412672

Номер патента: 1575829

Опубликовано: 15.08.1994

Авторы: Алейникова, Сутырин, Хриткин

МПК: H01L 21/26

Метки: диэлектрических, линейных, пластинах, полупроводниковых, структур, субмикронных, формирования

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЛИНЕЙНЫХ СУБМИКРОННЫХ СТРУКТУР В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛАСТИНАХ, включающий нанесение маскирующего покрытия на поверхность пластины, создание окон в маске литографией и травление ленточным пучком ионов, большая ось поперечного сечения которого расположена перпендикулярно направлению перемещения пластин, отличающийся тем, что, с целью повышения точности изготовления структур за счет уменьшения бокового растравливания, пластины в процессе травления ориентируют так, чтобы линейные субмикронные структуры были расположены перпендикулярно большой оси поперечного сечения пучка.

Номер патента: 549287

Опубликовано: 05.03.1977

Авторы: Белеменко, Зубов, Ладыжанский, Панибратцев, Шейнкин

МПК: B23K 9/16

Метки: газов, дуговой, защитных, колебаниями, круговыми, мундштук, плавящимся, сварки, среде, токопроводящий, устройству, электрода, электродом

...с наконечником, последние интенсивно изнашиваются и подлежат частой замене,Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату является устройство для дуговой сварки, содержащее сварочную головку с вращающимсятокоподводящим мундштуком, имеющим корпус и канал для направления электроднойпроволоки. Сварочная головка имеет выносное газозащитное сопло, выходной каналкоторого направлен на вьшет электрода 3,Такое устройство обеспечивает качественнуюзащиту сварочной ванны и плавящегося электрода. Однако такое устройство не можетобеспечить высокое качество сварных соединений с узкой глубокой разделкой присварке способом фуглом назадф неповоротныхстыков,Целью изобретения является обеспечениевысокого качества сварных соединений...

Номер патента: 1022293

Опубликовано: 07.06.1983

Авторы: Баржин, Воробьева, Солодовник

МПК: H03H 9/15

Метки: пьезоэлектрический, резонатор

...,Ъ, гдеН: - ,Ч= д:1 о 11 о : 1 оЬ - переменная толщйна сечения пьезоэлемента;Ьо - максимальная толщина сече-ния пьезоэлемента;В - радиус кривизны торцовойповерхности пьезоэлемента,. О 4 рО 1". юс"д1 (/а - внутренний радиус кольце-.вого пьезоэлемента;Ь - внешний радиус кольцевогопьезоэлемента.Кроме того, кольцевой пьезоэле"мент выполнен с двумя противолежащими торцовыми поверхностями.На фиг, 1 изображен резонатор,общий вид 1 на Фиг. 2 - то же, профиль.Резонатор содержит баллон 1, коль- цевой пьезоэлемент 2, возбуждающие электроды 3 на поверхности пьезоэлемента 2, электроды 4 на внутренней поверхности баллона 1, элементы 5 крепления, клеммы б для подключения источника возбуждающего напряжения. Пьезоэлемент 2 может быть изго:товлен...

Номер патента: 1756729

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Волков, Киселев, Поливода

МПК: F16L 59/14

Метки: виде, многослойная, монолитной, структуры, теплогидроизоляция

...щенным дозатором. При контакте с ной дт пенопласта, термоизоляционнОго наружной поверхностью 5 суспензии или слоя 2 с толщиной дв и наружного 3 гидро жидкости типа пульпы сначала вызывают 1 Я изоляционного слоя с толщиной дс. Слой 3 унос поверхностной пленки, снаружи совыполнен из двух составляющих; внутрен- ставляющей части 5 до обнаружения зерен . ней 4 с большей толщиной д"с 5-15 мм, вабразива, Затем унос материала части 5 которую введен наполнитель из сйлик 4 Фов и " прекращается, так как твердость частиц абкальцитов (например, гранитная-и мрймор. - разива, противостоящего истирающему ная крошка), и наружной 5 с меньшей тол- действиюсуспензий, во много раз выше,чем щиной дВ 1-5 мм; в которую введеу . твердость частиц суспензий. прй...

Номер патента: 236656

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Колесова, Ларионов, Ройзин

МПК: H01L 29/44

Метки: полупроводниковый, прибор

...кристалла.11 а чертеже изображен транзистор с призматическим эмцттерным электродом.Прибор состоит из металлизированного слоя базового электрода, эмиттерного электро да 2 призматической формы, базового слоя п-типа 3 слаболсгицоваццого слоя коллектор р-тица 4, сильнолсгцрованного слоя коллектора р-тцпа 5 и металлистеской подложки 6.В этом приборе пассивная область эмиттера бол ие активной, что удобно для присоединения выводов и обеспечивает малое сопротивление при протекании электрического тока вдоль эмцттера.Эмиттер служит маской при нанесении слоя металла на 1 оверхцость эмиттера и базы, что сбеспе ц 1 вает электрическое разъединение их контактов, позволяя расположить металлизированньй оазовь 1 Й ,опта,т близко к ативноЙ области...