Способ изготовления матрицы запоминающего устройства
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
1 п 1 476598 Союз Советских Социалистических Республик) Приоритет Государственный комитет Совета Министров СССР по делам изобретенийи открытий Опубликовано 05,07,75. Бюллетень25 53 681.327 (088.8) писания 30,10.75 ата опубликован) Заявите на Ленина институт кибернетики АН Украинской ССР(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЦЫ ЗАПОМИНАУСТРОЙСТВА О 15 едмет изобрете Изобретение относится к области вычислительной техники, в частности, к способу изготовления интегральных магнитопленочных матриц запоминающих устройств (ЗУ),Известен способ изготовления интегральной матрицы ЗУ, заключающийся в том, что адресные и разрядные шины наносятся на металлизированный с двух сторон диэлектрик методом фотолитографии, диэлектрик оплавляется в промежутках между шинами потоком горячего воздуха, шины металлизируются и покрываются магнитным материалом с прямоугольной петлей гистерезиса,Однако при использовании такого способа в,процессе оплавления изоляция между адресными и разрядными шинами недостаточна, а шины отслаиваются от диэлектрика.Целью изобретения является повышение надежности матрицы в процессе ее изготовления.Эта цель достигается тем, что на торцы шин наносят слой неплавкого материала, например, методом электрофореза.Матрица изготавливается следующим образом.На металлизированном с двух сторон, например, лавсане методом фотолитографии изготавливают с одной стороны адресные, а с другой стороны разрядные шины. На торцовые участки шин наносят слой частичек неплавкого материала, например, методом электрофореза из ванны следующего состава: твердая фаза - высокодисперсный порошок МдО; дисперсионная среда - 2%-ный раствор эпоксид ной смолы марки Эв ацетоне, суспензия1 %-ной концентрации. В суспензию вводят 0,01 % зарядчика ДФдитиофосфат кальция, Осаждение ведут при напряжении 1000 в в течение 30 сек, затем сушат на воздухе. Матрицу 0 оплавляют в потоке горячего газа, затем изолируют шины, металлизируют и наносят слой магнитного материала методом электролитического осаждения. Спосоо изготовления матрицы запоминающего устройства, заключающийся в нанесении адресных и разрядных шин на металлизиро ванный с двух сторон диэлектрик методом фотолитографии, оплавлении диэлектрика в промежутках между шинами потоком горячего воздуха, металлизации и покрытии этих шин магнитным материалом с прямоугольной пет лей гистерезиса, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что,с целью повышения надежности матрицы, перед оплавленнем диэлектрика на торцы шин наносят слой неплавкого материала, например, методом электрофореза.
СмотретьЗаявка
1935007, 20.06.1973
ОРДЕНА ЛЕНИНА ИНСТИТУТ КИБЕРНЕТИКИ АН УКР. ССР
ОСТАПЕНКО ЮРИЙ ВАСИЛЬЕВИЧ, БУШИН ВИКТОР ВАСИЛЬЕВИЧ, НОВИК НИНА ДАНИЛОВНА
МПК / Метки
МПК: G11C 5/00
Метки: запоминающего, матрицы, устройства
Опубликовано: 05.07.1975
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-476598-sposob-izgotovleniya-matricy-zapominayushhego-ustrojjstva.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления матрицы запоминающего устройства</a>
Предыдущий патент: Кассета для магнитной ленты
Следующий патент: Способ нанесения числовых шин на поверхность магнитных цилиндрических пленок
Случайный патент: Способ ультразвуковой очистки ленточных изделий и устройство для его осуществления