Способ электролитического осаждения сплава на основе индия

Номер патента: 396432

Автор: Авторы

ZIP архив

Текст

О П И С А Н И Е 396432ИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик Зависимое от авт, свидетельстваЛ 1. Кл. С 23 Ь 5/32 Заявлено 05 Х,1971 (ЛЪ 1654257,22-1)с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 29 Х 111.1973, Бюллетень36Дата опубликования описания 22.1.1974 1 асударственный комитет Совета Министров СССР по делом изооретений и открытийУДК 621,357,7:669.747872 (088.8) Лвторыизобретения М, А, Шлугер и Е. Г, Чмыхало Московский вечерний металлургический институтЗаявитель СПОСОБ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ СПЛАВА НА ОСНОВЕ ИНДИЯ1Изооретение относится х области гальванических покрытий, в частности к электролитическому осажденшо сплава на основе индия.Известен электролитический способ осаждения силаева на основе индия из электролита,содержащего соль индия.Предлагаемый способ отличается тем, чтос целью получения качественных осадковсплава индий - марганец в электролит вводятсернокислые соли марганца, аммония, трплоп Б при следующем соотношении компоненто,в, г/л:Сернокислый индий (в пересчетена металл) 2 - 15Сернокислый марганец 16 - 140Трилон Б 50 - 80Сернокислый аммоний 100 в 1и процесс ведут при рН 3,5 - 6, температуре18 - 25 С, плотности тока 0,5 - 3 адм.Изменяя соотношение компонентов электролита и плотность тока, получают сплав ссодержанием от 25 до 63% марганца при выходе по току более 60%. С уменьшением соотношения индия к марганцу,в электролите увеличивается процент содержания марганца всплаве,Пример 1. Из электролита, содержащего, г/л:Сернокислый индий (в пересчетена металл) 7,5 Сернокислый марганец 16 Сернокислый аммоний 100 Трилон Б 50при рН 3,5 - 6, комнатной температуре и плотности тока 1 а,дм- получают сплав с содер жанием 39% марганца.П р и м е р 2. Из электролита, содержащго, г/л:Сернокислый индий (в пересчетена металл) ,5 10 Сернокислый марганец 110Сернокислый аммопий 100Трилон Б 60при рН 3,5 - 6, комнатной температуре и плот ности тока 1 адм получают сплав с содер жанием 60% марганца и 40% индия. Предмет изобретенияСпособ электролптцческого осаждения сплава на основе индия пз электролита, содержа щего соль индия, отличаюирися тем, что, сцелью получения качсственпых осадков сплава индии в марган,в электролит вводят сернокислые соли марганца, аммония, трилон Б, при следующем соотношении компонен тов, г/л:Сернокислый индий (в пересчетена металл) 2 - 15Серпокпслый марганец 16 - 140 Трилон Б 50 - 80 30 Сернокислый аммоний 100 в 1и процесс ведут при рН 3;5 - 6,. температуре 18 - 25 С, плотности тока 0,5 - 3 а,дм-.

Смотреть

Заявка

1654257

М. А. Шлугер, Е. Г. Чмыхало Московский вечерний металлургический институт

Авторы изобретени

МПК / Метки

МПК: C25D 3/56

Метки: индия, осаждения, основе, сплава, электролитического

Опубликовано: 01.01.1973

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-396432-sposob-ehlektroliticheskogo-osazhdeniya-splava-na-osnove-indiya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ электролитического осаждения сплава на основе индия</a>

Похожие патенты