Бормашов

Номер патента: 1684763

Опубликовано: 15.10.1991

Авторы: Бормашов, Гольдштейн, Комарова

МПК: G01R 33/12

Метки: магнитопроводов, технического

...амплитуды первых четырех гармоник напряженности магнитного поля для каждого образца,Для первого магнитопровода .- эталонного;Н 1 = 214,16 6,73 12,1 = 2306,2 А/м Для определения коэффициента а по выражению (21) предварительно определили значения функции Бесселя с помощью степенного ряда (13) для аргумента Вэ Вгп = .= 3,454 1,22 = 4,213, Получены следующие значенияО 4,213) = 12 1 1 з = ( 4 213) = 4 39 1 в = Я 4,213) = 0,6857/ 2Кг = = 0,775.2306,230 Для второго магипоовода ъ 1594 3 +894 7 +463 1 Кг = --2 ---- - - 0,795. 23582Для третьего магнитопровода 1609 + 850,7 +360,42450Из анализа коэффициентов гармоник, видно, что меньшему коэффициенту/3 соответствует меньший коэффициент гармоник. Третий магнитопровод генерирует меньше высших...

Номер патента: 1415365

Опубликовано: 07.08.1988

Авторы: Бормашов, Гольдштейн, Щерб

МПК: H02M 3/335

Метки: импульсный

...40с частотой, равной половине частотыимпульсного управляющего сигнала, вырабатываемого блоком 2 управления.Выпрямленное напряжение поступает навыход устройства. 45При уменьшении сопротивления нагрузки 12 до определенного значениядобротность параметрического контурастановится ниже критической и колебания прекращаются. В первичной обмот 50ке выходного трансформатора устанавливается режим холостого хода. Послеустранения короткого замыкания и увеличения сопротивления нагрузки вышекритического и в параметрическом контуре колебания возобновляются.55Дополнительные обмотки могут бытьвыполнены проводом беэ изоляции, амежду витками вторичной и дополнительной обмоток наносится диэлектричесКиматериал с высоким значением относительной...

Номер патента: 1403038

Опубликовано: 15.06.1988

Авторы: Бормашов, Гольдштейн, Панин, Щерб

МПК: G05F 1/56

Метки: импульсный, постоянного, стабилизатор

...стабили" затора. Диод 6 предотвращает пробой регулирующего элемента в момент воздействия ЭДС самоиндукции дросселя.Дроссели 7 и 8 выполнены в виде плоских обмоток 11 и 12, размещенных в крышках 9 и 10, ныполненных55 из ферромагнитного материала и выполняющих функцию магнитопровода дросселей.Индуктивность дросселя (1.) рассчитывают по ФормулеУ Бго М1 с где р, - магнитная проницаемость вакуума;- относительная магнитная проницаемость магнитопронода;У - число витков обмотки дросселей;Я - сечение магнитопровода;1 - длина средней силовой магнитной линии,Сечение броневого магнитопровода определяют по сечению центрального керна. Для оптимального магнитного режима сечение магнитопровода для всех участков должно быть одинаковым. Поэтому для выбора...

Номер патента: 1399789

Опубликовано: 30.05.1988

Авторы: Бормашов, Гольдштейн, Кузьменко

МПК: B23K 9/10, G08B 23/00

Метки: дугового, промежутка, состояния

...5 и диод 4 включен в сеть напряжением 220 В, 50 Гц. Резистор 8 выбран так, что при разомкнутом дуговом промежутке в параметроне не возникают колебания, Входное сопроти вление параметрона велико, и конт"рольное реле находится в выключенном состоянии. При возникновении коротко- кого замыкания в дуговом промежутке цепь, состоящая из резистора 8, реле 9 и диода 12, оказывается закороченной. В параметроне возникают колебания, поэтому в его цепи возбуждения ток увеличивается, что приводит к срабатыванию контрольного реле 6. Контакты 16 этого реле включают источ 50 ник питания сварочной дуги. На дуго" вом промежутке появляется напряжение и происходит дуговой разряд. После прекращения дугового разряда напря" жение на разомкнутом дуговом проме...

Номер патента: 1397977

Опубликовано: 23.05.1988

Авторы: Бормашов, Жуковский, Щерб

МПК: H01F 17/04, H01F 41/02

Метки: индуктивный, многослойный, элемент

...спиралями и до краев пластины заполняют магнитодиэлектрич.ской массой, содержащей, например, мелкоди. - персный порошок никель-цинкового феррита и связующий материал, на высоту проводящего матсридла. Прп выборе приприпоя и связук 1 шего материала в мдгнитодиэлектрической массе ц.ооходимо, чтобы температура плавл и 1 я при - поя и отверждения связующего материала были близки.Затем пластины ск адывдют , мцс гос .1 0 Й н ы Й 11 и д у к;Г и В н ый э л . м е ни д 1 э е 1ют по температуры плавления трипоя, При этом Опавлястся припой, ндцесев ный на спирали, и тдк как мжду плд- СтИНаМИ СПИраЛН ССэт 1 рихдСаКтСя ВСс МИ частямп поверхнос ги, то тдк.,1 ч Обрд - зом п 1 эоис ходит ссед 11 нсние пи 1 эае 1: и образование бмлтки пнл,ктпн;.,го элс...

Номер патента: 1304093

Опубликовано: 15.04.1987

Авторы: Анисимов, Бормашов, Щерб

МПК: H01B 19/00

Метки: герметизации, индуктивного, элемента

...способам, приведены в таблице. 1Изобретение относится к электротехнике и может найти применение,вчастности при изготовлении трансформаторов.Целью данного изобретения являетсповышение электромагнитной и тепловой совместимости.Трансформатор с обмотками, выполненными из эмальпровода марки ПЭТВдиаметром 0,33-0,55 мм на сердечникеиз Феррита марки М 2000 НМ 1, пропитывают и обволакивают методом погружения в пропиточную смесь, имеющую следующий состав, мас.Х:Никель-цинковыйФеррит (маркаМ 400 НН, частицыне более 2 мкм) 40Алюминиевая пудра5Пропиточный компаунд КПОстальноеПропиточную смесь получают следуФющим образом.Навески феррита и алюминиевой пудры тщательно смешивают. Данную смесьпомещают в сушильный шкаф и выдерживают в течение 1...

Номер патента: 1292048

Опубликовано: 23.02.1987

Авторы: Бормашов, Щерб

МПК: H01F 17/04

Метки: индуктивный, элемент

...4 3 12920 сердечник К 20 х 16,5 х 3, выполцеццый из стандартного кольца М 600 НН - 4 К 20 х 12 х 6. Торцовые диски20 мм в области керна имеют высоту 1,5 мм, которая к краю диска уменьшается. до 0,3 мм. Всего изготовлены 4 пары торцевых дисков из альсифера следующих марок Вч, Вч, ТЧК, Тч,Трубчатая часть магнитопровода предлагаемого устройства выполнена 10 из состава, содержащего 85 мас.7 порошка феррита 400 НН и 15 мас.7 эпоксидной смолы ЭДс отвердителем.Параметры изготовленных индуктивных элементов известного устройства 15 измеряли на частоте = 100 кГц при токе подмагничивания 1 =5 А по известной методике.Индуктивность предлагаемого индуктивного элемента составила 30,1 мкГн, 20Измерения индуктивного элемента проводились поочередно с...

Номер патента: 1191960

Опубликовано: 15.11.1985

Авторы: Бормашов, Щерб

МПК: H01F 41/02

Метки: индуктивного, элемента

...вторичного электропитания и может быть использовано в электротехнике.Целью изобретения является повышение производительности, снижение трудоемкости изготовления.Способ осуществляют следующим образом.Производят намотку спиральной бескаркасной обмотки, погружают ее в ферромагнитную суспензию, которая содержит электроизоляционное связующее вещество и пропускают через обмотку постоянный электрический ток. Ток, протекающий по обмотке, образует вокруг нее магнитное поле.Изменяя напряженность магнитного поля, вязкость суспензии и время нахождения обмотки в суспензии можно менять толщину н плотность получаемого броневого сердечника.При достижении необходимой толщины магнитоэлектрического слоя вокруг обмотки ее вытаскивают из суспензии, не...

Номер патента: 1117719

Опубликовано: 07.10.1984

Авторы: Бормашов, Гольдштейн, Щерб

МПК: H01F 17/06

Метки: индуктивный, элемент

...элемент, включает кольрдечник 1 из порошковогонитного материала, обмоткуитие 3 из магнитодизлектриа ция инду Индук цевой сеч ериала В отличие от известных индуктив ных элементов уменьшение индуктивного потока рассеяния происходит потому, что магнитные линии объемных витков замыкаются в магнитодиэлектрическом материале покрытия. При этом образуется дополнительная индуктивность, которая определ Наиболее близкими к изобретенйю по технической сущности и достигаемому результату являются накопительные дроссели, работающие с подмагничиванием постоянным током для ключевых схем электропитания, сердечники которых выполнены в виде торроидов из порошкового магнитного материала, на которых располагаются обмотки и покрытия из эпоксидных...