Способ наполнения анодированного слояалюминия

Номер патента: 442785

Опубликовано: 15.09.1974

Авторы: Балаев, Брежнев, Калинин

МПК: A41H 27/00

Метки: детали, нанесения, одежды, составов, упрочняющих

...1,1 ЗВ 1 Гтт,т КИ 11 Лтэ".Л Л СО 1 ЕГ)Ит УЗЕЛ ЗаСЛОНКИтъ, г,грг)тт 11 тУЗ вЕРу 1 д 1 А ,уцЫ , Высд ттГ," ттРО"0 ЯВтЯЮРЕЯ )тт"ттд 1 И .7тВЫСТУПОВ Ц 3,. ПОВОД 1 ал р ОСИ 15кт)знште".-11)в -"л И Ц 7, рэ Шт; Нт е "т ", с т1, )вл г н ы зубч атыг ре 1 ки ве 1).1 Я :т И 1 ИНЯЯ - -,"., а та 1,ДЕ 1.З= Г)аВЛ 1 Ю 1 Ц,1 Й 1 РОЛ 111( ЭО, УСтаНОВЛЕ Нный на скобе "1 эасл "т(и"Олве ки .3 с изделиЯми с ос т ОЯ т и 3 ролика .лг, к)юка 55 и ОГраничителЯ 56,н ; р.;,;с) тт . От 1 тЛ 1 7 )1 т 1 Е "тат ттт 11тЦВЕ н: Вт)1 ВИт НОМ СТОЛЕ 26 ОПРЕД 8 ЛЯЮТ- ся мс та, подлежащиеп 1) Очпениюв завис иуос ти От их пас положенияизделия ОбрабатываютсЯ упрочня 10 щим РостВо-.СМ ИЛИ ИЗ ПИСТОЛЕта-РаСПЫЛИ- тел и 32, или ч т 1 тсжком)аспылли телецО.тет ю)дтт трт тР 1 г 1,1...

Номер патента: 666117

Опубликовано: 05.06.1979

Авторы: Жалдарис, Матонис, Ринкявичюс, Савицкис, Сацявичюс

МПК: B65B 51/26

Метки: наполненных, отделения, пакетов, пленки, полимерной, сварки

...входа в прорез 9 корпуса губки 2 в момент резки, Корпуса губок покрыты теплоиэоляционными слоями 10 и 11, которые прижаты кожухами 12 и 13.Шейка 7 губки 1 имеет полость 14, в которой установлен шток 15, и пневмокамеру, В пневмоквмере установлена мембрана 16, разделявшая ее на две полости 17 и 18, которые посредством шгуцеров 19 и 20 соединены с системой сжатого воэдуха,на чертеже не показана)3 6663Мембрана 16 жестко соединена с штоком 15, другой конец которого связан с ножом посредством двуплечегорычага 21, при этом последний подпружинен пружиной 22, Второй конец ножа прикреплен шарнирно к рычагу 23,Шейка 7 губки 1 при помоши гайки 24 скреплена также с механизмом 25 качения.Устройство работает следующим образом.оСмыкаясьу...

Номер патента: 881604

Опубликовано: 15.11.1981

Авторы: Веселова, Дергачев, Якимова

МПК: G01N 27/62

Метки: анализа, вещество, изотопного, масс-спектрометрического, серы, состава

...ускорения и упро.щения процесса анализа и сокращениярасхода анлизируемого вещества, оносостоит из сульфида меди и окисиртути в следующих количествах вес.ЕСульфида меди 75-80Окиси ртути 20-25Источники информации,принятые во внимание при экспертизе35 чительные трудности, а получениесернистого газа в отдельной отмасс-спектрометра аппаратуре обычными химическими методами трудоемко,длительно и требует значительныхколичеств анализируемого дорогостоящего элемента,Цель изобретения - уменьшениерасхода анализируемого элемента,упрощение и ускорение анализа, ОПоставленная цель достигаетсятем, что вещество для масс-спектрометрического. анализа изотопного состава серы путем ионизации электронным ударом, содержащее сульфид металла и окись металла, в...

Номер патента: 1048360

Опубликовано: 15.10.1983

Авторы: Гончаров, Машукова

МПК: G01N 1/38, G01N 25/14

Метки: изотопного, нефтей, подготовки, серы, состава

...включакщийперевод всей серы иэ навески нефти .щв сероводород путем деструктивногокаталитического гидрирования. Времяподготовки пробы в зависимости отсостава нефти составляет 20200 ч 2,25Недостатком этого способа являетсядлительность анализа, обусловленная,многократным гидрированием,Цель изобретения - сокращениепроцесса анализа,Поставленная цель достигаетсятем, что согласно способу подготовкинефтей для определения изотопногосостава серы путем каталитическогодеструктивного гидрирования исходнуюнефть предварительно обрабатывают З 5тетрахлоридом титана и иэ полученного осадка выделяют концентрат сер-нистых соединений .Сущность способа заключаешься втом, что при обработке нефти тетрахлоридом титана выделяется концентрат сернистых...

Номер патента: 683638

Опубликовано: 30.08.1979

Авторы: Ханс, Ханспетер

МПК: C25C 3/06

Метки: алюминия, ванне, настыли, формирования, электролитического

...температура ванны должна составлять соответственно 970, 1050, 1070 С.Прн более высоком содержании А 1 Оз,чем 16%, линия ликвидуса дальше крутоподнимается.Если эту бннарну 1 о систему дополнитьдобавками, например гцелочнымп,или щелочноземельными фторидами и/или окислами, указанные температуры ванны болееили менее смещаются.Целесообразна температура охлаждаемых поверхностей носителя немного нижелинии лкквидуса. Этим достигается оченьмедленная кристаллизация с хорошим ростом кристаллов.При часто применяемой на практике бинарной системе криолит - А 120 з содержание А 10 з находится между эвтектическимсоставом и 20 вес. % (предпочтительномежду 10 и 16 вес. %). Температуры ванны составляют (в зависимости от содержания А 10 з) 920 - 1100 С. В...