Модельные массы для литья по выплавляемыммоделял

Номер патента: 57700

Опубликовано: 01.01.1940

Автор: Козловский

МПК: C08K 5/13, C08L 1/08, C09D 101/08

Метки: композиций, лаковых, масс, пластических

...(количество жидкости, им соответствующее), введенные с формальдегидом, и еще по 18 литров жидкости на . каждый килограмм/моль введенного . фенола, в котел засасывается 0,1 моля молочной кислоты (из расчета на 100 а/о-р) и сушка продолжается, пока проба смолы, взятая в стакан с водой, с температурой 12 - 15, при разминании пальцами не будет приставать к ним. Тогда вводят через люк от веса фенола 120/о побочных продуктов оксидифенилов и продолжают сушку до получения твердой хрупкой смолы, Полученный продукт измельчается, смешивается с наполнителем, вальцуется, просеивается и прессуется при давлении и температурах, обычно применяемых в производстве фенолальдегидных прессизделий, Соотношения компонентов и режим, указанные в примере, можно...

Номер патента: 109835

Опубликовано: 01.01.1957

Автор: Шагеев

МПК: B22C 7/02, C08L 91/06

Метки: литья, маи-2ш, марки, модельные, сплавы, термореактивные, точного

...до 89%, церезина - от 8 до 20%, полиэтилена- от 1,0 до 2,5%; битумаот 1,0 до 0,4",о; пека - до 10 оо.ли, наприлоер, на одном из заводов примеен сплав марки МАИ- -2-500, содержащий: канифолиот 87 до 89%; церезина - от 7 до 10%; полиэтн,ена- от 1,8 до 2,4,о, оитума- от 0,5 до 0,6%; пека (коксовых печей- от 0,7 до 1,0%.Оптимальная темпера гура запрессовки модельного состаа в полу109835 Предмет изобретения Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Отв, редактор Им В. Макаров Поди. х печ. д 171-1958 г.Тираж 800. 11 сна 25 коп,Иифорчмекиоилор.ззздетельский отдел.Обьем 0,125 и. л. Зак. 2223. Гор. Алатырь, типография 2 Министерства культуры Чувашской АССР,пастообразном - полузамазкообразном состоянии составляет 80 - 90....

Номер патента: 456067

Опубликовано: 05.01.1975

Автор: Доронин

МПК: D21F 1/08

Метки: бумажной, картонной, композиции, массы, составителя

...составителя композиции имеет датчик 3 в виде отборного устройства и вторичный прибор 32 в виде дифм анометра,Корректирующее устройство ио расходу абсолютно сухой массы на выходе составителя композиции содержит датчики 33 и 34, вторичный прибор 35 концентрации композиционной массы на выходе составителя композиции, вторичный прибор 36 расхода композиционной массы на выходе составителя композиции и устройство умножения 37.Объект регулирования - бак 38 составителя композиции.Сигналы от датчиков 1, 3 и 2, 4 поступают на вход устройства умножения 5, С выхода устройства умножения сигнал поступает на вход суммирующего устройства 6 одновременно с сигналом, поступающим от прибора 37. Сигнал с выхода суммирующего устройства 6 поступает на вход...

Номер патента: 1132726

Опубликовано: 30.10.1987

Авторы: Галль, Дашук, Краснов, Кузьмин, Лукашенко, Николаев

МПК: H01J 37/08

Метки: ионов, источник, масс, основе, разряда, скользящего, спектрометрии

...превышает толщину стенки диэлектрика, Электроды могут быть выполнены с возможностью перемещения вдольоси цилиндрического диэлектрика, атокопроводящий заземленный элементвыполнен в виде цилиндра с наружнымдиаметром в 2-5 раз меньшим внутрен3 113него диаметра диэлектрика и расположен на внутренней поверхности диэлектрика по образующей так, что упомянутая образующая и образующая наружной поверхности диэлектрика, покоторой расположен один из электродов лежат в одной плоскости, приэтом диэлектрик выполнен с возможностью вращения вокруг оси,На фиг, схематически изображенпредлагаемый источник ионов, содержащий источник импульсного электрического питания 1, подключенный кэлектродам 2 и 3, разделенным разделительным диэлектриком 4, на...

Номер патента: 1429829

Опубликовано: 27.07.1996

Авторы: Галль, Кормилицын, Кузьмин

МПК: H01J 37/08

Метки: ионов, источник, масс, основе, разряда, скользящего, спектрометрии

Источник ионов на основе скользящего разряда для масс-спектрометрии по авт. св. N 1132726, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода ионов, он снабжен дополнительным электродом, соединенным с катодом, расположенным над областью разряда на расстоянии, большем половины межэлектродного расстояния, и имеющим щель для экстракции ионов.