198873
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 198873
Текст
Союз Соввтскил Социалистическил Республик(л, 48 а, 3/06 Заявлено 20 Х 11,1966 1 109286822-1)с присоединением заявкиПриоритетОпубликовано 28.Ъ 1.1967. Бюллетень14Дата опубликования описания 2 Х 111.19 б 7 Комитет по делэа изобретений и открытий при Совете Министров СССР1фС 1;1,гЮЗП д ЯПл.ТВП 11 0.БКБЛИОТРЦ,1 Авторыизобретения В, И. Лайнер и В, А. Фишман Московский институт стали и сплавовПри полировании полупроводниковых мате. риалов, например теллурида цинка из растворов на основе бромистоводородной кислоты с добавлением свооодного брома, известным способом используют очень реакционный травитель.Предложено для повышения качества голируемой поверхности и улучшения условий ру. да в травитель вводить 1 М раствора хромата калия.Смесь бромистоводородной кислоты и 1 М раствора хромата калия берут в отношении2:1,После резки и шлифовки микронорошком М 7 теллурид цинка обезжирпвают в кипящем СС 1, в течение 5 - 10 мин, высушивают на воздухе, травят в смеси НВг+1 М раствор К,СгО 12: 1) ь течение 30 - 60 сек при 20 С, затем дважды промывают в кипящей дистиллированной воде и высушивают фильтровальной бумагой.После травления в предложенном растворе поверхность полупроводниковых образцов имеет чистую, хорошо полированную поверхность. 10 Предмет изобретения Способ полирования полупроводниковых материалов, например теллурида цинка из раствора па основе бромистоводородной кис. лоты, отлпчаюи 1 ийся тем, что, с целью повы 1 шения качества полируемой поверхности и улу шения условий труда, в травптель вводят 1 М раствора хромата калия,
СмотретьЗаявка
1092868
МПК / Метки
МПК: C23F 3/00
Метки: 198873
Опубликовано: 01.01.1967
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-198873-198873.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">198873</a>
Предыдущий патент: Установка для электрохимической очистки литья
Следующий патент: 198874
Случайный патент: Преобразователь угла поворота вала в напряжение