Магнитный материал

Номер патента: 205372

Опубликовано: 01.01.1967

Автор: Август

МПК: G01R 33/12

Метки: анизотропии, магнитных, пленок, поля, тонких

...значения к текущему измеряют мгновенное значение результирующего поля вдоль оси легкого намагничивания,В качестве входной величины при измерении предлагаемым способом используется амплитуда составляющей индукции пленки, направленной вдоль трудной оси. Эта величина пропорциональна з 1 пО, где О - угол между направлением намагниченности и легкой осью. Так как поле, приложенное вдоль трудной оси, мало,тох(0) =Аз 1 пб=СН,з 1 пМ где:Н, - амплитуда поля, приложенного вдольтрудной оси;ш - частота этого поля; ное значение поля Нс= й и, в частности, при и= ный способ основан на том, ч ии намагничивания смещением" ( - .) в 1 п 6, сов 6, яп 6 = - з 1 п 8,.1Л Составитель В. М. ЩегловТехред Т. П, Курилко Корректор М. П. Ромашова Редактор...

Номер патента: 504555

Опубликовано: 28.02.1976

Авторы: Верт, Гуданис, Липец

МПК: B01J 23/652, C25B 1/02

Метки: водорода, вольфрама, ионизации, катализатор, окислов, основе, платинированных

...навеску Нг%04 пропитывают раствором Н 9 Р 1 Со из расчета 1,0 - 0,1% платины от веса окисла. Полученную в результате пропитки пасту сушат при 100 С и прокали вают в трубчатой печи при 400 - 700 С в те-,чение 3 - 4 час в токе водорода, причем в первую очередь восстанавливается платина, а затем - вольфрамовая кислота, По этой методике синтезируют окислы 1 ЧОьт, %0 г,зо, 15 %0 г,воо, %0 г,оо с содержанием платины 0,1/о иокисел 1 ЧОг,о с содержанием платины 1%, Из этих окислов готовят электроды, подбирая в каждом случае оптимальное количество гидрофобизатора ФД. Содержание окисла ЧО 20 составляет 10 мг/см поверхности электрода.Смесь катализатора, гидрофобизатора ипорообразователя (ХН 4) 2 СО, напрессовывают на графито-фторопластовую...

Номер патента: 746362

Опубликовано: 05.07.1980

Авторы: Мельников, Смаль

МПК: G01R 33/12

Метки: анизотропии, магнитных, напряженности, пленок, поля, тонких

...Гельмгольца," З 5подключено к выходу генератора 12 прямоугольных импульсов, связанного также со вторым входом блока 7 переключения и через интегрирующий блок 13 свычислительным блоком 9. 4 ОРаботает устройство следующим образом.Тонкую ферромагнитную пленку 14 перемагничивают полем проводника 2 с то.ком от звукового генератора 3. Величи "йу тока звукового генератора выбираюттакай, чтобы магнитное поле, создаваемое этим током, было достаточно для ,поворота вектора намагниченности наугол до ЗОО . Сигнал потока переключе Ония с выхода датчика 4 поступает визбирательный усилитель 5 и детекторб, с выхода которого снимается йостоянное напряжение, пропорциональное амплитуде второй гармойикМсйгналапотока переключения пленки.Общее...

Номер патента: 207261

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Торотенков

МПК: G01R 33/12

Метки: анизотропией, анизотропии, магнитных, одноосной, пленок, поля, тонких

...поля определяют анизотропию исследуемой пленки.С целью пояснения описываемого способа на чертеже приведена схема устрой:тва для его осуществления.При измерении поля анизотропии вдоль оси легкого намагничивания создают импульсное магнитное поле, меняющееся по знаку, Импульсы магнитного поля должны иметь длиочную для перемагничиватной пленки из насыщенного м направлении в насыщен- противоположном направле207261 Составитель В. Агапов 2 ЬлгОои Типография, пр. Сапунова При дальнейшем увеличении постоянного поля по оси трудного намагничивания вид сигналов с тонкой магнитной пленки принципиально не меняется, уменьшается лишь их площадь и амплитуда за счет меныпего отклонения намагниченности от о и трудного намагничивания импульсами поля по...

Номер патента: 484530

Опубликовано: 15.09.1975

Авторы: Прокофьева, Пылинина, Шахтарин

МПК: G06G 7/48

Метки: магнитном, моделирования, поле, постоянном, сверхпроводящих, экранов

...с высокой электропроводностью, аналогичные поформе сверхпроводящим, помещают в магнитцое поле высокой частоты,Существо предложения заключается в следующем.В переменное магнитное поле высокой частоты, создаваемое магнитом с обычной, на зпример, медной обмоткой, помещают экраныиз немагнитного, например из меди, материала с высокой электропроводностью. Измеряявеличину напряженности переменного магнитного поля в рабочем объеме, получают в от носительных едцшщах распределение напряженности магнитного поля в сверхпроводящих магнитных системах со сверхпроводящими экрацамц. Эксперимент можно проводить при любой, в частности прц комнатной, температуре, Форму ц размеры экранов из немагнцтцого материала с высокой электропроводностью при нормальной...