Способ очистки циркония от гафния
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1246619
Авторы: Москаленко, Салюлев, Смирнов
Описание
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что отгонка паров тетрахлорида циркония, обогащенных гафнием, проводят поэтапно при нагревании нижней части сосуда до 700 - 720, 790 - 820 и 800 - 900oC с выдержкой на каждом этапе в течение 0,5 - 1 ч.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что восстановление проводят при мольном соотношении циркония и тетрахлорида циркония, равном 1 : 1.
Заявка
3757472/02, 21.06.1984
Институт электрохимии Уральского научного центра АН СССР
Салюлев А. Б, Смирнов М. В, Москаленко Н. И
МПК / Метки
МПК: C22B 34/14
Опубликовано: 20.01.2000
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1246619-sposob-ochistki-cirkoniya-ot-gafniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ очистки циркония от гафния</a>
Предыдущий патент: Устройство для горячего прессования алмазного инструмента
Следующий патент: Устройство для разрушения горных пород
Случайный патент: Устройство для контроля шероховатости металлических поверхностей