Поплевин

Страница 2

Усилитель считывания на дополняющих мдп-транзисторах

Загрузка...

Номер патента: 963087

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Баранов, Герасимов, Григорьев, Кармазинский, Поплевин, Савостьянов

МПК: G11C 7/06

Метки: дополняющих, мдп-транзисторах, считывания, усилитель

...-канальных транзисторов 13 подключены к шине 23, истоки - сои истоками первого и второго управляю- ответственно к шинам 17 и 18, а. стокищих-канальных транзисторов второй соответственно к затворам транзисторовгруппы, стоки которых соединены соот и 2, затвор транзистора 1 подключенветственно с первой и второй разрядными к затворам транзисторов 7 и 8, стоки50шинами и со стоками соответственно пер- которых соединены с выходом 26, истоквого и второго управляющих и -каналь транзистора 8 связан с шиной 19, а исных транзисторов третьей группы, затво- ток транзистора 7 - с шиной 20, затворры первого и второго управляющих-ка- транзистора 2 подключен к затворамнальных транзисторов второй группы со- транзисторов 5 и 6,стоки которыхединены с...

Усилитель считывания

Загрузка...

Номер патента: 928406

Опубликовано: 15.05.1982

Авторы: Баранов, Герасимов, Григорьев, Кармазинский, Поплевин, Савостьянов

МПК: G11C 7/06

Метки: считывания, усилитель

...транзисторы, первый 12, второй 13, третий 14 и четвертый 15 р-канальные управляющие транзисторы, первый 16, второй 17 и третий 18 и-канальные разрядные транзисторы; На чертеже обозначены первый 19 и второй 20 входы, первый 21 и второй 22 выходы, первый 23 и второй 24 управляющие входы усилителя, содержащего также шину 25 питания и шину 26 нулевого потенциала. На чертеже обозначены также сток 27 первого и сток 28 второго переключающих транзисторов, Входы 19 и 20 усилителя подключаются через6ванию транзистора 16, Через транзисторы 1 б и 18 происходит разряд ем" кости шины блока памяти, подключен" ной к входу 20, в результате чего открывается .транзистор 11 и закрывается транзистор 4. При этом на стоке 28 транзистора 2...

Входной усилитель-формирователь с запоминанием информации

Загрузка...

Номер патента: 903970

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Баранов, Герасимов, Кармазинский, Поплевин, Савостьянов

МПК: G11C 7/06

Метки: входной, запоминанием, информации, усилитель-формирователь

...5 питания, ключевой транзистор 6 -типа, шину 3 нулевого потенциала, ,первый 8 и второй 9 установочные транзисторы р"типа, шину 10 управле,ния, управляющий транзистор 11 и -ти"па и информационный транзистор 12 и-типа. На чертеже обозначены инверсный выход 13, информационный вход 14 и прямой выход 15 усилителя-формирователя, Яирина канала транзистора 4 выбрана большей, чем у транзистора 3 (сопротивление транзистора 4 меньше сопротивления транзистора 3). Размеры транзисторов 1, 2 и 8, 9 попарно одинаковые. Размеры транзисторов 11 и 12 выбираются так, чтобы суммарное сопротивление транзисторов 3,1 и 12 было меньше сопротивления транзистора 4.Усилитель-формирователь работает следующим образом.В исходном состоянии ( режим хранения ) потенциал...

Усилитель на кмдп-транзисторах

Загрузка...

Номер патента: 862236

Опубликовано: 07.09.1981

Авторы: Баранов, Герасимов, Кармазинский, Поплевин, Савостьянов

МПК: G11C 7/06

Метки: кмдп-транзисторах, усилитель

...может работатьв усилительном или ключевом режиме.В усилительном режиме, обеспечивающем высокое быстродействие, транзисторы 13, 14 выбираются в несколько раз больше транзисторов 7- - 10. При этом усилитель О 20 25 ЗО 35 работает следующим образом: в исходном состоянии (режим хранения в ЗУ) на управляющей шине 11 потенциал соответствует логическому 0. В результате транзисторы 6 5 открыты и на обоих выходах схемы 15, 16 устанавливаются уровни логической 1 (эквивалентно отсутствию информации в ЗУ открывающие транзисторы 3, 4 и закрывающие транзисторы 1, 2. Паразитные емкости в узловых точках схемы В и А заряжаются до потенциала, близкого к напряжению питания. Транзисторы 9, 10, 13, 14 закрыты, поэтому схема не реагирует на входную...

Приспособление для расточки сферических поверхностей на горизонтально-расточныхстанках

Загрузка...

Номер патента: 256475

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Зернов, Поплевин, Проектно, Технологическое, Хребтова

МПК: B23B 41/00

Метки: горизонтально-расточныхстанках, поверхностей, расточки, сферических

...получать сферические отверстия на неподвижных деталях. Конструктивно приспособление выполнено в виде оправки, закречленной в шпинделе станка и соединенной сферическим шарниром с рычагом, шарнирно связанным другим концом с резцедержателем, причем ось вращения резцедержателя расположена в корпусе приспособления, жестко соединенном с планшайбой станка.На чертеже схематически изображено сываемое приспособление.Приспособление состоит: из корпуса 1 крепленного на планшайбе 2 горизонтал расточного станка; крышки 3, жестко со ненной с корпусом 1 и служащей для уста ки на оси 4 резцедержателя 5 с резцо оправки 7, установленной в шпинделе 8 с ка; рычага 9, соединенного с одной сто шарнирно с резцедержателем, а с друг сферическим шарниром с...