Способ изготовления изогнутых кристалл-монохроматоров

Номер патента: 735101

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Белокурова, Вахрущев, Земсков, Кожух, Трунов

МПК: G21K 1/06

Метки: кристалл-монохроматор, нейтронов, тепловых

...по толщине кристалла приводит к увеличению напряжения в решетке германия и изменению постоянной кристаллической решетки вдоль направления градиента концентрации кремния.При концентрации кремния на отражающей поверхности выше 8 ат. % неудалось вырастить монокристалл твердого раствора. Получающиеся поликристаллы . непригодны для использования в качестве кристаллов-монохром аторов тепловых нейтронов, так как дают раасеяние, характерное для дифракции тепловых,нейтронов,на поли- кристалле. Увеличение градиента концентрации кремния свыше 9,5 ат. %/см также приводит к тому, что,выращенный кристалл имеет сильно разориентированную поли- кристаллическую структуру и непригоден к использованию в качестве кристалла-монохроматора тепловых...

Номер патента: 1120628

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Балакир, Гундорова, Дигилов, Звонков, Костиков, Малючков, Нагорный, Харитонов

МПК: C01B 31/04

Метки: кристаллов, монохроматоров, пирографитовых

...ппотностью мощности свыше 10 Вт/см г приводит к нагреву образцов, при котором происходит испарение поверхности монохроматоров, аоно неприемпемо, меньшая плотностьмощности недостаточна для существенных структурных изменений пирографита и, следовательно, достижения поставленной цели.Лазерное облучение не изменяет физико-химических характеристик пирографитовых образцов.Нагрев пирографитовых образцовдо температуры пластичности до 2450 о2650 С необходим для формированияпредварительной текстуры материала,позволяющей провести лазерное облучение.П р и м е р 1. Образец пирографита(марки МГП-РД) с плотностью 2,25 г/смУи микротвердостью 8 кг/мм, диаметгром 80 мм и высотой 8 мм в графитовойматрице помещают в пресс и нагреваютпропусканием...

Номер патента: 890666

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Аникин, Бетуганов, Горелик, Гундорова, Дигилов, Костиков, Нагорный, Непрошин, Харитонов

МПК: C01B 31/04

Метки: кристаллов, монохроматоров, пирографитовых

...5 структурные изменения, приводящие к улучшению текстуры,слишком слабы, а при номере (28 например, вольфрам) глубина проникновения таких тяжелых ионов в углерод невелика.Ионная бомбардировка не изменяетФизико-химических характеристик пирографитового образца,Выбранный интервал температуры .нагрева пирографитового образца (до2450 - 2650 С) необходим для Формирования текстуры материала, позволяющейпровести ионную бомбардировку.П р и м е р 1. Образец пирографита/см и микротвердостью 8 кг/мм , диаметром 30 мм и высотой 12 мм в графитовой матрице помещают в пресс инагревают пропусканием электрического тока в течение 30 мин до темпераотуры 2450 С в инертной среде - аргоне, после чего повышают давление соскоростью 1,0 МПа в мин до 35 МПа,11 осле...

Номер патента: 1712844

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Оберемок, Черный, Щуляренко

МПК: G01N 23/20

Метки: изгиба, кристалл-монохроматора

...частей, при этом на пассивнойчасти размещены элементы для закрепления кристалла-монохроматора, а активнаячасть разделена по крайней мере на трисекции, причем длина средней секции равна длине дуги фокусирующей окружности с центральным углом 1, а остальные секции равны между собой.Выполнение изгибного элемента из активной и пассивной составных частей позволяет осуществлять изгиб одной частью, а именно активной, которая обладает однородной структурой, легко поддается расчету и управлению, а следовательно, позволяет достичь необходимой точности меньшими усилиями.Размещение на пассивной части элементов закрепления кристалла-монохроматора обеспечивает установку кристалла-монохроматора в устройстве, не влияя на пьезоэлектрические...

Номер патента: 202565

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Кирин, Литвинова

МПК: G01B 9/00, G01N 23/08

Метки: кристалл-монохроматоров, оптической, юстировки

...которое отличается от известных тем, что оно состоит из двух вращающихся вокруг оси штанг, на которых установлены осветитель и экран, пе ремещаемые по штангам; на оси смонтирован держатель с юстируемым кристалл-монохроматором. Устройство может быть расположено на любом столе.На чертеже изображеройство для оптическоймонохроматоров.Устройство состоит из стальной оси 1, на которой независимо одна от другой могут поворачиваться две муфты 2. Муфты закреп ляются в нужном положении стопорными винтами. Сверху на оси с помощью специальной подставки 3 крепится держатель 4 кристалла. К каждой муфте прикреплена штанга с нанесенными масштабными делениями. На 2 штанги надеты подвижные обоймы 5, которые могут быть зафиксированы на любом...