Позитивный фоторезист
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 332413
Авторы: Макаров, Мартыненко, Никольский
Текст
Союз Советских Социалистических РеспубликЗависимое от авт. свидетельстваМ, Кл, б 03 с 168 Заявлено 05.Ч 1,1970 ( 1445813/23-4) присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 14 111,1972. Бюллетень10 Дата опубликования описания 20.1 Ч.1972 Комитет по делам зобретений и открытий при Совете Министров СССР771.534.1(088.8 Авторытзобрете П. Мартыненко, Н, В, Макаров и В. Г. Никольский явитель ЗИТИВНЫЙ фОТОРЕЗИС бензофенон вдерживают впри 20 - 30 Спонентов.5 Затем при красном свете в коаксиальныйконденсатор вертикальной центрифуги, вращающейся со скоростью 1500 об(мин, помещают пластину из кремния, на которую по оси вращения при включенной центрифуге 10 наносят одну каплю ( 0,3 см) приготовлснного раствора.Далее пластину с пленкой фоторезиста внесколько микрон сушат 30 мин при 100 С в темном муфеле с вытяжной вентиляцией.15 Светочувствительное покрытие пластиныэкспонируют нефильтрованным светом лампы ДРМв течение 3 сек, проявляют в 2%-ном водном растворе тринатрийфосфата при красном свете и фиксируют в течение 20 1 час при 125 С в темном муфсле с вытяжнойвентиляцией. Пр Позитивныи 25 хинондиазида,и растворите целью повыш ции фотолиза ной добавки 30 фенона.Изобретение относится к области фотолитографии и может быть использовано в микрорадиоэлектронике, полиграфической, фотографической и кинематографической промышленности.Известен фоторезист на основе полиэтилена, светочувствительной добавки - бензофенона и растворителя. Позитивные фоторезисты на основе нафтохинондиазида обладают достаточной чувствительностью при контактном экспонировании, а в случае проекционного экспонирования их чувствитсльность оказывается недостаточной.Цель изобретения - повышение квантового выхода реакции фотолиза позитивных фоторезистов на основе 1-нафто-диазо-сульфохлорида.Эта цель достигается тем, что в качестве сенсибилизаторов фоторезистных слоев на основе 1-нафто-диазо-сульфохлорида применяют производные бензофенонового ряда, замещенные окси- и галоидгруппой, например 4,4-диоксибензофенон, трийод,3,4-оксибензофенон, 4-метокси-оксибензофенон, трибром,3,4,4-оксибензофенон, дибром,4-оксибензофенон, добавляемые в растворы позитивного фоторезиста в концентрации 10 - - - 10моль/л.П р и м е р. В раствор композиции позитивного фоторезиста вводят трийод,3,4,4-оксиконцентрации 10- моль/л вы. темноте в течение двух суток для полного растворения коммет изооретенияфоторезист на основе нафто- светочувствительной добавки я, отличающийся тем, что, с ния квантового выхода реакв качестве светочувствительрименяют производное бензо
СмотретьЗаявка
1445813
А. П. Мартыненко, Н. В. Макаров, В. Г. Никольский
МПК / Метки
МПК: G03C 1/68
Метки: позитивный, фоторезист
Опубликовано: 01.01.1972
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-332413-pozitivnyjj-fotorezist.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Позитивный фоторезист</a>
Предыдущий патент: Устройство для сворачивания экрана
Следующий патент: Способ трансформации масштаба изображенияпо строке
Случайный патент: Устройство для контроля целостности режущего инструмента