Резистивный материал
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
ТЕН Р 15 М. Н.П. Аксе ка,020,о СССР978 и В 1282.етельст7/ОО,ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМ иииии иииииииииии ОЛИСАНИЕ Н АВТОРСКОМУ С(прототип)54) (57) РЕЗИСТИВНЫЙ. ИАТЕРИАЛ, со" ержащий лантаноид и добавку, о ти ч а ю щ и й с я тем, что, с елью повыаения величины удельного опротивления, в качестве лантаноида н содержит эрбий, а в качестве обавки - теллур при следующем сотношении компонентов, вес.В:Эрбий 39,6-81.,0Теллур 19,0-60,4Состав, весФв 1.а таю 20 68 64 72 36 105 0 2 58 2401200 59 ВНИИПИ Заказ 3029/62 Тираж 701 Подписное Филиал ППП "Патент", г, Ужгород,ул.Проектная,4 Иэсбретение относится к электронной технике и может быть использовано, например, в микроэлектроникепри изготовлении резистивных элементов,Известен резистивный материал,содержащий лантаноид и добавку11.Недостатком известного резистивного материала является узкий диапа.зон удельного сопротивления.Наиболее близким к изобретениютехническим решением является реэистнвный материал, содержащий лантайьид и добавку 2.3,Недостаток известного резистивного материала заключается в низкихзначениях удельного сопротивления,которое при 20 С составляет 201200 мкОм см при значениях температурного коэфбициента сопротивленияот (+а) до (-4) град10 4Цель изобретения - повышение величины удельного сопротивления.Указанная цель достигается тем,что резистивный материал, содержа"щий лантаноид и добавку, в качестве лантаноида содержит эрбий, а вкачестве добавки - теллур при следующем соотношении компонентов,вес.В: 5 Эрбий 39,6-81,0Теллур 19,0 60,4реэистивный матерйап получают пу"тем конденсации в вакууме 10 1 б"4 торрэрбия и теллура из двух испарителей О при 570-730 С.Состав резистивного материалаи его характеристики приведены втабл. 1.Для сравнения в табл. 2 приведены 15 электрические характеристики известного материала.Таким образом, изобретение позво.ляет повысить удельное сопротивлениереэистивного материала при низкомзначении ТКС, Кроме того, достоинством предлагаемого резистивного материала, является простота регулирова"ния величины его удельного сопротив-.ления путем изменения температуры 25 подложки,Таблица 1
СмотретьЗаявка
3343095, 24.09.1981
ХАРЬКОВСКИЙ ОРДЕНА ЛЕНИНА ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. В. И. ЛЕНИНА, ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ Г-4149
ПАЛАТНИК ЛЕВ САМОЙЛОВИЧ, НАБОКА МАРАТ НИКОЛАЕВИЧ, СИНИЦЫНА ЛЮДМИЛА ЕВГЕНЬЕВНА, АКСЕНОВ РУСЛАН ПАВЛОВИЧ
МПК / Метки
МПК: H01C 7/00
Метки: материал, резистивный
Опубликовано: 23.04.1983
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1014046-rezistivnyjj-material.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Резистивный материал</a>
Предыдущий патент: Материал для низкоомных тонкопленочных резисторов
Следующий патент: Резистор
Случайный патент: Волновой отражатель