231762

Номер патента: 305524

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Аси, Тоомсоо

МПК: G01R 29/00, H01L 21/00

Метки: перехода, полупроводникового, прибора, температуры, электроннодырочного

...напряжения.Цель настоящего изобретения зв повышении точности измерения.Это достигается применениемтемпературно-чувствительного пара пературцой завцсимостц напряжения лавицообразовакня в обратном направлении.Предлагаемый способ осуществляется следующим образом, Через тцристор цлц вентиль5 пропускают в обратном направлении измерительный обратный ток определенной величиныц измеряют обратное напряжение на тиристоре цли вентиле.Температуру полупроводниковой структуры10 определяют по заранее известной температурной зависимости напряжения в лавинном пробое,Величина измерительного обратного токасоответствует режиму лавинного пробоя, но15 достаточно мала, чтобы не вызвала значительного дополнительного нагрева полупроводниковой...

Номер патента: 19362

Опубликовано: 28.02.1931

Автор: Сац

МПК: G01G 1/36, G01G 23/22

Метки: весы, взвешиваемого, предмета, указанием, цены

...20, а вдоль движная гиря 12, расЧашка 1 вается в р рычага, им ромысла 7 мысла 8 д коромысла весов ычаг 4 еющего и 8 и вижетс 7 - пер или посуды покупателя,входит в стоимость товарТабл ица 10 представляетрешетку, при чем в каждоном и вертикальном рядстрают в арифметическ ес которои н собой цифровуюм горизонтальу цифры возрай прогрессиинапример (нестроки):10010123 считая первой заглавной 200 300 400 г20 30 4022 33 4424 Зб 482 б 39 52. Верхняя строка таблицы показывает вес взвешиваемых товаров в граммах, остальные строки означают стоимость этих товаров в копейках. Если перед взвешиванием, двигая указательную стрелку 11 по первой вертикальной строке, установить ее против цифры, означающей стоимость ста грамм данного товара (например, 12...

Номер патента: 150939

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Алешков, Сахаров, Юдович

МПК: G01N 13/00

Метки: нагрузкой, находящихся, перехода, полупроводниковых, приборов, температуры, электронно-дырочного

...перехода и состоит из: генератора 5 импульсов, импульсного осциллографа б и устройства 7, включающего делитель, ограничитель и переключатель.Прерыватель т синхронизован с трансформатором таким образом,что он пропускает ток в прямой полупериод и разрывает силовую цепьпри прохождении прямого тока через нуль, обесточивая ис ледуемыйвентиль 1 в течение всего обратного полупериода,С трансформатором 2 синхронизован также генератор 5 импульсовЗапуск его происходит по истечении некоторого времени после р ррмат бум УОХ 08/1 ирак150иий и открытий и.1 оГ1 о . иЛак 102 11,ЯИ изд. с 4 кои ГХСР о и.и и ки, 11 ирииа 1 ни 1 ка 14 п(ни 51 прохождения )рямого тока через вентиль т с тем, чтобы Б иссл(.- дуемом приооре закончились переходные...

Номер патента: 682971

Опубликовано: 30.08.1979

Авторы: Абрамович, Либер, Сакович

МПК: H01L 23/48

Метки: полупроводниковый, прибор, силовой

...фиксирующие бандажи 31 и 32.Изолирующий стакан 26 фиксируется в заданном положении пружинными планками 33 и 34. Токоподводящпе фланцы 29 и 30 скреплены с крепежными фланцами 35 и 36, образующими жесткую конструкцию с изолятором 37, выполненным, например, цз стекла. Электрод управления 22 структуры 1 соединен изолированным проводом 23 с выводом 24,Крепежные и токоподводящце фланцы 35, 36 ц 29, 30 соединяются механически болтами или сваркой с системой токоподвода и охлаждения или, в случае последовательного соединения, с аналогичньтттт деталями других приборов.В качестве теплоотводя щей жидкости здесь используется дистиллированная децонизированная вода. Вода поступает через отверстия токоподводящего фланца 29, направляется конусом 27...

Номер патента: 1132732

Опубликовано: 27.10.1995

Авторы: Анисимов, Годик, Матвеев

МПК: H01L 21/314

Метки: защиты, полупроводниковых, приборов

1. СПОСОБ ЗАЩИТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, содержащий нанесение слоев фосфорно-силикатного стекла и поликристаллического кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и эффективности защиты от ионов щелочных металлов, после нанесения поликристаллического кремния структуру подвергают термообработке в окислительной среде, содержащей пары фосфора, затем наносят второй слой поликристаллического кремния, который уплотняют термообработкой в окислительной среде.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что термообработку слоем поликристаллического кремния ведут при температуре 1273 1373 К.3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что содержание паров фосфора в окислительной среде составляет 0,1 0,2