352258
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 352258
Авторы: Всесоюзный, Швейцер, Яксон
Текст
ф "е(в,ф " , улици с, ,е ф ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯд ф" Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельства М 1 с. О 6 зт 506 Заявлено 31.Х.1969 ( 1373410/28-12) с присоединением заявки М Приоритет Ковтитет по делам изобретений и открытий при Совете Линитров СССР0 п б 1;(Овац.) 21.1 Х,1972, 1 юл.с ген 28 У и 1 777.32088.8 Дата опублш(огацця опцсацця 11.Х.1972 Авторыизобретения К. Р. Янсон и Е, И, Явейцер Заявитель Всесоюзньй научно-исследовательский институт комплексных проблем полиграфииСПОСОБ ИЗГОТОВЛЕН И)1 КОИТАКТИ ЫХ РАСТРОВ По известному способу изготовления контактных растров на фотографический слой, установленный за проекционным растром, экспонируют фигурцую маску, установленную перед проекционным растром и содержащую две группы диафрагм. Каждая из групп предназначена для образования на фотослое половины обцсго количества световых оптических элементов. Затем производят обработку экспонироваццой пленки, например, с применением фотографического обращения.Цель изобретения - улучшение качества получаемых растров достигается тем, что фигурную маску перед экспонированием закрывают светофильтром с оптической плотностью от 0,04 до 0,3 так, чтобы во время экспоццровация свет полностью проходил через одну группу диафрагм и частично задср)кивался светофильтром при прохождении через другую группу диафрагм.Сущность способа заключается в следующем.Вместо объектива фоторепродукццопного аппарата помещают фигурную маску, состоящую из системы отверстий, выполненных в виде систематически расположенных диафрагм. Первая группа диафрагм расположена так, что центр каждой диафрагмы соответствует центру прозрачного окошечка крссто. образного проекционного растра, используеЫОГО прц съе.ке. Вторая Группа дцяфряГы рясголожсня так, что цсцт 1) каждой дцяфряГ- )гь соответствует цс)тру пересечения непрозрачных лишш проекционного растра. Во 5 время экспонцровапгя орипнала-маски впроходяцс) свете через нейтрально-серый светоф;льтр на фотослой, находящийся за проскцпоццы)п растром, образуется скрытое цзображснце (о;Та(Тного растра, 1 гесущее 10 двойную структуру растровых элементов, образовашую от двух групп д;афрагм. После химико-Аотографцчсско Обработки образуется впдцмос цзобра)ксццс контяктцОГО растра с двойной структурой. Такой растр рекомен;1 уется грцмецять прц изготовлении форм дляролевых офсетных машин, печатающих ца б)маге пониженного качсства. На Оттисках, полученных с этих форм, лц 1 гиатура растра в свстлых ц тс)ньх уЯстках цзоб 1 Яжсння в 20 1,41 раза шжс, чем в полутонах. П р и м е р, Фигурную маску из системыкруглых диафрагм двух видов диаметром 40 лг,г экспошгровалц на фотопленку ФТ25 в течение 40 сек прц освещенности матовогостекла кассеты 60 лк, Во время экспонирования испольэовали опцгццальный проекционный автотцпный растр с лцпиатурой 60,гин/слт ц нейтрально-серый светофильтр с оптической 30 плотностью 0,08. Растровое расстояние 5,0 ллв
СмотретьЗаявка
1373410
К. Р. Яксон, Е. И. Швейцер, Всесоюзный научно исследовательский институт комплексных проблем полиграфии
МПК / Метки
МПК: G03F 5/06
Метки: 352258
Опубликовано: 01.01.1972
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-352258-352258.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">352258</a>
Предыдущий патент: Способ удаления фоторезистного покрытия
Следующий патент: Способ проявления скрытых магнитных изображений
Случайный патент: Устройство для моделирования обтекания тел вблизи волновой поверхности