Способ электромагнитной дефектометрии

,8010248 СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИН 2 8 ГОСУДАРСТВЕННЫПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕН МИТЕТ ССС ИЙ И ОТКРЫТ ОПИСА Н АВТОРСИО НИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯЬЙГ СВИДЕТЕЛЬСТВУ. ния точности, одновременно выде составляющие магнитного поля с мощью второго магниточувствител преобразователя, установленного на той же нормали с другим фиксированным зазопрм, используют тангенциаль ные составляющие магнитного поля, а глубину Ь дефекта определяют .по соотношению выделенных соСтавляющих из зависимости.н - н,ьнх -н 2 ляют по-: ьног Бюл 23(5)(57) СПОСОБ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОЙ ДЕ-фЕКТОМЕТРИИ, заключающийся в том,. г что контролируемую поверхность намагничивают с помощью магниточувствитель. ного преобразователя, установленного по нормали к контролируемой поверхности с Фиксированным зазором, выделяют составляющие магнитного поля, обусловленные дефектом, о т л и ч аю щ и й с я тем, что, с целью повыше" Ни иеа е- определенные тангенциальные составляющмагнитного поля рассеяния, обусловленн дефектом и измеренные 6 ри зазорахй;2 соответственно; коэффициент.пропорц нальности.. где Н и Н " определенные наприЛ 2мер, тангенциальныесоставляющие магнитного поля рассеяния, 5 обусловленные дефектом и измеряемые призазорах л и 22 соответственно;К коэффициент пропорцио.0 нальности.Способ осуществляется следующимобразом.Два магниточувствительных преоб-разователянапример, датчики Холла,магнитореэисторы, феррозонды располагают по нормали к контролируемойповерхности один над. другим с фиксированными зазорами 2, и Х. Прикладывают к изделию магнитное поле, измеряют с помощью преобразователейтангенциальные составляющие магнитного поля рассения, обусловленныедефектами %1 и М 2), и по соотношению этих составляющих, полученномуиз зависимости 1021 НХ -Н 22.3 Н 22 -И 1 2,з Таким образом; функция изменения.Н .в зависимости от глубины дефекта.К К50меняется от - до впри изменениига;7глубины от 0 до со .Измерение тангенциальных состав"ляющих поля рассеяния дефекта при,двух различных фиксированных зазорах7 и 22 в точках, расположенных на 5 нормали к поверхности позволяет повысить точность измерения глубины дефекта и осуществить автоматическую разбраковку дефектов по глубине. Изобретение относится к неразрушающему контролю и может использоваться для определения качества Ферромагнитных изделий в черной металлургии и машиностроении.Известен способ определения глубины дефектов в Ферромагнитных изделиях, заключающийся в том, что изделие намагничивают и определяют тангенциальную составляющую поля. рассеяния дефекта1Однако такой способ не позволяет произвести отстройку от мешающих факторов - наклепа,изменение зазора и т.д.Наиболее близким по технической .сущности к изобретению является спо соб электромагнитной дефектометрии, заключающийся в том, что контролируемую поверхность намагничивают с помощью магниточувствительного пре образователя, установленного по нор 20 мали к контролируемой поверхности с фиксированным зазором, выделяют составляющие магнитного поля, обусловленные дефектом, например нормаль 25 ные, определяют ее максимальные зна" чения и по расстоянию между ними судят о глубине дефекта 1 2.Недостатком известного способа является влияние мешающих факторов таких, как локальный наклеп, магнитная неоднородность структуры, изме"., нение зазора между преобразователем и контролируемой поверхностью, что снижает точность дефектометрии.Цель изобретения - повышение 35 точностиУказанная цель достигается тем, что согласно способу электромагнитной дефектометрии, заключающемуся в том, что контролируемую поверхность 40 намагничивают с помощью магниточувствительного преобразователя, установ-. ленногопо нормали к контролируемой поверхности с фикисрованным,зазором, выделяют составляющие магнитного 45 поля, обусловленные дефектом, одновременно выделяют составляющие маг" нитного поля с помощью второго магниточувствительного преобразователя, установленного на той же нормали с другим Фиксированным зазором, используют тангенциальные составляющие магнитного поля, а глубину Ъ дефекта определяют по соотношение выделенных составляющих.из зависимости 5 определяют глубинудефекта.Указанная зависимость учитываетвеличину зазоров, при которых производится измерение как в первой сте"пени, так и в квадрате,Поскольку .известно, что дефекттипа наклепа можно представить в виде двух нитей линейного диполяполекоторого изменяется обратно пропорционально квадрату расстояния .от поверхности изделия до точки измерения,т,е. Н, где Н-тангенциальнаясоставляющая поля рассеяния, то вслучае, когда глубина дефекта % стремится к бесконечности, Н , т,е.Н - обратно пропорциойальна изменениюзазора в первой степени,