Способ контроля механических напряжений в кристаллах смешанных сегнетоэластиков

СОЮЗ СОВЕТСКИХРЕСПУБЛИК 8 ю ОО РЕТЕНИЯ ИСАНИЕ 8 ТОРСКОМУС ЬСТВУ О ВОД СУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР 110 ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ(54)(57) СПОСОБ КОНТРОЛЯ МЕХАНИЧЕНАПРЯЖЕНИЙ В КРИСТАЛЛАХ СМЕШАННЫХ эЯО, 1024818 А СЕГНЕТОЭЛАСТИКОВ, заключающийся в том, что к кристаллу сегнетоэластика прикладывают механические напряжения и регистрируют электрический сигнал," о т л и ч"а ю щ и й с я тем, . что, с целью повышения точности контроля, механические напряжения прикладывают в кристаллографическом направлении 1100 1 или 1010), поляризу" ют и переполяризуют кристалл сегнето. эластика постоянным электрическим полем, приложенным в направлении 001), и регистрируют электрические сигналы от скачков Баркгаузена, по которым ,определяют механицеские напряжения.1024818Составитель 6. филиновТехред Д;Ач Корректор В, Братягаю ФЛи ВЫ аЗаказ 138 М 40 Тираж 873 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д., 4/5еи е твв Юфилиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4" Редактор Р. Цицика Изобретение относится к контроль"но"измерительной технике и может быть".использовано для определения механических напряжений в сегнетоэластиках.5Известен способ контроля механических напряжений, основанный наэффекте Баркгаузена в ферромзгнетиках, состоящий в том, цто механичес"кие напряжения фиксируют за сцет изменения статических параметров потокаскачков Баркгаузена 1.11 .Недостаток способа заклюцаетсяв том, цто он применим только к Ферромагнитным материалам.Известен также способ контролямеханических напряжений в сегнетоэластиках, заключающийся в том, цто ккристаллу сегнетоэластика прикладывают механические напряжения и регистрируют электрический сигнал, по величине которого определяют результатконтроля 1.2 1 .Недостатком этого способа являет"ся низкая чувствительность связанная с небольшой величиной спонтаннойполяризации Р -ф 0,17-0,20 мКл/см )монокристалла молибдата гадолиния,что обуславливает малый электричес" .кий сигнал, возникающий при деформа- ЗОции кристалла, а также то, цто пьезо"электрический эффект ярко выраженлишь в униполярных кристаллах, а внеуполярных полидоменных кристаллахон равен нулю. 35Целью изобретения является повь 1-.шение точности контроля механическихнапряжений в кристаллах смешанныхсегнетоэластиков,Поставленная цель достигается 40тем, что согласно способу контролямеханических напряжений в кристаллах, смешанных сегнетоэластиков,заключающемуся в том, что к кристаллу сегнетоэластика прикладывают ме"ханические напряжения и регистряруютэлектрический сигнал, механические напряжения прикладывают в кристаллографическом направлении Г 1003 или010, поляризуют и переполяризуюткристалл сегнетоэластика постояннымэлектрическим полем, приложенным внаправлении 001 и регистрируютэлектричеокие сигналы от скачковБаркгаузена, по которым определяютмеханические напряжения. На чертеже изображена схема реали"зации способа. Способ осуществляется следующим образом.Кристалл 1 сегнетоэластика помещается в держатель 2, одноосные меха" нические напряжения создаются путем перемещения винта 3 прижимающего кристалл к опоре 4. От источника 5 тока постоянное электрическое поле подается на серебряные электроды 6, нанесенные на плоскости 1 0013 кристалла вакуумным напылением. Возникающие при этом в кристалле скачки пере- поляризации. приводят к скачкообразно. му изменению тока через,сопротивлейие Й, включенное последовательно с кристаллом, с этого сопротивления импульсы напряжения, соответствующие скачкам Баркгаузена, подаются на измерительный блок 7.Как отмечалось, пьезоэлектрический эффект наблюдается на монодо" менных или униполярных образцах. При измерении механических напряжений с помощью устройства, основанного на пьезоэффекте, возможна деполяризация сегнетоэластика-сегнетоэлектрика.8 описанном способе пьезоэффект от- сутствует, и контроль механических напряжений становится невозможным. Применение эффекта Баркгаузена позволяет устранить указанный недосыпа". ток. и определять механические напря" жения как в униполярных, так и в неуполярных полидоменных кристаллах.