чейка

МПК: C25D 3/22

Метки: цинкования, электролит

...охлаждается до комнатной температуры, и к нему при перемешивании добавляются остальные компоненты,Для испытания свойств электролита цинкования готовят образцы электролита. содержащие определенные количества разных компонентов (таблица). С использованием стандартной ячейки Хулла из приготовленных образцов электролита электролитически покрывают цинком стальные пластины и определяют диапазон плотности тока образования качественных блестящих покрытий и твердость покрытий. Затем с использованием электролитической ванны емкостью 1 л из приготовленных образцов электролита последовательно покрывают одну за другой стальные детали при средней плотности тока 3 А/дм до момента, когда осаждаемое цинковое покрытие теряет первоначальное качество и...

Номер патента: 1057413

Опубликовано: 30.11.1983

Авторы: Горбатова, Желнина, Пономарев, Прон, Рыжкин, Шапошникова

МПК: C01B 19/00

Метки: кадмия, селенидов, синтеза, теллуридов, цинка, шихта

...теллурида цинкаОКСИд цЛНКаТеллурНгаг ЕЛЕ Ваткислота ОстальноеДля теллурида кадмияОксидкадмия 27-34Теллур 4ггавелевслякислота Оста.тп ное1 ИХТУ ГотОВЯГ МОКРЬМ ИЛИ СУХИМ способом, При приготовлении шихты качество получаемых селенидов и тел.уридов цинка и кадмия зависит от тшатЕЛЬНОСТИ ГОМОГЕНИЗаЦИИ СМЕСИ компонентов, которая достигается растиранием ее в шарсвой мельнице в течение определенного времени с последующим прокаливанием этой шихты при температурах 400-1100 цС по одно-, или двух-, или трех- и тд. стадийному режиму.Прокаливание шихты проводят под слоем угля илиуглеграфитовой ткани. ц36"38 П р и м е р. 1. Для приготовленияцихты, состоящей из смеси компоненгсзл взятых в следующем соотношении,с.г егс, сОксид цинка 28,41...

Номер патента: 767168

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Боровитова, Михалев, Пивнева, Постолова

МПК: C09K 11/02

Метки: «и—или», кадмия, люминофора, основе, поверхностной, сульфидов, цинка

...методом сухого напыления. 5"4) СПОСОБ ПОВЕРХНОСТНОЙ ОБРАБОТКИ ЛЮМИНОФОРАНА ОСНОВЕ СУЛЬФИДОВ ЦИНКА И/ИЛИ КАДМИЯ, ;.(4,5) 10 10 П,рАддекант2 разапензиюраствота 24при пераство57,3 млфор пе Сыпучесть люиофора определялась по п.4,5Туб-31-78-76(через наборконусов); требования по ТУна люминофорКн: яркостьсвечения - 100сыпучесть -7 баллов. мии ч 2 изе ставитель И. Недолужкохред Э, Вереш Корр С. Шекмар дактор Т. Пилипенк шаю аее ав т каз 7131 Тираж 725 ВНИИПИ Государственного ком по делам изобретений и от 113035, Москва, Ж, РаушскаяПодписитета СССРрытийнабде илиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная,При этом сам процесс поверхностной обработки люминофора включает мало операций и не длителен во времени.П р и м е р 1. Люминофор(Еп,Сд)5. Со, АЯ...

Номер патента: 1397977

Опубликовано: 23.05.1988

Авторы: Бормашов, Жуковский, Щерб

МПК: H01F 17/04, H01F 41/02

Метки: индуктивный, многослойный, элемент

...спиралями и до краев пластины заполняют магнитодиэлектрич.ской массой, содержащей, например, мелкоди. - персный порошок никель-цинкового феррита и связующий материал, на высоту проводящего матсридла. Прп выборе приприпоя и связук 1 шего материала в мдгнитодиэлектрической массе ц.ооходимо, чтобы температура плавл и 1 я при - поя и отверждения связующего материала были близки.Затем пластины ск адывдют , мцс гос .1 0 Й н ы Й 11 и д у к;Г и В н ый э л . м е ни д 1 э е 1ют по температуры плавления трипоя, При этом Опавлястся припой, ндцесев ный на спирали, и тдк как мжду плд- СтИНаМИ СПИраЛН ССэт 1 рихдСаКтСя ВСс МИ частямп поверхнос ги, то тдк.,1 ч Обрд - зом п 1 эоис ходит ссед 11 нсние пи 1 эае 1: и образование бмлтки пнл,ктпн;.,го элс...