Жимска

Номер патента: 405153

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Былинкин, Жимска, Рыбкин

МПК: H01S 3/00

Метки: излучения, квантовых, мощности

...тем, что при измерении мощности ОКГ из 5 меряют величину фотоэ.д.с., возникающуюпа участке однородного кристалла полупроводника в направлении распространения излучения, а измеряемую мощность определяютпутем деления величины фото э. д, с. на вели 10 чину фоточувствительности,Предлагаемый способ измерения мощностиизлучения ОКГ основан на том факте, что привзаимодействии свободных носителей тока(дырок или электронов) с фотонами кроме15 энергии носители получают также импульс.Вследствие этого электронная система приобретает направленное движение относительнорешетки кристалла, и на торцах полупроводникового образца в направлении движения20 возникает фото э. д. с.На чертеже схематически показана полупроводниковая пластина, облучаемая...