Способ получения защитных рисунков с помощью негативных фоторезистов

Союз Советсккк,СоциалистическиеРеспублик ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСИОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ и 1920624(51)М. Кд,С 03 Г 1/02 ВеударстевнеьЮ квантет СССР ао ленам нзвбретеннй я открытия(72) Авторы изобретения Горьковский ордена Трудового Красного Знамен Государст вен ный у ниве р сит ет им, Н . 11, Лоба че вс к 71) Заявител 4) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЗАЩИТНЫХ РИСУНК С ПОМОЩЬЮ НЕГАТИВНЫХ ФОТОРЕЗИСТО полю импульсом У Изобретениехимической техниспользовано вкого фрезерованпечатных плат,ится к фото- и и может быть ссах химичеси изготовлении дных рамок миклий микроэлект о с длит,5 с,0-100 льэнер дж/м превышающей 0 экспозицией 25 ние фоторезиста и проявление фо способ обладает дительностью из г ностью, не гетической о кспониров отош аблон а. Этотей произв естных 12 выв ез и ь и ком его являетс Недостат разрешающаяЦель изо чества проц за счет уве собности фЦель до изка пособн ть. суней ос ноков ом дс ук клю цию тип ю и а з фото е, пос чер лен росхем и других издероники.Известен способ получения защитных рисунков с помощью негативных фоторезистов; состоящий в экспонировании Фоторезиста через фотошаблон и проявлении. Этот способ обладает низкой разрешающей способностью и низкой производительностью 11.Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является способ получения защитных рисунков с помощью негативных Фоторезистов, представляющих собой композицию натурального или синтетическоГо каучук ков с сенсибилизаторами азидного типа, включающий нанесение фоторезиста на подложку , предварительную засветку слоя фоторезиста по всему бретенил - повышение каесса получения ри ковличения разрешающ спооторезиста,стигается тем, цто согласполучения защитных рисунью негативных фоторезисавляющих 1 х собой композис очувствителем азидногоающем нанесение фоторезисжку, предварительную зарезиста, экспонированиеаблон с рисунком и пролне нанесения фоторезистазасвечивают участки, не занятые рисунком, через контактный шаблон.Пр дварительную засветку можно производить, например, через рабочий Фотошаблон, закрыв участки с рисунком непрозрачным материалом. Затем непрозрачный материал убирают и экспонируют Фоторезист через Фотошаблон с рисунком.Лучшие результаты получаются, если 1 О площадь открытой поверхности Фоторезиста при предварительном освещении составляет не менее 30 общей его поверхности,Бсли по всей поверхности слоя фотоЗ резиста необходимо сформировать защитный ри:унок с высокой плотностью элементов, то искусственно создают излишек предварительно облучаемой поверхности слоя фоторезиста , за счет того, что слой фоторезиста наносят на поверхность, большую, чем требуется для изготовления прибора, Увеличение поверхности подложки достигают применением, например, разборной подложки,При этом рабочая подложка вкладывается в матрицу-держатель так, чтобы образовалась единая поверхность, на которую наносят слой фоторезиста. Сначала облучают тольк участки слоя Фоторезиста, нанесенного на поверхность матрицы-держателя. Затем непрозрачный материал убирают и производят экспониоование через фотошаблон с рисунком.Предложенный способ реализуется3 следующим образом. П р и м е р, На обезжиренную и очищенную поверхность хрома наносят слой негативного Фоторезиста из раствора 7,5 г натурального циклизованного40 каучука (МВ 30000, .коэффициент непредельности 48/) и 0,225 г 2,6-ди(4- -азидобензаль) -циклогексанона в 100 мл толуола и м-ксилола (3:1)(ТУ на фоторезист ФН6-14"631-71), Слой сушат при 80 С в течение 20 мин, Толщина высушенного слоя составляет 1 мкм. На слой фоторезиста накладывают Фотошаблон, а на него непрозрачный материая, который закрывает на Фотошаблоне участки с высокой плотностью элементов, и экспонируют слой Фоторезиста только через незакрытую непрозрачным материалом поверхность Фоторезиста под лампой СВДА на расстоянии 15 см в течение 1 мин. Площадь незакрытой поверхности Фото- шаблона составляет 30 от общей по 4верхности. Затем непрозрачный материал убирают и продолжают экспонирование через фотошаблон еще 30 с. Послеэкспонирования слой обрабатывают толуолом в течение 2 мин, При этом наповерхности подложки образуется защитный рельефный рисунок. Уширениелинейных размеров пробельных элементов фотошаблона составляет 0,5 мкм,что позволяет воспроизводить отдельныеэлементы схемы на фотошаблоне ширинойдо 1,0-1,5 мкм, При толщине слоя1,0 мкм негативный фоторезист по известному способу позволяет воспроизводить отдельные элементы схемы фотошаблона размером 7-10 мкм,Слой негативного фоторезистатолщиной 0,4 мкм (6 г циклокаучука и0,18 г диазина в 100 мл толуола см-крезолом), нанесенного на подложкуи высушенного как в примере, экспонируют через Фотошаблон, участки свысокой плотностью элементов которого закрыты непрозрачным материалом,под лампой СВД А на расстоянии15 см в течение 1,5 мин, Площадь незакрытой поверхности составляет 80от общей поверхности фотошаблона. Затем непрозрачный материал убирают ипродолжают экспонировать слой ещев течение 1 мин, Дальнейшие операциианалогичны примеру, Уширение линейныхразмеров пробельных элементов фотошаблона составляет 0,1 мкм, что позволяет воспроизводить отдельные элементы схемы шириной до 0,2-0,3 мкм.При толщине слоя 0,4 мкм негативныйфоторезист по известному способу позволяет воспроизводить отдельные элементы схемы Фотошаблона размером2-3 мкм.Таким образам, предлагаемый способполучения защитных рисунков с помощьюнегативных фоторезистов позволяетповысить разрешающую способность процесса в 5- 10 раз. Это открывает возможность использования негативныхфоторезистов в микроэлектронике приполучении пленочных микросхем, высокоточных масок и т.п.формула изобретенияСпособ получения защитных рисунков с помощью негативных фоторезистов, представляющий собой композицию каучука с очуствителем азидного типа, включающий нанесение фоторезиста, на подложку, предварительную засвет1, Авторское свидетельство СССР фз Ю 33042 1, кл. С 03 Р 1/72 19722. Авторское свидетельство СССР,И 566474, ка. С 03 С 5/ОО, 1976. Составитель И. ИессерерТехред А.Бабинец Корректор О. Билак Редактор И. Товтин Заказ 2336/51 Тираж 489 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Иосква, Ж, Раушская наб д, 4/5Вфилиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 5 92062 ку фоторезиста , экспонирование через фотошаблон с рисунком и проявление, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения качества за счет увеличения разрешающей способности, после нанесения фоторезиста засвечивают участки, не занятые рисунком, через контактный шаблон. 6 Источники информациипринятые во внимание при экспертизе