Полупроводниковый прибор
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
Воесоюзнз. лЯйтенто-т библиотека й 11 эд О П И С А Н И Е 236656ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республикавт. свидетельства М966 ( 1109595/26-25)1 ем заявки М висимос 2 1 о,Заявлено п исоеди н Комитет по делам зооретений и открытМПК Н 011 Приорите при Совете Министре СССР969. Бюллетень .че Опубликовано Дата опубликования описания 6 Л 1. ЛвторыЦЗООРЕТШИ 5. Колесов йзин арионов, Н аявител ВЪЙ ПРИБО ПОЛУПРОВОД Микроминиатюрцзация электронных схем, улучшение ряда электрических характеристик полупроводниковых приборов требуют выполнения цх активных областей возможно меньших геометрических размеров, что затрудняет присоедш 1 ение электрических выводов. Такие нее трудности возникают в случае необходимости изготовления электродов полупроводниковых приборов в виде полосовых структур весьма малой ширины.1Известны конструкции полупроводниковых планарных приборов. В них пассивная площадь электродов превышает активную, но это достигается при использовании слоев различных материалов (диэлектрических и хеталли ческих слоев). При этом чтобы получить малую активную область, используют тонкий диэлектрический слой, что приводит к большой паразитной емкости.Сущность изобретения заключается в вы полнении монокристаллических электродов в форме прямой трехгранной призмы, две боковые грани которой ориентированы в плоскостях типа (111), а одна - в плоскости (110), и частично или полностью утоплены в тело 2 кристалла.11 а чертеже изображен транзистор с призматическим эмцттерным электродом.Прибор состоит из металлизированного слоя базового электрода, эмиттерного электро да 2 призматической формы, базового слоя п-типа 3 слаболсгицоваццого слоя коллектор р-тица 4, сильнолсгцрованного слоя коллектора р-тцпа 5 и металлистеской подложки 6.В этом приборе пассивная область эмиттера бол ие активной, что удобно для присоединения выводов и обеспечивает малое сопротивление при протекании электрического тока вдоль эмцттера.Эмиттер служит маской при нанесении слоя металла на 1 оверхцость эмиттера и базы, что сбеспе ц 1 вает электрическое разъединение их контактов, позволяя расположить металлизированньй оазовь 1 Й ,опта,т близко к ативноЙ области прцбора. При этом ширина грани эхиттерного эле 1 трода может их 1 еть хииимальные размеры порядка 10 - скВозможно От 1 лоисние Ооковых грансЙ эх 1 цттера в активной области от плоскостей (111) порядка атомных размеров.Электрод призм ати 1 ескОЙ формы может Оыть легирован несколькизи Электрически активными примесями, которые распределены в нем равномерно и отсутствуют в основном кристалле.Таким образом, р-и переход на границе эмцттер-база может быть редким.Призматический эмиттерцый электрод удобен, так как ширина его рабочей части может быть значительно меньше, чем ширина верх236656 Предмет изобретения диктор Б. Федотов Тскрсд Л. Я, Левина Корректор Г. И. Плешаков Тира)к 480 1 отн)испоо)итста по делам изобретений и открытии при Совете Министров СССРМосква, 11 сптр, пр. Серова, д. 4 Заказ 1149 уЦ)1111 ПИ типографии, пр. Сапунова, 2 ней )асти электрода, к которому присоедип 51.ЕТСЯ ЭЛЕКтРнт)ЕСКИЙ ВЫВОД. Полупроводниковый прибор, состоящий нз полупроводникового кристалла с решеткой типа алмаза и монокрнстялли)еского электрода, имеющего общую кристаллическую решетку с кристаллом, от.)ииающиися тем, что, с целью улучиения электрически: и мекаиическик характеристик, по крайней мере один нз электродов выполнен в форме прямой трехгранной 5 г)1 эизм)э, две гряни К 010 рой леткят В плоскост 51:; типа (111) Я одна - и плос)ости (110), причем боковые грани электрода полностью и.н 1 части н)0 утоплен в тело полуп 130 водникового кристалла,
СмотретьЗаявка
1109595
И. Н. Ларионов, Н. ЛА. Ройзин, А. Г. Колесова
МПК / Метки
МПК: H01L 29/44
Метки: полупроводниковый, прибор
Опубликовано: 01.01.1969
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-236656-poluprovodnikovyjj-pribor.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковый прибор</a>
Способ измерения ширины запрещенной зоны полупроводникового варизонного слоя
Номер патента: 938218
Опубликовано: 23.06.1982
Автор: Каваляускас
МПК: H01L 21/66
Метки: варизонного, запрещенной, зоны, полупроводникового, слоя, ширины
...неточны или весьмасложны.Устройство для реализации предлагаемого способа (фиг. 4) содержит мо нохронометр 1,оптический криостат 2,фотоприемник 3, селективный усилительсинхронный детектор 5, самописец 6.Устройство работает следующим образом, зюВ оптический криостат 2 помещают исследуемый образец и охлаждают до . температуры близкой к 77 К. Узкий пучок монохроматического излучения модулируют по длине волны с частотойЗ 5 Я. при помощи кварцевой пластинки, установленной перед выходной щелью монохроматора 1, и направляют на узко- зонную сторону варизонного слоя под углом близким к нормальному (1 О ) . Отражение от слоя излучения направляют на фотоприемник 3, сигнал от которого усиливают селективным усилителем 4, настроенным на...
Параметрический преобразователь электрического поля
Номер патента: 907469
Опубликовано: 23.02.1982
Авторы: Еремшин, Селятицкий, Сыпко
МПК: G01R 29/12
Метки: параметрический, поля, электрического
...И сопротивление двойного слоя могут меняться в значительныхпределах. Для некоторых металлов (например, никеля, титана, платины) изменение сопротивления перехода достигает нескольких порядков.Работа данного параметрического преобразователя электрического поки мгновенная поляризация металлической мембраны 2, которая в случае невысокой частоты и малых значений амплитуды исследуемого сигнала выполняет роль изолирующей перегородки с последовательным включением сопротивлений двух переходов металл среда общим значением около 100 ком для никелевой мембраны. Ток но внутреннем пространстве диэлектрического корпуса 1 отсутствует и потенциалы КА иК 6 распространяются во всем объеме полостей А и В соответственно,Периодически с частотой ир...
Модулятор ширины импульсов для полупроводниковых усилителей
Номер патента: 136440
Опубликовано: 01.01.1961
Автор: Веденеев
МПК: H02M 1/04
Метки: импульсов, модулятор, полупроводниковых, усилителей, ширины
...на кремниевых стабилитронах СТ, и СТ 2, питающегося через сопротивление Р, от напряжения переменного тока объекта регулирования, и интегрирующей РС-цепочки, содержащей активное сопротивление Р и конденсатор С. Для управления величиной постоянной составляющей выходного напряжения пилообразной формы часть сопротивления Р интегрирующей цепочки шунтируется через диод О, который позволяет получить разные постоянные времени заряда и разряда конденсатора С.Если движок сопротивления тт, установлен в среднем положени 1, то на конденсаторе С возникает двухстороннее пилообразное напряжение. При передвижении движка вправо от среднего положения (показано на чертеже сплошными линиями) заряд конденсатора происходит быстрее, чем разряд, и...
Способ исследования межфазного слоя на границе твердого электрода с раствором
Номер патента: 268746
Опубликовано: 01.01.1970
Автор: Гохштейн
МПК: G01N 27/416
Метки: границе, исследования, межфазного, раствором, слоя, твердого, электрода
...одно ограничение - она должна быть меньше времени срабатывания потенциостата,Измерения проводятся на электроде в виде ленты фольги, один конец которой закреплен, а второй соединен с вибратором. Сила нредварительного растяжения фольги устаназливается такой, чтобы она была больше амплитуды переменной силы, создаваемой вибратором, и в сумме с амплитудой - меньше уровня, соответствующему пределу упругости материала электрода. Может быть использован также электрод в виде пластины, подвергаемой периодическому сжатию.На чертеже дана осциллограмма, полученная предлагаемым способом в режиме заряда электрода О для Рг в 1 н. Н 504.На оси ординат - амплитуда колебаний потенциала Лр, на оси абсцисс - средний потенциал электрода ср . Условия опыта -...
Электрод для микросварки
Номер патента: 893460
Опубликовано: 30.12.1981
Авторы: Белявский, Беляков, Рыдзевский, Чапланов
МПК: B23K 11/24
Метки: микросварки, электрод
...пленка 8 и часть контактных дсрожек, которые находятся под наконечником 5, защищены слоем 5 диэлектрика 11, Шины 2 и 3 корпуса 1 соединены с импульсным блоком 12, а контактные дорожки 9 и 10 - с источ" яиком 13 тока.Электрод н процессе производства 26 сварного соединения изолированной:.эмалью проволоки работает следующим- образом.В исходном состоянии, когда электрод не касается изолированной прово- д доки 14, с источника 13 тока на иаг ренательную пленку 8 через контактные дорожки 9 и 10 поступает ток и нагре вает торец электрода до температуры (зависимость а) ныгорания эмалевой изоляции 200-300 С. Нри сжатии нагре тыми наконечниками 4 и 5 эмаль на поверхности привариваемой проволоки 14 выгорает, а ьйзжду проволокой 14 и...
Предыдущий патент: Выпрямительный блок
Следующий патент: Способ легирования области кристалла полупроводника
Случайный патент: Устройство для маркировки движущихся изделий