Высочина

Номер патента: 894846

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Высочина, Солод

МПК: H03K 5/135

Метки: генератор, импульсов, синхронизированный

...первого импульса второго одновибратора. За этотпромежуток времени Формирователь 8 60фазобеспечивает формирование фаз изпоступающих на него импульсов. Первый импульс второго одновибратора всвою очередь запускает первый одновибратор 2 и вызывает Формирование Я второго импульса первого одновибратора. При этом на формирователе 8 фаэ формируется импульс третьей фазы, который, поступая на затвор ключевого транзистора 14, блокирует выход задающего генератора 1, подключенный ,ко входу блока 9 выделения сигнала 2 регулировки, устанавливая на его входе нулевой потенциал. Одновременно с импульсом третьей фазы начинает формироваться импульс четвертой фазы. Второй импульс вновь запускает второй одновибратор 3, вызывая формирование второго...

Номер патента: 790335

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Высочина, Сидоренко, Солод

МПК: H03K 19/08

Метки: импульсов, моп-транзисторах, формирователь

...до величины потенциала 40и -и, ,(точка а) . При поступлении на вход устройства отрицательного потенциала открываются транзис торы 7,12 и 14. В точках д,е, ж устанавливается нулевойпотенциал, что принс-ит к закрываниютранзистора 3 и установлению на выходе дополнительного инвертора, благо"даря токостабилизирующей нагрузке,отрицательного потенциала равногоБИП, а н точке - потенциала равного -2ип -1) я . Транзистор 9 открыти происходит заряд конденсатора 10в точке г цо потенциала Ф 1)ьП , гдеьП - падение напряжениямежду стоком и истокомтранзистора 559, н результате протекания токаи заряд конденсатора 8 до величиныПя -Б. При подаче на вход устройства положительного перепада напряжения транзисторы 7,12,14 закрываются,щОтрицательный...

Номер патента: 722942

Опубликовано: 25.03.1980

Авторы: Высочина, Гарновский, Кужаров, Кутьков, Чуваев, Шейнкер

МПК: C10M 3/44

Метки: композиция, смазочная

...430 55 425 55 420 54 410 50 10 Как видно иэ полученных данныхтемпература начала разложения предлагаемых композиций с комплексамивыше на 30-40 С соответствующих 50значений для чистой жидкости, в тоже время эта же характеристика композиции с третбутилфенилокситриаэеном Улучшается лишь на 20 С, т.е,температура начала разложения предлагаемых композиций увеличиваетсяна 10-20 С или в 1,5-2 раза посравнению с температурой начала разложйвия известной композиции,Следует заметить, что температура, соответствующая 50 потерь мас- . 60сы предлагаемой композиции такжеувеличивается на 20-30 С по сравнению с чистой жидкостью, Эта же характеристика композиции с требутиленилскс:тризеоном увеличивается на 65 Как видно из приведенных данныхдобавка...

Номер патента: 713683

Опубликовано: 05.02.1980

Авторы: Баженов, Высочина, Горлов, Гусев, Зыков, Комар

МПК: B28B 1/08

Метки: бетонной, виброуплотнения, жесткой, смеси

...в верхней крайней точке 17 - 25 м/сек, а в нижней - 30 - 50 м/секф и в течение времени, равного 0,7 в 1,5 величины жесткости смеси с ускорением амплитуды в верхней крайней точке 13 - 25 м/сек а в нижней - 50 - 120 м/сек. Способ осуществляется следующим образом.713683 Формула изобретения Составитель И. Россинский Редактор 3. БородкинаТекред К. Шуфрич Корректор А, Гриценко Заказ 9178/8 Тираж 635 Подписное ЦН И И П И Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП а Патента, г, Ужгород, ул. Проектная, 4На первом этапе бетонную смесь жесткостью 100 сек уплотняют воздействием симметричных колебаний с ускорением амплитуды 30 м/сек 2 и частотой 750 кол/мин. Этот режим...

Номер патента: 588619

Опубликовано: 15.01.1978

Авторы: Высочина, Солод, Яровой

МПК: H03K 3/281

Метки: одновибратор, полевых, транзисторах

...точке г - отрицательный. Тогда транзистор8 закрывается, а транзистор 10 открывается,Время заряда конденсатора 14 через транзистор 7 намного больше времени его разрядачерез открытый транзистор 10, поэтому изменение потенциала в точке б до нуля черезконденсатор 14 передается в точку а, и в мо 10 мент разряда в ней устанавливается небольшой положительный потенциал, равный падению напряжения на прямосмещенном р - п-переходе стоков транзисторов 15, 8 - подложке.По окончании переключения конденсатор 1415 заряжается через времязадающий транзистор7 и открытый транзистор 10.В момент достижения потенциала в точке авеличины порогового значения транзистор 6начинает открываться, потенциал в точке г20 понижается, что вызывает повышение потенциала в...

Номер патента: 570185

Опубликовано: 25.08.1977

Авторы: Высочина, Солод, Яровой

МПК: H03K 3/281

Метки: генератор, импульсов

...отрицательныйпотенциал, а на стоке транзистора 12 - н- левой потенциал, Начинается заряд конденсатора 15 через транзистор 13.Транзисторы 9 и 10 служат для быстрого заряда паразитных емкостей транзисторов Зи 5.Работа второго плеча генератора не отличается от работы первого плеча. Введение двух раздельных времязадаюших цепейпозволяет получить импульсы практически6 О с любой скважностью. 3времязадающий и форсирующий МОП-трапзисторы, причем затвор времкзадаюшегоМОП-транзистора подключен к источникунапряжения, а затвор форсирующего МСПтранзистора - к выходу триггераобщаяточка соединения конденсатора, зарядногоМОП-трайзистора времязвдвюшей цепи, стокаблокирующего МОП-транзистора заторможенного мультивибратора подключены к входу...

Номер патента: 566355

Опубликовано: 25.07.1977

Авторы: Высочина, Солод, Яровой

МПК: H03K 19/08

Метки: импульсов, тактовых, формирователь

...15, затвор кото- Зорого соединен со стоком транзистора 16,а исток - со стоком транзистора 10, истоком транзистора 14 и шиной 21, шина20 соединена со стоком транзистора 5 иистоком транзистора 4, затвор которого со-З. единен с затвором, транзистора 14 и истоком транзистора 6, соединенным со стоком транзистора 11 и связанным черезконденсатор 7 со стоком транзистора 8,общая шина источника, питания подключена 40к истокам транзисторов 5, 11 и 16, стоктранзистора 16 соединен через конденсатор 19 с затвором транзистора 17 и ис- .током транзистора 10,Формирователь работает следующим образом,Управляющий сигнал поступает по шине12 и является потенциальным выходом счет-ного триггера, который переключается посчетным импульсам с шины 1. При...

Номер патента: 559345

Опубликовано: 25.05.1977

Авторы: Высочина, Солод, Яровой

МПК: H02M 3/155

Метки: повышающий, постоянного

...содержит параллельныецепочки; диод 1 - коцдецсатор 2 - зарядныйтранзистор 3 и диод 4 - конденсатор 5ПП Патентф,род, ул. Проектная, 4 Фили г. У зарядный транзистор 6, Между точкой соединения конденсатора 2 и транзистора 3 пер вой цепочки (точка "а") и точкой соединения конденсатора 5 и диода 4 второй цепочки (точка б") включен разрядный транзистор 7, Затвор транзистора 7 подключен к точке соединения диода 1 и конденсатора 2 пер вой цепочки (.к точке в"), Выходная цепь преобразователя образована диодом 8 и наполнительцым конденсатором 9, Затворы за О рядных транзисторов 3 и 6 подключены к источнику управля 1 оших импульсов 1Разрядный транзистор 10 образует цепь от источника питания к нагрузке пои разряде конденсаторов 2 и...

Номер патента: 547747

Опубликовано: 25.02.1977

Авторы: Высочина, Солод, Яровой

МПК: G05F 1/56

Метки: постоянного, стабилизатор

...6 подсоединен к выходу стабилизатора и емкости 8, подключенной между выходомстабилизатора и общей шиной питания,30Величина порогового напряжения (Опор) изменяется от схемы к схеме и зависит от технологичес.кого процесса, т,е. существует технологическийразброс пороговых напряжений от кристалла ккристаллу.35Выходное напряжение стабилизатора должнокомпенсировать это технологическое изменение порогов, а также обеспечить постоянное время зарядапри изменении питающего напряжения.Напряжение на выходе стабилизатора40Овых - Опор+ЬО +Опор+ЬО +О=2 Опор++ЬО,где Опор - пороговое напряжение для даннойсхемы;ЬО, - превышение над порогом транзистора 1;45ЬО, - превышение над порогом транзистора 5;О - падение напряжение на транзисторе...

Номер патента: 514280

Опубликовано: 15.05.1976

Авторы: Бочко, Высочина, Солод, Яровой

МПК: G05F 1/56

Метки: постоянного, стабилизатор

...на стоке транзистора 2, т. е. осуществляется отрицательная обратная связь, которая стаби лизирует напряжение на стоке транзистора 2при изменении питающего напряжения, Коэффициент стабилизации этого напряжения определяется коэффициентом усиления усилителя обратной связи и коэффициентом передачи 10 выходного истокового повторителя.Г 1 овышенис стабильности на выходе стабилизатора осуществляется компенсацией изменения напряжения на затворе транзистора 2 с помощью транзистора 7. Сущность компен сации заключается в следующем, При увеличении питающего напряжения проводимость транзистора 7 уменьшается, так как увеличивается напряжение на его затворе, и уменьшается напряжение на его стоке, компенси руя увеличение напряжения на затворе...

Номер патента: 513476

Опубликовано: 05.05.1976

Авторы: Высочина, Солод, Яровой

МПК: H03K 3/281

Метки: моп-транзисторах, одновибратор

...подключен ко входу одновибратора, выходы 5 обоих элементов "ИЛИ-НЕ" подключены ко , входам двух инвергоров, причем выход первого инвергора подключен через конденсатор к выходу второго, а выход второго инвертора - непосредственно к одному из вхо О дов второго элемента ИЛИ-НЕ".На фиг. 1 приведена принципиальная электрическая схема предложенного однст.вибратора; па фиг. 2 - временные диаграммы..М С приходом на вход одновибратора (точка й ) отрицательного сигнала транзистор 2 открывается, и в точке Е устанавливает ся низкий потенциал. Так как в точке Ъ в этот момент тоже низкий потенциал, го ча выходе одновибратора устанавливается высокий потенциал. Низким потенциалом в точке 5 закрывается транзистор 8, а транзистор 11 открывается,...

Номер патента: 493029

Опубликовано: 25.11.1975

Авторы: Бочко, Высочина, Мерхалев, Солод, Яровой

МПК: H03K 19/08

Метки: импульсов, моп-транзисторах, формирователь

...прнатом в выходной двухтактный усилительвведен транзистор в двухполюсном включеена прннципиальная20редлагаемого устройформироватепь импульсов на МОП-т знсторах содержащих двухчактный усили на транзисторах 1, 2, инвертор с токоНа затворе транзистора 3 потенциалиравен Епып-ОиОргде удар- порогавое напряжение транзистора 5.При уменьшении отрицательного потенци- ала на входе 20 (конец импульса) транзисторы 2 и 4 закрываются, и потенциалына левой обкладке конденсатора 8 й на затворе транзистора 1 повышаются. По . вышение потенциала передается на правук обкладку конденсатора 8, что повышает потенциал нв затворе транзистора 1. Пос дний еще больше открывается. Процесс открывания транзистора 1 протекает лавинообразно до тех пор, пока...

Номер патента: 420125

Опубликовано: 15.03.1974

Авторы: Высочина, Солод, Яровой

МПК: H03K 3/353

Метки: импульсов, моп-транзисторах, формирователь

...состояние) ца выходе формирователя (клемма 11) возникает отрицательный потенциал, который открываеттранзисторы 4, 5 и 6, при этом в точке а устанавливается низкий потенциал, близкий к потенциалу земли (фцг. 2, КД. В точках б и втакже устанавливаются низкие потенциалыь (фиг. 2, Уа, l,), так как транзисторы 5 ц 7заперты низким напряжением, поступающимна их затворы с выхода открытого транзистора 4,конденсаторы 10 и 13 в исходном состоянии30 заряжены до напряжения, равного потецциа420125 Предмет изобретения Г Йсл Составитель Ю. ЕркинРедактор Т, Морозова Техред Л, Богданова Корректор Л. Чуркина Изд.13сударственпопо делам иМосква, Ж6 Тираж 811о комитета Совета Министровобретений и открытий, Раушская наб д. 4(5 аказ 185813ЦНИИПИ одписьлзе...

Номер патента: 408693

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Высочина, Сизов, Сизова

МПК: B21D 22/20, B21D 24/04

Метки: 408693

...прижима должно в несколько раз превосходить предел текучести материала заготовки.Целью изобретения является снижение усилия прижима для создания торцевого подпора. Н а фиг. 1 схем атмое устройство; нательпость деформирдням вытяжки,Устройство содержит матрицу 1, ппуансон 3 и создающую торцевой подко деформируемую среду 4.На рабочих поверхностях матрицыжима 2 выполнены кольцевые впадинляющиеся от периферии к центру инаружный диаметр, приблизительнодиаметру заготовки 5.Впадина матрицы в цеплавно сопряжена с ее вытявпадина прижима - с констулом, выполненным в еготи концентрично пуансону,Устройство работает следующимПри создании усилия на прижимансоне 3 прижим конусным выступоствляет осадку центральной, близкверстию матрицы, зоны заготовки...