Связующее для электролюминесцентных конденсаторов

Номер патента: 373038

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вител, Гусев, Нефтепереработке, Нефтехимии, Ухалов, Хлудов

МПК: B08B 3/08, B08B 9/08, B08B 9/093

Метки: внутренней, емкости, замкнутой, отложения, поверхности, полимера, слоя

...тем, что слой полимера и поверхность емкости одновременно обрабатывают инертным газом и перегретым паром при температуре, превышающей на 5 - 10 С пороговую температуру деструктивного распада полимера. Смесь перегретого пара и инертного газа подают в зазор между поверхностями емкости и ее перфорированной - сетчатой стенки. Способ поясняется следующим примером.В отгонную дегазационную колонку вставляется пакет из многослойной металлическойсетки. Расстояние между внутренней стенкой5 аппарата и внешней стороной пакета из сетки не менее 10 мм. После определевного периода, когда выявится значительное отложение полимера на внутренней стороне многослойной сетки, в зазор между стенкой колон 10 ки и пакетом из сетки подают смесь перегретого...

Номер патента: 1823714

Опубликовано: 27.10.1996

Авторы: Клименков, Красницкий, Турцевич, Цыбулько

МПК: H01L 21/306

Метки: газовая, диэлектрических, селективного, слоев, смесь, сухого, травления

...содержания гептафторпропана в газовой смеси менее 15 об.;4 приводит к значительному снижению скорости и селективности травления диэлектрических слоев по отношению к нижележащему слою.Превышение содержания кислорода в смеси более 11 об.;4 приводит к снижению равномерности травления диэлектрических слоев и селективности по отношению к маскеи нижележащему слою.Снижение содержания кислорода в смеси менее 2,6 об.;, приводит к увеличению вероятности загрязнения поверхности нижележащего слоя из-за повышения соотношения С/Е в смеси.Использование заявляемой газовой смеси может быть проиллюстрировано на примере селективного реактивного ионноплазменного травления слоев двуокиси кремния, фосфоросиликатного стекла (ФСС), нитрида кремния,...

Номер патента: 34416

Опубликовано: 31.01.1934

Автор: Майснер

МПК: H01B 19/00

Метки: гонких, диэлектрика, слоем

...то под влиянием сильного поля у электродов возникают значительные силы, действующие на изоляционный материал. Под действием э 1 тектрическрго поля, вернее, под действием возникающей в диэлектрике неравномерности поля, диэлектрик с большой силой прижимается к электроду, а все пузыри воздуха и примеси в диэлектрике отталкиваются от электрода.В результате подобной. обработки1-со-во беспроволочной телеграф озе Тееягер 1 н 1 е а, Ь;,Н.), в г,Бе 29 года (заяв. свид,50340 А. Майснер (А. Ме 1 ззпег). диэлектрика слои, прилегающие к электродам, значительно уплотняются, а частицы диэлектрика более правильно группируются.В случае тонких слоев достаточно установить электроды с одной стороны в случае же более толстых слоев могут возникнуть...

Номер патента: 694597

Опубликовано: 30.10.1979

Авторы: Гурячков, Дудкин, Коновалов, Прокопец

МПК: C04B 24/26, E01C 7/36

Метки: дорожной, конструктивных, одежды, слоев, смесь, устройства

...пол ЦементСульфитно-спиртоваяНесвязный грунт 8 - 12рда 0,13Остальн ныс составы вители Сибирскии ав им. В. В. Куйбышев институт и Госу научно-исследоваотносится к строительствуорог и аэродромов и мопри устройстве различых слоев дорожной одежгрунтов, укрепленных нежущими. Известна смесь для уктов, включающая известьнольную смолу и грунт. Наиболее близкои к технической сущности и зультату является смесь конструктивных слоев до включающая цемент, доб но-спиртовую барду и нес следуюшем соотношени масс, %: ожный институтавтомобильно-дорожиыисоюзный дорожныйтут СоюздорНИИ Смесь готовят перемешии цемента с растворенныи вновым гудроном, затем еенагрузкой 150 кг/слР.В табл. 1 даны конкрегредлагаемой смеси.91,92; 89,89 87,86 После испытаний...

Номер патента: 1840166

Опубликовано: 27.06.2006

Авторы: Алехин, Егоркин, Емельянов

МПК: H01L 21/20

Метки: диэлектрик, диэлектрика, многокомпонентный, переходной, слой, структура, —полупроводник

Структура многокомпонентный полупроводник - переходной слой диэлектрика - диэлектрик, содержащая в качестве переходного слоя химические соединения одного или нескольких элементов, входящих в состав полупроводника, отличающаяся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров структуры, химические соединения выбраны таким образом, чтобы сумма их нормированных объемов была меньше нормированного объема полупроводника на 1-15å 3.