Способ изготовления тиристоров

Номер патента: 251218

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Институт, Малышев, Скрылник, Тарасевич, Фурман, Щербань

МПК: G01N 7/02

Метки: весовой, высокотемпературных, газах, концентрации, непрерывного, сажи

...вторичным прпбс"ом 12.Аэрогазодинамическ ьй режим обоих трактов обеспечивается, побудителями расхода 13 О и 14 и регуляторами 15 и 1 б расхода газа,Изобретение относится к области автоматизации контроля запыленности газовых сред и предназначено для использования в,системах автоматического контроля весовой концентрации сажи в высокотемпературных реакционных газах .сажевых реакторов при производстве активных и полуактивных саж.Известен споссб непрерывного контроля весовой концентрации сажи в вьгсокотемпературных реакционных газахпутем отбора анализируемой среды, дожига ее и определения содержания двуокиси углерода в продуктах полного сгорания.Для обеспечения автоматизации контроля и повышения его точности определяют разность...

Номер патента: 1020788

Опубликовано: 30.05.1983

Авторы: Жуков, Лошкарев, Мусатов, Улимов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: базе, времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, транзистора

...с . через баверзу транзистора и коэффициент передачи тока змиттера сС транзистора, включенного по Схеме с общей базой и вычисляют время жизни неосновных носителей в базе по формуле(1) ф " эффетивность эмиттера,коэффициент переноса носктелей, определяемый по фор.муле пер 1.5 фчРч(2) о; - коэффициент размноженияв коллекторе. Недостаток способа заключается в том, что из формул 1 и 2 получают некоторое усредненное значение времени жизни Т, так как константа р состоит из двух составляющих рчопределяемое рекомбинацией носителей в объеме базы, 5 - определяемое рекомбинацией на поверхности базовой области р = рч р . Формула 1 преобразуется в вйд Для более точного определения объемного времени жизни неосновных носителей в базе транзистора...

Номер патента: 1092436

Опубликовано: 15.05.1984

Авторы: Бунегин, Карапатницкий, Коротков

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, переходами, полупроводниковых, приборах

...импульса обратного тока измеряют максимальное значение обратного тока через испытуемый прибор, а временный интервал измеряют до момента смены знака тока через испытуемый прибор, по измеренным значениям сопротивлений и известным величинам пропускаемых токов рассчитывают семейство теоретических зависимостей обратного тока через полу О проводниковый прибор после момента переключения токов от времени, нормированного по величине времени жизни еосновных носителей заряда, выбират из этого семейства зависимость, 15которой значение максимального обратного тока совпадает с измеренным, и определяют время жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковом приборе из выражения 20- время жизни неосновных носителей заряда,- измеренный временный...

Номер патента: 134728

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Ржевкин, Швейкин

МПК: G01R 31/26

Метки: времени, жизни, коэффициента, критической, неосновных, носителей, полупроводниковых, току, триодов, усиления, чистоты, эффективного

...базы диод 3 открыт, а диод 4 закрыт. Измерительный прибор б, например микроамперметр с малым внутренним сопротивлением, включается последовательно с диодом 4. Источник постоянного тока 7 и сопротивление 8 введены для компенсации обратного тока Уколлекторного перехода при отсутствнч входного сигнала.134728После прекращения входного импульса дырки, составляющие заряд неосновных носителей в базе за время переходного процесса, вытекают из базы через коллекторный переход. Равное количество электронов, нейтрализующее объемный заряд базы, за то же время вытекает из базы через последовательно включенные диод 4 и измерительный прибор б,Показания прибора б градуированы в единицах заряда;арРгде Р - частота повторения входного сигнала на зажимах...

Номер патента: 262170

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Артюх, Вычислительной, Загурский, Латвийской

МПК: H03K 19/08

Метки: «вентиль-запрет», импульсно-потенциальный, логический, элемент

...полярности.25 Поскольку при этом обращенный диод смещен на диффузионную ветвь, то вследствиенелинейности его вольтамперной характеристики напряжения в точках 9 и 10 оказываются малозависимыми от изменения величины30 источника смещения +Е, Под воздействием262170 Предмет изобретения оставитель А. Федорова Техред Л. Я. Левина Корректор В. В. Комаров Редакт Ди бобе аказ .1296/6 Тираж 500 Подписно 11 ИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова,3установившихся напряжений в точках 9 и 1 О диод 4 смещается в обратном, а диод б - в прямом направлениях. При протекании тока через прямосмещенныи переход диода б в его базе накапливается заряд неосновных...