H01L 29/44 — H01L 29/44

Номер патента: 236656

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Колесова, Ларионов, Ройзин

МПК: H01L 29/44

Метки: полупроводниковый, прибор

...кристалла.11 а чертеже изображен транзистор с призматическим эмцттерным электродом.Прибор состоит из металлизированного слоя базового электрода, эмиттерного электро да 2 призматической формы, базового слоя п-типа 3 слаболсгицоваццого слоя коллектор р-тица 4, сильнолсгцрованного слоя коллектора р-тцпа 5 и металлистеской подложки 6.В этом приборе пассивная область эмиттера бол ие активной, что удобно для присоединения выводов и обеспечивает малое сопротивление при протекании электрического тока вдоль эмцттера.Эмиттер служит маской при нанесении слоя металла на 1 оверхцость эмиттера и базы, что сбеспе ц 1 вает электрическое разъединение их контактов, позволяя расположить металлизированньй оазовь 1 Й ,опта,т близко к ативноЙ области...

Номер патента: 633396

Опубликовано: 05.10.1979

Автор: Рывкин

МПК: H01L 29/44

Метки: полупроводниковый, прибор

...так как отклонение от линейностивольт.амперной характеристики оказывается су.щественно различньм даже для контактов, из.готовленных в более или менее одинаковых условйях, из-за того, что процессы диффузии или 2 агрубой шлифовки, с помощью которьзх Вводятся Дефекпя и примеси В нриконтактную Область,ие обеспечивают достаточной воспроизводимостирезультатов.Цель изобретения - увеличение допустимого 25рабочего напряжетви и тока при одновременномулучшешщ воспроизводимости этих параметров,Поставленная цель достигается тем, что оми.ческий контакт выполнен в Виде чередуюпщхсяобластей п - и р типа проводимости, электри. 30чески замкнутых между собой, причем расстояние между ними и, по крайней мере, один изразмеров каждой области меньше...