Способ изготовления пассивного лазерного затвора

Номер патента: 1061016

Опубликовано: 15.12.1983

Авторы: Баграев, Власенко, Рожков

МПК: G01N 24/10

Метки: возбужденном, концентрации, кристалле, находящихся, состоянии, триплетном, центров

...с парамагнитными центрами, поляризация которых Р отличается приосвещении от равновесной поляризации РНа фиг. 1 приведена схема энергетических уровней центра в возбужденном триплетном состоянии и сигналыЭПР; на фиг. 2 - зависимость степени оптической поляризации ядер решетки кремния, содержащего центры,находящиеся при освещении в возбужденном триплетном состоянии, от величины магнитного поля Н, на фиг.3 зависимость измеренной концентрациицентров, находящихся в кристаллекремния в возбужденных триплетныхсостояниях, от интенсивности света.Центры в возбужденном триплетномсостоянии имеют спин Я=1 В сильноммагнитном поле Н 0 три энергетическихподуровня триплетного центра характеризуются значениями проекции.спина Я 2 на направление...

Номер патента: 1795738

Опубликовано: 27.09.1995

Авторы: Барышников, Колесникова, Щепина

МПК: G01N 21/62

Метки: кислороди, концентрации, кристаллах, люминесцентный, свечения, фторсодержащих, центров

...меньше на порядок, то есть, 7 нс). затем, выявляются характеристические полосы в.спектре КЛ, Пользуясь табл.1, где приведены сведения по спектральным характеристикам примесных центров в лейкосапфире, осуществляют идентификацию полос с тем или иным видом примеси, В следующей операции способа измеряют интенсивность характеристических полос и определяют количественное содержание примеси по градуировочному графику: .=л,С), где- интенсивность характеристических полос, С - концентрация примесных центров),Для установления этой зависимости необходимы пробы с заранее известным составом - эталоны, С помощью эталонов строится кривая зависимости интенсивности полос от концентрации - так называемый градуировочный график (фиг.1), которым...

Номер патента: 1597069

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Барышников, Колесникова, Мартынович, Щепина

МПК: H01S 3/16

Метки: аl2о3, кристалла, лазерной, окраски, основе, приготовления, среды, центрах

1. СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ ЛАЗЕРНОЙ СРЕДЫ НА ЦЕНТРАХ ОКРАСКИ НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛА Al*002O*003, включающий облучение кристалла быстрыми нуклонами или ускоренными ионами, термообработку и обработку оптическим излучением, отличающийся тем, что, с целью снижения оптических потерь при одновременном увеличении концентрации рабочих центров, кристалл облучают во время термообработки ускоренными электронами с энергией 0,35 - 4,8 МэВ, а затем подвергают воздействию оптическим излучением с длиной волны 0,29 - 0,33 мкм.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что плотность мощности оптического излучения выбирают в интервале 0,0025 - 280 МВт/см2.

Номер патента: 600425

Опубликовано: 30.03.1978

Авторы: Евтропов, Калинин, Царенков

МПК: G01N 21/52

Метки: активаторов, концентрации, кристаллах, люминисценции

...прямого тока, Регистрируют в каком-либо направлении спектр вышедших иэ кристаллалюминесцентных лучей, которые прошли сквозь поглощаю. щий слой, легированный азотом, Зарегистрированный спектр люминесценции отличается от истинного главным образом из-за поглощения в области бесфононной А - полосы, тогда как стоксовское Фононное крыло этой 1 полОсы почти не поглощается н потому не искажено (фнг. 1 и 2) . Штриховойлинией показан истинный спектр, пунктирной - регистрируемый.Вырезают из спектра люминесценцииИ р -центра компоненту, поглощаемуютолщей фосфида галлия и потому расположенную где-либо внутри бесфононнойА -полосы (фиг. 1 и 2 - заштрихованная полоска на длине волны Л А ). СоаАсиз. - Слт 5 1 т с тлт,-у сс, 1 Г,1 (С,)д)д 1где А -...

Номер патента: 792111

Опубликовано: 30.12.1980

Авторы: Евстропов, Калинин

МПК: G01N 21/64

Метки: активаторов, концентрации, кристаллах, люминесценции

...ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д.4/5 Филиал ПЛП Патент, г.ужгород, ул,Проектная, 4 ления с результатами измерений по известному методу, Для выбранных нами линий А и Ф линии, коэффициент пропорциональности между Ю и (И) равен 4,5 х 10смФормула (3) применима в любом случае, когда обе линии насыщаются, когда насыщается одна линия и когда обе линии не насыщаются. А-линия в фосфиде галлия имеет свойство не насыщаться в широком диапазоне уровней10 возбуждения и температуры, поэтому если в качестве одной из линий выбрана А-линия, можно использовать другую процедуру расчета, с использованием данных об уровнях возбуждения (в этом отличие от универсального 15...