Способ получения микропробы поверхностного

Номер патента: 405153

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Былинкин, Жимска, Рыбкин

МПК: H01S 3/00

Метки: излучения, квантовых, мощности

...тем, что при измерении мощности ОКГ из 5 меряют величину фотоэ.д.с., возникающуюпа участке однородного кристалла полупроводника в направлении распространения излучения, а измеряемую мощность определяютпутем деления величины фото э. д, с. на вели 10 чину фоточувствительности,Предлагаемый способ измерения мощностиизлучения ОКГ основан на том факте, что привзаимодействии свободных носителей тока(дырок или электронов) с фотонами кроме15 энергии носители получают также импульс.Вследствие этого электронная система приобретает направленное движение относительнорешетки кристалла, и на торцах полупроводникового образца в направлении движения20 возникает фото э. д. с.На чертеже схематически показана полупроводниковая пластина, облучаемая...

Номер патента: 1446651

Опубликовано: 23.12.1988

Авторы: Влох, Шрибак

МПК: G11B 7/09

Метки: воспроизведении, излучения, информации, оптическом, позиционирования, пучка

...от светоделителя 4и фокусируются линзой 9 на фотоприемный блок 10. Сигнал с центральнойплощадки фотоприемного блока 1является информационным, а сигналы сбоковых площадок 1и 1 с используются для слежения. Дифракционная решетка 3 приводится в колебание с частотой м приводом 15.Для получения сигнала о рассогласовании линии среднего положения пятен с осью информационной дорожки производят суммирование сигналов2 Т . 2 1 +1 =210-21 ш соз( - й ), соз( - сР"271, 21 Гсозе)соз( - Ь С 8 К)-з 3.п( - УТ Т2 Гсоз(А) -зьп( - Ь СКК).Тучитывая малость с/ формулу (2) можно записать14Колебания дифракционной решетки приводят к колебаниям пятен слежения а и с на поверхности носителя 8 информации с частотой ь 3 и амплитудой д (фиг,2).Колебания пятен а и...

Номер патента: 1603290

Опубликовано: 30.10.1990

Автор: Юозонене

МПК: G01N 29/04

Метки: поверхностного, слоя, ультразвукового

...трансформируются без изменениятраектории на границе жидкость 6 -материал основания 4 призмы 1 в поперечные колебания н отражаются прямым двугранным углом, образованным основанием 4 и боковой гранью 5 призмы 1. Излученные преобразователем 2 продольные колебания трансформируются без изменения траектории на границе жидкость 6 - материал боковой грани 5 призмы 1 в поперечные колебания и отражаются прямым двугранным углом, образованным основанием 4 и боковой гранью 5 призмы 1.Отраженные копебания принимаются преобразователями 2 и 3, преобразуют ся в электрические импуньсы и через усилитель 9 поступают в блок 10 индикации, например осциллографический индикатор. Изменяют угол падения преобразователей 2 и 3 их поворотом, по достижению...

Номер патента: 729503

Опубликовано: 25.04.1980

Авторы: Басацкая, Вопилкин, Ермолов, Шишов

МПК: G01N 29/00

Метки: закаленных, поверхностно, слоев, твердости, ультразвуковой

...способ может быть осуществлен следующим образом.На валок 1 устанавливают друг против друга вдоль оси валка ультразвуковые искатели 2 и 3 (см. Фиг, 2). Возбуждают и принимают ультразвуковые волны под вторым критическим углом, при этом возникает поперечная волна 4, которая подвергается рефракции в закаленном слое иэделия, и поверхностная волка 5. Поскольку скорость поверхностной волны примерно на 7-9% меньше скорости поперечных волн, на некотором расстоянии между искателями поперечная волна начинает обгонять поверхностную и на экране дефектоскопа появляются два импульса, соответстнующие обеим волнам. Импульс поверхностной волны в этом случае удобно использовать в качестве опорного при измерении временного интервала поперечной...

Номер патента: 1481651

Опубликовано: 23.05.1989

Автор: Меркишин

МПК: G01N 21/59

Метки: излучения, оптической, поглощения, среде, степени

...неоднозначности основных измерений. С полученными дополнительно двумя значениями степени поглощения излученияи ц сравнивают значения 1 и ц и считают достоверным тот из параметров, который ближе к одному иэ значений1На чертеже представлена схема устройства, реализующего способ.Излучение монохроматического источника 1 проходит через модулятор 2, в котором осуществляется амплитудная модуляция излучения по гармоническому закону с частотой гармонического сигнала, поступающего иэ генератора 3, С выхода модулятора 2 излучение поступает в направлении исследуемого участка оптической среды, на границах которого расположены отражатели 4 и 5, Отраженные отражателями 4 и 5 сигналы принимаются квадратичными Фотодетекторами 6 и 7, установленными в...