Патенты опубликованные 27.03.1995

Номер патента: 1797403

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Алешин, Енишерлова-Вельяшева, Казакевич, Мордкович, Русак

МПК: H01L 21/265

Метки: внутренним, геттером, кремниевых, структур, эпитаксиальных

...определяющих дефектообразование в материале,Технология эпитаксиального наращивания на кремнии практически всегда включает процесс газового травления, обеспечивающий очистку поверхности перед эпитаксиальным наращиванием. Проведение газового травления необходимо и в предлагаемом варианте в целях очистки, однако в заявляемом варианте накладывается определенное условие, оговаривающее возможную толщину удаляемого в процессе га 1797403зового травления слоя материала. он должен составлять; 0,1-02 Вр где Йр средний проецированный пробег ионов кислорода и углерода, Именно при этом условии, как экспериментально было показано, удастся пол учить чистый бездефектный слоЯ у поверхности подложки и наиболее совершенные эпитаксиальные пленки, При...

Номер патента: 1797737

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Аликберов, Иванов, Проничев, Резчиков

МПК: A01J 5/08

Метки: доильный, стакан

1. ДОИЛЬНЫЙ СТАКАН, включающий корпус с патрубками и расположенную в нем сосковую трубку с присоском и подсосковой камерой, причем внутренние стенки сосковой трубки выполнены в форме усеченного конуса, большее основание которого направлено к присоску, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности доения путем улучшения массажа соска, наружные стенки сосковой трубки выполнены по усеченному конусу, меньшее основание которого направлено к присоску.2. Стакан по п.1, отличающийся тем, что стенки сосковой трубки в зоне под сосковой камерой выполнены с жесткостью, большей жесткости стенок остальных частей сосковой трубки.