Установка для изготовления цилиндрических тонких магнитных пленок

-е,"ькМ ОП ИИЗОБРЕТЕНИЯ Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик(11 627189 й АВТОРСКОМУ СВНДИВДЬСТВУ б 1) Дополнительное к авт. св 22) Заявлено 04,04,77(21) 2473671/221) М. Клф25 О 21/12 Г 01 В 33 Гог инением заявки-с при 23) Приоритет -43) Опубликовано 05 Государственный комитет Совета Министров СССР оо делам изобретений н открытий(45) Дата опубликования описания 04,09.7 2) Авторы изобретения С. Шт ахов и Л, Т, Ль 1 сьй(54) УСТАНОВКА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯЦИЛЙНДРИЧЕСКИХ ТОНКИХ МАГНИТНЫХ ПЛЕНОК Изобретение оттехнике и м ожетпри нанесении наких магнитных пощины и свойств вчастностит в вычи носится к гальванобыть использовано изделия гальваническрытий эаавнной тол приборостроении и, в слительной технике,Известна установка, содержащая механизмы сматьвания и протяжки проволоки-поаложки, последовательно расположенные ячейки подготовки подложки, электролитического осаждения немаг нитного подслоя электролитического осаждения магнитной пленки, нанесения и сушки алектровлагозащитного поКрытия, термомагнитной обработки,и источник тока 11,Недостаток известной установки состоит в том, что в ячейке электролитического осаждения магнитной пленкис течением времени происходит изменение электролита и, следовательно,возникает неоднородность свойствучастков осажааемой пленки,2Целью изобретения является повышение однородности свойств участков, ожидаемой пленки.Поставленная цель достигается тем,что установка снабжена узлом контроля однородности свойств участков осаж-даемой магнитной пленки по магнитному потоку насьпцения и формированиясигнала управления и узлом управлениятоками осажаения немагнитного подслоя1 о и магнитной пленки, причем узел контроля однородности свойств и формированиясигнала управления размещен послеячейки электролитического осаждениямагнитной пленки и его выход соеди 1 Б нен со входом узла управления, ко второму входу которого подключен выходисточника тока, один выход узла управления подключен к ячейке электролитического осаждения немагнитного подслоя20 а другой к ячейке осаждения магнитнойпленки,На чертеже представлена блок-схепредлагаемой установки,Установка содержит механизм 1 сматывания проволочной подложки, механизм2 протяжки проволочной подложки, ячейку Э подготовки подложки, ячейку 4 дляэлектролитического осажаения немагнитного поаслоя, ячейку 5 аля электролитического осаждения магнитной пленки, узел6 контроля однородности свойств участков осаждаемой пленки и формированиясигналов управления, узел 7 управления 10режимами процессов электролиза ячеекосаждения немагнитного поаслоя имагнитной пленки, источник 8 тока,ячейку 9 нанесения и сушки электровлагозащитного покрытия, ячейку 10термомагиитной обработки и проволочную поаложку 11 для нанесения магнитной пленки,Проволочная подложка 11 иэ немагнитного материала с механизма 1 сматывания непрерывно протягивается в осевом направлении механизмом 2 протяжки и последовательно проходит черезячейку 3 подготовки подложки, где она,3 Яочищаясь от грязи и окиси, проходитоперации электротравления, электрополировки и промывки водой, ячейку 4 предварительного электролитического осаждения немагнитного подслоя ячейку 530электролитического осаждения магнитнойпленки, узел 6 контроля свойств участков осаждаемой пленки, ячейку 9 длянанесения и сушки электровлагозащитного покрытия и ячейку 10 термомагнит 35ной обработки,Сигнал, пропорциональный контролируемому параметру, например, магнитномупотоку насыщения, участка осаждемойпленки с выхода узла 6 контроля и фор 40мирования сигнала угравления поступаетна вход узла 7 управления режимами процессов электролиза ячеек 4 и 5 электролитического осаждения немагнитногоподслоя и магнитной пленки, например45управления режимами токов осажденияячеек 4 и 5. Узел 6 формирует сигналуправления посредством сравнения сигнала пропорционального контролируемомупараметру с опорным уровнем сигналаили с сигналом, пропорциональнымоднородности свойств участков эталонного образца ЦТМП, Сформированныйузлом 6 сигнал является показателемоднородности свойств участков осаждаемой пленки и воздействует иа изменение режимов процессов электролизаячеек 4 и 5 изменением токов осаждения в,них,При отсутствии сигнала управления в узле 6 изготовление цилиндрических тонких магнитных пленок происходит при режимах электролиза, обеспечивающих требуемую однородность свойств участков осажааемой пленки,Использование новых устройств узла 6 контроля однородности свойств участков осаждаемой пленки и формирования сигналов управления и узла 7 управления режимами процессов электролиза ячеек 4 и 5 осаждения немагнитного подслоя и магнитной пленки выгодно отличаетпредлагаемую установку для изготовления цилиндрических тонких магнитных пленок от известного устройства, так как позволяет уменьшить неоднородность магнитных свойств участков осаждаемой магнитной пленки, В результате чего снижается неравномерность параметров участков осаждаемой пленки, определяющих область устойчивой работы элементов памяти запоминающих устройств на цилиндрических тонких магнитных пленках, что увеличивает сферу применения образцов этих пленок в накопителях информации вычислительных машин и устраняет необходимость разработки ряда накопителей информации,Формула изобретения,Установка для изготовления цилинарических тонких магнитных пленок, содержащая механизмы сматывания и протяжки проволоки-подложки, последовательно расположенные ячейки подготовки подл ожки, электрол итнческого осаждения немагнитного подслоя, электролитического осаждения магнитной пленки, нанесения и сушки электровлагозащитного покрытия, термомагнитной обработки и источник тока, о т л и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью пуышения однородности свойств участков осаждаемой пленки, она снабжена узлом контроля однородности свойств участков осаждаемой магнитной пленки по магнитному потоку насыщения и формирования сигнала управления и узлом управления токами осаждения немагнитного подслоя и магнитной пленки, причем узел контроля однородности свойств и формирования сигнала управления размещен после ячейки электролитического осаждения магнитной пленки и его выход соединенсо входом узла управления, ко второму входу которого подключен выход источ627189 Составитель А, Абросимовтор Н, Самедова Техред Э, Чужик Корректор Л, Василин Тираж 738 Подписи судврственцого комитета Советапо делам изобретений и отк Москва, Ж, Раушская наба Заказ 5580/ ЦНИИПминистров ытий 4/5 3035,лиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная, 4 ника тока, один выход узла управления подключен к ячейке электролцтического осаждения немагнитцого подслоя,а другой - к ячейке осаждения магнитной пленки,6Источники ицформании, црицятые вовнимание при экспертизе.1,дпСол ВоЬаРеьп, Уих Нсг 5 ЙеРРипрЫон Иа ре 1 ссЬсИАайСоЬолоМий;5 1972; т, 63, М 2, 144-150.