Способ измерения температуры металлических поверхностей
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
. Н. Белов СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПОВЕРХНОСТ За)н.)оно 23 срсв)аг)н 1951 г. за М 9)132,111128 в Гостехнику СССР Извгстньннос(яйы но 1(.)нния тгл)иердтуры металлическим ше(ркностей иосрелством термопар и термои)уиов ирим нются на лвия;ущияс) Щвщкностяк, напри- ЕР и( )И(ИН Ц)1; ОУ)(Оле 1( Н) ". М) - н)ии, )ци лсл(еин огтдновки щн:илии.;.Прел,дгд(оьй (носоо имеет 1 цчцмущсство в 011, что иозволя(гт измерять темиературу,нижущцкг л 1 сто(ГИчсски.; погср.н)ч")гн осз и( (д:1;цв)и .НосрелсНро ТСРМОИй)Ч Г ЛВУМЯ ЛГРИНКи ИЗО,1 И- рованиы)и Илии 1 г (цо 1 Оо врдинощил)и( я лигк еьо(и и р(1.ноолив)ли т(1 оГэ;нк) роЛдми, гнирикйсй л щил(и( яизмеряемой иоверисос 1,ч ор;.)уиц(й цри эт(о гоРЯЧИй Иай т(РЛОийн). );НКТРИЧЕ(КИй контакт меж Л у в 1 а щд )ощимис я (тй,ГМ)1 Гогидры и лерж(огнями осуиествляетс) н 1 нз рутиьг токоснимтг,)и, шарик(еыо поли(инни 1 и илц ин тки.ии )Лдгцй гн(н оо лож(т у(цен 1(0 НРИЧ(Н)ТЬЯ, ИДИ РИНР, Л 5 Н(НР(РЬНЗНО ИЗМГ Р(1 Ц 1 Л ГГЛ(И ГИД 1 Р 1 Л И ГВ( РХНОСТЕ 11 ид Г щ вят( льнык гуиИ,)1 н к цплинлров ОУЛНКИ). Мй 1 ПИН.Н(1 ч(ртгжг и:одрак и щц соску иверкл т( 1 онищры Лля осущ ствления НГ"ЛЛйГйРМОГ )Н(ЮЧОа.Т 1 лоэл(к)гролы вын)лн(иы цз разно 1 нлнго материала в внлг 1 И(ков, враца)о- И 1 мгЛ отНг)ПГ;1 ЬИЛ ОЕЦНИГГа;11 НОЦ ОСИ ири взаил(ол(йгтвиц ик с лвижу 1 цейся изл(гр)гл 01 Нов( рлногтьо.РйооИл концол т(рмоиарь. еоеЛцняощим терлоэ,сктрГлы, яв;яетгя металл (1), к которому прижим(цотся термоэлектолы (2) ц (, ц теми(рдтура цове 1 юн иИтроо )Г ч(1 лт л гзу 1 ьп 11 у и- )и5 терлоэ(сктролвию и я сила такой теоопары нг зависит от материала на)р( т)й ЛН 11),ГНГСКГ)й Ион(НКНОС И, д гииь от материал(е т,)лоэлгктроЛов (2) ц (3) и тоннратуры в мг(т конГкт(1 им (;внж у иимс 5 м(1 й;1;нм (1). 111)и с)л(л(етр)Чно) конструкции нгт основдНиц ЛЛ 1 ВОЗНИКНОВГНИ Я ИД 1)ЯЗИ 1 НЫ. т(1) и(:):Нтр оЛЛ 11 ку и 11. г И,1. 11 ри л и 5 Г кнопп.н(динкино В сУ МУ ЛЛЯ 1 ЗЛ(РЕНИЯ т(1)ч(е,н ктроЛНИкунл(11 ги(1. Можно путо( иив(1 Я И 1 нваии) у(трани)и агу воаложну)( и(г 1 Н ицнн Гь.1,нк 1 р)и)(к и и кон Гйкт м(жлу щ)дщй 11- инмш л лгтло )г 1 о 0)яры и л(р;йтгллми ма; т оьпь (юущггтвлен чг 1 И з 1)тутньг Лиг)ощ 1( токоснимйтглц, ийриковь 1 с 1)олици)ники или щ тки.Нрнг ЛЛишни( здрлоир к изм(р)ггг- ЛЛ Г(РОЭ,НКГРОЛ)ИКУИ(Й И 1 Ы )Ц)ЩКГО)- Литгл г иом( щью к(о)игнгдциоииык ирою:ов (1) )ля терунгтатц 1 иедния (в(нолнык к;нце ир)Нр)Нли вт(одНггкого вв л( нил нонрдвкн нд ионн: ние гели рапгуры в)оолньк концов.
СмотретьЗаявка
444128, 23.02.1951
Белов А. Н, Немцов Н. Ю
МПК / Метки
МПК: G01K 13/08, G01K 7/02
Метки: металлических, поверхностей, температуры
Опубликовано: 01.01.1956
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-103991-sposob-izmereniya-temperatury-metallicheskikh-poverkhnostejj.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ измерения температуры металлических поверхностей</a>
Импульсный двухфазный логический элемент «и—илии—или—не»
Номер патента: 304698
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Белопольский, Мастерских, Никишин, Паукова, Удовик, Филиппов, Хавкин
МПК: H03K 17/66
Метки: «и—илии—или—не», двухфазный, импульсный, логический, элемент
...8. Чем меньше напряжение на коллекторе транзистора 8, тем большая часть тока ответвляется в базу транзистора 12 и меньшая - в базу транзистора 8, вследствие чего уменыпается степень насыщения последнего. Уменьшение глубины насыщения транзистора 8 создает условия для последующего быстрого, выключения элемента.Одновременно с открыванием транзисторов 8 и 12 происходит быстрое закрыва 1 гие транзистора 9 током коллектора транзистора 12, обеспе швающим быстрое рассасывание накопленного в базе транзистора 9 избыточного заряда, На коллекторе транзистора 9 устапавлизается высокий уровень потенциала.После окончания действия положительного импульса ГИ 1 транзистор 8 закрывается обратным током коллектора транзистора 4, но транзистор 8...
Транзисторно-транзисторный логический элемент “и-или-не
Номер патента: 790331
Опубликовано: 23.12.1980
Автор: Шагурин
МПК: H03K 19/08
Метки: «и-или-не», логический, транзисторно-транзисторный, элемент
...инвертора 2.Если на все М эмиттеров одногоиз К и -р-ь транзисторов 4,5 (К+3)подан высокий потенциал О", то этиэмиттерные переходы запираются, открывается (М+1) -й эмиттерный переход, подключаемый ко входу инвертора 2, через который в инвертор поступает ток 1 = Ао(Ь+)7 о ,. гдеЭо - эмиттерный ток транзистора 3;Ар - коэффицие-т передачи токаэмиттера транзистора 3 в К-ый кол- .лектор, В и В - прямой и инверсныйкоэффициенты усиления тока для соответствующего п-р-п транзистора.Величина тока 3 задается достаточнойдля переключения инвертора 2 в состояние низкого потенциала ОО навыходе, Если хотя бы на одйн из Млогических входов эмиттеров п-р-птранзистора подан низкий потенциалОо, то (М+1) -ый эмиттерный переходэтого транзистора запирается...
Быстродействующий помехоустойчивыйлогический элемент и-или и-или-he
Номер патента: 849488
Опубликовано: 23.07.1981
Автор: Бубенников
МПК: H03K 19/08
Метки: «и-или», быстродействующий, и-или-he, помехоустойчивыйлогический, элемент
...или логическая "1". При подаче логической "1" только на входы эмиттерных повторителей 11 транзистор 2 закры 44т 1вается, на его инверсном выходе образуется положительное напряжение, а на прямом выходе опорного многоэмиттерного транзистора 3 - отрицательное напряжение. Транзистор 44 переключателя тока второй ступени открывается, а на выходе 18 образуется отрицательное напряжение или логическая "1", опорный транзистор 5 закрывается и на выходе 19 появляется положительное напряжение или логический "О". Напряжение на резисторе 11 не изменяется. В зависимости от кодов, поступающих на входы эмиттерных повторитепей на выходе 18 ЛЭ, выполняется логическая функция И-ИЛИ на выходе 19 И-ИЛИ-НЕ, при этом осуществляется парафазное...
Логический элемент «и—или»
Номер патента: 217454
Опубликовано: 01.01.1968
Авторы: Красин, Кутлер, Левитан, Раппопорт, Чаков
МПК: H03K 19/12
Метки: «и—или», логический, элемент
...2, а диоды Д и Д; - катодами к зажиму 11.Аноды диодов Дз и Д с помощью перемычки бсоединены между собой, а аноды диодов Дз и Дз Д 4 и Д; соединены соответственно между собой перемычками б - б, 7 - 8, образуя вторую диагональ моста. Между анодами диодов верхних и нижних плеч моста и в первую его диагональ включены перемычки, выведенные наружу и частично удаляемые при монтаже для получения требуемого варианта логической функции, Между зажимами 2 и 3, 11 и 12 включены соответственно резисторы Яи Рз, предназначенные для получения схемы И совместно с соответствую. щими диодами (в зависимости от количества входов), К зажимам 2 и 11 подключены со ответственно катоды диодов Д, и Д 6, аноды которых соединены с выходами 1 и 10 элемента,...
Динамический логический элемент «и-или», «и-или-не»
Номер патента: 238599
Опубликовано: 01.01.1969
Автор: Филиппов
МПК: H03K 19/084
Метки: «и-или-не», «и-или», динамический, логический, элемент
...импульсы источника ГИ,. Ответвление тока происходит вследствие того, что положительному импульсу источника ГИ, соответствует по времени смещенный отрицд 30 тельный импульс источника 1 И.,238599 сокий уровень потенциала будет лишь в том случае, если во время действия положительного импульса источника ГИ, на всех входах элемента действует также высокий уровень 5 потенциала. Следовательно, элемент выполняет функцию И. На выходе 24 элемента потенциал во всех случаях имеет значения, противоположные значениям потенциала в точке 28, т. е, с выхода 24 снимается инверсное зня чение реализуемой функции.В элементе возможно подключение (черездиоды) дополнительных схем И ко входу 21. При этом реализуемая им функция приобретает вид И-ИЛИ, И-ИЛИ-НЕ,15...