Способ изготовления оксидно-полупроводниковых конденсаторов

Номер патента: 1398679

Авторы: Малюк, Скатков

Формула

Способ изготовления оксидно-полупроводниковых конденсаторов, включающий спекание объемно-пористых анодов из вентильных металлов, их оксидирование, нанесение полупроводникового слоя путем пиролитического разложения и слоя металла платиновой группы, отличающийся тем, что, с целью снижения токов утечки, нанесение слоя металла платиновой группы проводят перед нанесением полупроводникового слоя путем электрохимического осаждения в течение 3 5 мин.

Описание

Изобретение относится к технологии изготовления изделий электронной техники и может быть использовано при изготовлении оксидно-полупроводниковых конденсаторов.
Целью изобретения является снижение токов утечки конденсаторов путем изменения последовательности проведения операций и замены процесса нанесения слоя металла платиновой группы с пиролитического разложения на электрохимическое осаждение.
Осаждение слоя металла платиновой группы под действием электрического поля позволяет как создать сплошной водородопоглощающий слой, локализованный на границе раздела оксид двуокись марганца, так и нанести более толстые слои платинового металла на обладающие повышенной проводимостью слабые места (например, утонения), распределенные по поверхности оксида, которые в большой степени ответственны за проникновение водорода в диэлектрический слой.
Примеры реализации способа изготовления оксидно-полупроводниковых конденсаторов.
Пример 1. 50 штук ниобиевых объемно-пористых анодов конденсаторов типа К53-4 номинала 20Вх22 мкФ оксидировали в 5%-ном растворе ортофосфорной кислоты при напряжении 80 В. Оксидированные аноды помещали в ванну с электролитом, содержащим 50 г/л серной кислоты и 10 г/л родия. Через ванну пропускали переменный ток с амплитудой напряжения 50 В в течение 5 мин. Под действием создаваемого электрического поля на поверхности пленки осаждается слой родия. В табл. 1 приведены средние значения электропараметров конденсаторов, изготовленных предлагаемым и известным способами.
Из табл. 1 видно, что конденсаторы, изготовленные предлагаемым способом, имеют значительно меньшие токи утечки (в 7 раз) на переменном токе, чем конденсаторы, изготовленные известным способом, при сохранении остальных электропараметров.
Пример 2. 50 штук ниобиевых объемно-пористых анодов конденсаторов типа К53-4А номинала 20Вх22 мкФ оксидировали в 5%-ном растворе ортофосфорной кислоты при напряжении 80 В. Оксидированные аноды помещали в ванну с электролитом, содержащим 50 г/л серной кислоты и 10 г/л рутения. Через ванну пропускали переменный ток с амплитудой напряжения 50 В в течение 5 мин. Под действием создаваемого электрического поля на поверхности оксидной пленки осаждается слой рутения. В табл. 2 приведены средние значения электропараметров конденсаторов, полученных предлагаемым и известным способами.
Пример 3. 50 штук ниобиевых объемно-пористых анодов конденсаторов типа К53-4А номинала 20Вх22 мкФ оксидировали в 5%-ном растворе ортофосфорной кислоты при напряжении 80 В. Оксидированные аноды помещали в ванну с электролитом, содержащим 50 г/л серной кислоты и 10 г/л палладия. Через ванну пропускали переменный ток с амплитудой 30 В в течение 3 мин. Под действием создаваемого электрического поля на поверхности оксидной пленки осаждается слой палладия. В табл. 3 приведены средние значения электропараметров конденсаторов, полученных предлагаемым и известным способами.
Режимы испытаний: температура 35oC, переменный ток промышленной частоты, амплитуда напряжения 5 В.
Результаты испытаний: средние значения электропараметров конденсаторов приведены в табл. 4. Приведенные выше примеры и результаты испытаний (см. табл. 4) оксидно-полупроводниковых конденсаторов, изготовленных данным способом, доказывают, что не только для родия, но и для других металлов платиновой группы справедливы в целом условия осаждения, и переход от одного металла к другому изменяет лишь конкретный режим осаждения.
Изобретение относится к технологии изготовления изделий электронной техники и может быть использовано при изготовлении оксидно-полупроводниковых конденсаторов. Цель изобретения - снижение токов утечки конденсаторов - достигается путем изменения последовательности проведения операций и замены процесса нанесения слоя металла платиновой группы с пиролитического разложения на электрохимическое осаждение. При этом осаждение слоя металла платиновой группы под действием электрического поля позволяет как создать водопоглощающий слой, локализованный на границе раздела оксид - двуокись марганца, так и нанести более толстые слои платинового металла на обладающие повышенной проводимостью слабые места, распределеннные по поверхности оксида, которые в большой степени ответственны за проникновение водорода в диэлектрический слой. 4 табл.

Рисунки

Заявка

4014673/21, 27.01.1986

Малюк Ю. И, Скатков И. Б, Скатков Л. И

МПК / Метки

МПК: H01G 9/00

Метки: конденсаторов, оксидно-полупроводниковых

Опубликовано: 10.05.1997

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1398679-sposob-izgotovleniya-oksidno-poluprovodnikovykh-kondensatorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления оксидно-полупроводниковых конденсаторов</a>

Похожие патенты