Электролюминесцентный индикатор

Номер патента: 322756

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Бабич

МПК: G03G 21/00

Метки: барабанов, гная, пластин, поверхности, селеновых

...аета ик 10 ру- ого шаетсслоя. является повышение 15 го слоя пластин и бар афических устройств лости селенового слоя руктуры. Эта цель дое промывки спиртом 20 н и просушки на него вазелиновового масла. м восстанавливается поверхность слоя за ной окисной пленки и 25 селена маслом.овое масло является Целью изобретения долговечности селеново рабанов для электрог путем уменьшения уста и восстановления его ст стигается тем, что посл селенового слоя пласти наносится микропленкаВазелиновым масло глянцевая скользящая счет удаления усталост заполнения пористостиКроме того, вазелин жидким состоянием веществ группы парафинов, и поэтому оно инертно к окислителям,Селеновый слой пластин пли барабанов перед началом работы промывается...

Номер патента: 557066

Опубликовано: 05.05.1977

Авторы: Журавлева, Курятов

МПК: C03C 15/02

Метки: диэлектрических, защиты, поверхности

...блока прогревается термоизлуательной лампой до 80-150 С, затем на прогретую поверхность кладется слой полиэтиленовой пленки и прижимается к поверхности без воздушных пузырьков с помощью металлического катка. Затем этот слой пленки прогревается термоиэлучательной лампой до оплавления ("100 С) и далее деталь остывает вместе с пленкой до комнатной температуры, Защитный слой плотно охватывает края защищаемой поверхности и хорошо сцепляется с нею. После остьтвания деталь травят в смеси кон. центрированных кислот - фтористоводородной и серной, промывают в проточной горячей воде, затем, подцепив с краю защитную пленку острым инструментом, например скальпелем, ее снимают, Затем деталь ополаскивают дистиллированной водои.Исследование обработанных...

Номер патента: 668510

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Глущенко, Косенко

МПК: H01L 21/311

Метки: вскрытия, локальных, окисленной, пластины, поверхности, полупроводниковой, участков

...выращенным на ней слоем окисла 2 и нанесенным дополнительным защитным покрытием 3. На поверхность защитного покрытия нанесена пленка фоторезиста 4, в которой после совмещения и проявления открыты окна 5 и дефекты б.На фиг, 2 показана пластина 1 после травления защитного покрытия 3, нанесения второго слоя фотореэиста 7, второго совмещения и проявления фоторезиста 7 с проявлением дефектов 8 во втором слое фоторезиста, которые не совпадают с дефектами б, протравленными в защитном по 5 10 15 крытии 3.На фиг, 3 показана пластина 1 после удаления фоторезиста 7 и дополнительного защитного покрытия 3 по вскрытыми окна 20 45 После проявления на пластинах травят пленку молибдена 3 в смеси азотной и ортофосфорной кислоты в течение 40 с. Этот...

Номер патента: 1217185

Опубликовано: 10.05.1996

Автор: Чесноков

МПК: H01L 21/268

Метки: пластин, поверхности, полупроводниковых

1. СПОСОБ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН, включающий их помещение в нейтральную среду или вакуум и последующее испарение загрязняющих частиц путем облучения поверхности лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности очистки, используют излучение с длиной волны, меньшей среднего размера поперечника удаляемых частиц.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что используют излучение с длительностью импульсов не более 10-10с.3. Способ по пп.1 и 2, отличающийся тем, что лазерный луч направляют на поверхность наклонно к ней.

Номер патента: 1796079

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Котов, Крячко, Олейниченко

МПК: H01L 21/66

Метки: бесконтактного, пластин, поверхности, полупроводниковых, чистоты

...поверхности полупроводниковых пластин реализуется следующим образом.Множество дискретных значений потенциала поверхности получают с помощью измерителя потенциала поверхности ИПП при сканировании платиновым зондом диаметром 500 мкм вдоль кремниевой пластины диаметром 100 мм с толщиной естественного окисла 50 А на расстоянии 30-50 мкм от поверхности без ее освещения и при40 где Чт - потенциал поверхности без ее освещения,Ъ - объемный потенциал материалапластины,ф мо цпотенциал выхода материала зонда,Хп= потенциал электронного сродства материала пластины,Ь - толщина диэлектрического слоя на поверхности пластинок.Например, для платинового зонда над поверхностью Я р-типа проводимости с удельным сопротивлением р=12 Ом см, на поверхности...