Способ полирования алмазов

Номер патента: 1533221

Опубликовано: 23.02.1993

Авторы: Бабаев, Варфоломеева, Гусева, Евсюков, Коршак, Кудрявцев, Хвостов

МПК: C01B 31/06

Метки: алмазов

...и упрощение процесса их получения. Способ получения алмазов осуществляют путем воздействия высокого давления при нагреве до 1400-1700 С в области стаИип - ности алмаза на ос -карбин в аморфной форме с содержанием углерода 99,0 99,9 мас,%, Выход алмаза 30-99,9%. Упрощение процесса осуществляется эа счет исключения операций приготовления металлов - катализаторов и ихф смешивание с углеродыым материалом. ид , на сборку воздействуя давлением 80 кбар при 1400 фС с выдержкой 30 с. После снятия давления и охлаждения полученного продукта извлекают алмазы размером 10-30 мкм с содержанием примесей менее О, 1 мас.%. Выход алмазов 30 нас.%.П р и м е р 2. Исходный материал и способ загрузки камеры высокого давления аналогично примеру 1. Наборку...

Номер патента: 349973

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Голованевский, Коновалова, Кононов

МПК: G02F 1/03

Метки: переключатель, плоскости, поляризации

...лучей.На чертеже изображен предложенный переключатель плоскости поляризации. В предлагаемом устройстве оптическая ось У составляет с нормалью к полированным поверхностям переключателя некоторый угол а, В этом случае скорость обыкновенной и необыкновенной составляющих уже не одинакова, и на выходе переключателя между ними возникает разность фаз.При определенной толщине кристалла можно получить постоянное четвертьволновое смещение между компонентами поляризации, т. е. сам переключатель будет играть роль одного из элементов переключателя. Подобного результата можно добиться ипри обычной конструкции переключателя, исползующего Л-срез кристалла. В этом случае для получения постоянного четвертьволнового 5 смещения нужно ориентировать...

Номер патента: 66387

Опубликовано: 01.01.1946

Автор: Мирошниченко

МПК: B65G 11/12, B65G 11/14, B65G 25/04, E21F 13/08

Метки: качающийся, конвейер

...железа и выполняются раздаижными. Каждый рештак устанавливается под углом 35 - 45 к конвейеру и качается вместе с ним. На пластах с углом падения от 6 - 22 уголь движется по добавочному рештаку с равной скоростью двИ- жения угля общего става конвейера.Навалоотбойщики, зачистив вруб на глубину 1,5 м, прикрепляют рештак к общему стану конвейера,после чего начинают грузить на него уголь. Второй конец рештака ложится прямо на,почву или на стойки и почти упирается в забой лавы, После отгрузки зарубки на расстояние одного конвейерого рештака дополнительный рештак переносится на следующее звено и т. д.Таким образом при,применении дополнительного рештака упраздняется двойная перекидка угля. На многих шахтах двухметровые бары не применяются...

Номер патента: 454538

Опубликовано: 25.12.1974

Автор: Лучкин

МПК: G05F 1/14

Метки: изменения, переменного, ступенчатого

...разделены немагнитными прокладками.На фиг, 1 приведена электрическая схема предложенного устройства; на фиг, 2 - изображен трансформатор,Оно состоит из трансформатора 1, содержащего главный стержень 2 магнитопровода, магнитопроводы 3 первичных обмоток, немагнитные прокладки 4, первичные обмотки 5, вторичную обмотку 6, Первичные обмотки 5 через переключающие элементы 7 соединены с блоком управления 8.При подключении одной из первичных обмоток 5 к источнику переменного напряжения У через переключающий элемент 7 во вторичной обмотке 6 наводится э.д,с. При подключении второй первичной обмотки параллельно первой в главном магнитопроводе мгновенные значения магнитных потоков складываются, соответственно возрастает э. д. с. во...

Номер патента: 1788700

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Белоусов, Будяк, Ивахненко, Чипенко

МПК: C01B 31/06

Метки: алмаза, затравке, монокристаллов, синтеза

...способа синтеза с помощью варьирования охлаждения АВД желательно проводить при наличии дополнительного источника тепла 5 или 6.Например, пусть система нагрева состоит из трубчатого нагревателя 4 и дополнительного источника тепла 5.В начальный момент синтеза мощность дополнительного источника тепла 5 равна нулю, а по полым пальцам 13 и 14 протекает вода обычной температуры 20 С.В процессе роста алмаза, когда перепад температуры между источником углерода 1 и поверхностью растущего монокристалла 15 уменьшается, увеличивают мощность нагрева дополнительного источника тепла 5, что ведет к увеличению температуры у источника углерода 1, и одновременно увеличивают интенсивность теплоотвода от реакционной ячейки со стороны растущего...