Способ изготовления гибкого пленочного полуфабриката

Номер патента: 1019965

Опубликовано: 30.05.1991

Авторы: Кухта, Ормонт

МПК: H01L 21/263

Метки: адгезии, металлических, пленок, подложкам, тонких, увеличения

...золота толщиной 40 нм напыляют на кремний (материал наиболее широко применяеьвй втвердотельной электронике) маркиКЭФ 0,3, а затем различные ее участ-ки размером 200 х 200 мкмжд облучаотсяпучком электронов с энергией .25 кэВдо различных доз в диапазоне от10 до ОК/см . Диаметр элект 20 ронного пучка равен 2 мкм. Облучениеучастков размером 200 х 200 мкм ведется в режиме строчного сканирования, Ток пучка равен 210 А. Разогрев кремниевой подложки в месте25 падения пучка по расчету не превышает 1 К. Изменение адгезии, связанноес электронным облучением, измеряется широко известным методом царапания иглой. В измерениях применяетсяЗО стальная игла с радиусом острия30 мкм.Результаты измерений показывают,что резкое повышение адгезиив- 800 раз...

Номер патента: 355114

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Замотайлов, Лаврентьев, Лебедев

МПК: C03C 17/02, C03C 17/27

Метки: пленки, подложке, стеклянной

...пленок на подложке, заключающийся в смешении 5 с органическим растворителем стеклообразующих окислов, нанесении на подложку с последующим нагревом до температуры размягчения.С целью повышения качества покрытий 10 стеклообразующие компоненты используют в виде чистых элементов, которые перед напылением на подложку переводят в окислы в кислородной плазме.На чертеже показана схема нанесения по крытий.В корпусе 1 размещены по сфере к8, 4, в центре сферы находится подл Катоды выполнены из чистых элементов, например, РЬ, Я, окислы которых входят в состав стекла. При помощи ионизаторов 6 кислород ионизируется. Ионы кислорода бомбардируют катоды 2, 3, 4, взаимодействуют с распыляемыми с катодов атомами, образуя на подложке 5 стекло.Предмет...

Номер патента: 654154

Опубликовано: 25.03.1979

Авторы: Кай, Ян

МПК: B29C 27/04

Метки: пластмассовой, пленки, подложкой

...гранями и имеетв сечении форму трапеции,оЭлектрод 5 имеет наклон около 45 по отношению к пере мешаюшемуся покры тию 6(пластмассовой пленки), Электрод 4 представляет собой алюминиевчю трубу с заземлением. Подложка обозначена поз.7 и 8,Работа устройства заключается в К электроду 5 подвод м напряжением. Поско аземлен, то между ним создается поле высоко оздаюшее разряд. Вслед алок 4 вращается, электсопровождает валок приблизительно на половину его оборота, вследствие чего покрытие 6 получает окисленный поверхностный слой, облегчающий склеивание покрытия 6 с подложкой 7.При получении покрытия с окисленными слоями с обеих сторон электроды 4 и 5 должны располагаться с каждой стороны покрытия 6. Это желательно в том случае, если...

Номер патента: 729491

Опубликовано: 25.04.1980

Авторы: Боев, Дронов-Дувалджи, Иоффе, Стрелков

МПК: G01N 19/04

Метки: адгезионной, металлической, пленки, подложкой, прочности, сцепления

...в момент касания подложки, а об адгезионной прочности о разности температур нагрева и охлажСущность спосоа заключается в следующем.На подложку с металлической пленкой наносят одним из известных способов другую Ометаллическую пленку с меньшим козффициен.том линейного расптиретптя. Подложку с образо.вавшейся биметаллической пленкой нагреваютс одной ее стороны, создавая градиент темпе.ратуры по длине подложки. Из-за разности ко. зффициентов линейного расширения металличеких плевок при нагреве возникает изгибакяциймоментотрывающий конец пленки от подлож.ки. Измеряют температуру нагрева в моментотслоения биметаллической пленки от подложки, после чего подложку охлаждают до техпор, пока биметаллическая пленка не приметпервоначальное...

Номер патента: 1134574

Опубликовано: 15.01.1985

Авторы: Дичманене, Жвиронайте, Жукас, Каминскас

МПК: C08J 5/18, C08L 27/06

Метки: пасты, пленки, подложке, поливинилхлоридной, приготовления

...74 . 1Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к предлагаемому является способ приготовления поливинилхлоридной пасты для получения пленки на подложке сме" шением 39-55 мас.ч. полимера с 36- 50 мас.ч. пластификатора - кубового остаткапроизводства диметилтерефталата, вызреванием, введением 0,5- 10 мас.ч. дибутилфталата, 0,5-10 мас.ч. наполнителя и 0,5-5 мас.чстабилиза" тора 4.Недостатком этого способа является миграция пластификатора на поверхность получаемой пленки. Пластификатор - кубовый остатокпроизвод- - ства диметилтерефталата, в своем химсоставе содержит множество веществ, таких как диметилтерефталат, изофталат, Птолуиловый эфир, метилбензоат, которые и мигрируют на поверхность пленки. Миграция...