Способ очистки водорода от низкокипящих компонентов

Номер патента: 388406

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Иностранец

МПК: C07D 239/82

Метки: 10где, алкил, алкоксигруппа, атом, атомами, атомгалогена, водорода, галогена, гидроксильная, групла, группа, низшая, низший, трифторметильная, углерода, •-14

...количествосм 4-(о-хлорфенил) -6-хлорН-хиназолинон-(2) диметилацетамида и натрийметоксида, получают 1-метил-(о-хлорфенил) -б-хлор 1 Н-хиназолинон-(2) с т. пл. 191 - 194 С.П р и м е р. 4. 6-Хлор-этил-фенилН-хиназолинон-(2),1,5 г гидрида натрия (50% -ная суспензия вминеральном масле) добавляют к горячемураствору 5,2 г 6-хлор-фенилН-хиназолицон-(2) в 200 1 сл диметилформамида. Полученную смесь, содержащую соединение натрия б-хлор-фенилН-хиназолинон- (2), перемешивают в течение 15 мсси при комнатнойтемпературе и затем прибавляют 100 мл этилйодида, После этого перемешивают в течение20 час при 60 С, упаривают в вакууме, причемудаляют почти весь растворитель и остатоквыливают на 100 г льда. Выпадающий твердый осадок отфильтровывают,...

Номер патента: 542721

Опубликовано: 15.01.1977

Авторы: Аверьянова, Алексеев, Журавлев, Куриго, Назаров, Пестов, Скакун

МПК: C01B 2/14

Метки: водорода, газа, одновременного, оксосинтеза

...для оксосицтеза.Предлагаемый спосоо позволяет исключитьстадию паровой конверсии и снизить расход сырья ца 12 - 20 Ъ иа единицу углерода.и П р и м е р. 1000 им углеводородного газа,например этановой фракции, смешивают с 500 цм водяного пара и с 100 юг двуокиси углерода и направляют при 450 в 5 С и 15 атм на каталитическую конверсию в трубз чатую печь, из которой выходит 7780 им" коцвертированцого газа, нагретого до 850 в 8 С, следующего состава, Ю 0. СО 13,92; СО 23,35; Н. 61,45; СН 1,28, Затем конвертированный газ подвергают поташцой очистке от двуокиси 0 углерода в аосорбере при 82 С. Выделенные1000 нма двуокиси углерода после регенерации абсорбента сжимают в компрессоре до давления 15 атм и направляот ца смешение с этановой фракцией,...

Номер патента: 67828

Опубликовано: 01.01.1947

Автор: Львов

МПК: G01N 25/20

Метки: водорода, газах, газоанализатор, содержания, электрический

...2) в виде блока 1, в котором образованны камеры 2 для помещения сопротивлений й и й мостика Уитстона, омываемых исследуемым газом, и камеры 3 для помещения сопротивлений Й и Яз мостика, находящихся в эталонном газе, Сопротивления И, и Рз помещены в камерах 3 в герметически закрытых газонепроницаемых трубках 4, омываемых для уменьшения инерционности газоанализатора исследуемым газом, а сопротивления Яг и Й помещены в открытых трубках 5. Камеры 2 соединены с выводными, каналами б, имеющими такой диаметр, чтобы обеспечивался в требуемый промежуток времени заход в них анализируемого газа путем диффузии, без принудительного его прокачивания.Блок-приемник снабжен съемным фильтром 7 с натронной известью,через который анализируемый газ...

Номер патента: 194063

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Зеле, Лысенко, Плюснин, Якунина

МПК: C01B 7/19

Метки: водорода, газов, извлечения, фтористого

...изобретен Способ извлечения фтористого водорода изгазов путем поглощения его поглотителем с 0 последующим выделением фтористого водорода из комплексного соединения при повышенной температуре, от,гичающиигя тем, что, с целью полного извлечения фтористого водорода из газов, поглощение проводят раствором 5 фенола в органическом растворителе при 10 -40 С, а выделение фторнстого водорода из полученного комплексного соединения осуществляют при температуре около 100 - 150 С. Авторыизобретения А. П. Лысенко, 8. Г. Плюсн Способ извлечения фтористого водорода нз газов, например путем поглощения его фторндом натрия при температуре около 100 С, известен. Образующийся при этом бифторид разлагают при 250 С с выделением фтористого водорода.С целью...

Номер патента: 453623

Опубликовано: 15.12.1974

МПК: G01N 25/38

Метки: водородав, высокойупругостью, компоненты, концентрации, пара, содержащих, сплавах

...полноты зкстракции и производительности процесса по предлагаемому 1 способу перед размещением образца сплава в вакуумную аппаратуру на его поверхность наносят тонкую пленку чистого алюминия.Способ реализуют, например, следующим образом. 1Образцы алюминиевого сгглава покрывают пленкой чистого алюминия путем кратковременного погружения образцов сплава в рас. плав чистого алюминия.Затем образцы загружают в вапаратуру, нагревают в вакууме масс-спделившПреистоитобразцкает ворошо п ом количество вод бразца.предлагаемого сп нанесенный на по стого алюминия н колетучих компонс водород. ектромстр егося из о мущсство в том, что а слой чи згоны лег ропускает рода, вы. особа со верхносгь е пропус нтов и хо дм ет и зоб и Спосоо определенияда в...