Кургина

Номер патента: 956430

Опубликовано: 07.09.1982

Авторы: Балашов, Бромберг, Волков, Кургина, Никитин, Танцюра

МПК: C01G 9/03

Метки: оксида, цинка

...имеющейпотенциал зарядки 530 В, темновой спад9,2 В/с, остаточный потенциал 40 В,Пр им ер 2. Процесс получения окисицинка осуществляют в той же последовавательности, что в примере 1, но при следующих, параметрах: загрузка металлического цинка 45 кг, расход воздуха на окисление 36 мз/ч, время испарения цинка30 минпарциальное давление паров цинка 350 мм рт. ст., температура при окислении 2500 С.Получают 50 кг окиси цинка, имеющей15 потенциал зарядки 800 В; темновой спад1,7 В/с, остаточный потенциал ЗОВ.П р им е р 3. Процесс получения окисицинка осуществляют по примеру 1 приследующих, параметрах: загрузка циника20 37 кг, расход воздуха на окисление 30 мз/ч,время испарения ЗО мии, 1 парциальное давление, паров цинка 300 мм рт. ст...

Номер патента: 856992

Опубликовано: 23.08.1981

Авторы: Балашов, Волков, Кургина

МПК: C01G 9/02

Метки: изготовлении, используемой, окиси, цинка, электрофотоматериалов

...С). Одновремен 20но с началом прогрева испарителя подают на защиту паров цинка от предварительного окисления восстановительный газ (например водород), а в камеру окисления воздух, в зоне их смещения поджигают. В результатесгорания восстановительного газа поддерживают температурный режим 1500-250 ООСв реакционной зоне. При установлениитемпературного режима в испарительподают металлический цинк. При этомв подаваемый иа защиту восстаиовительиый гаэ вводят 1-5 об.Х паров воды.В защитнь 1 й газ вводят пары воды дляобразования частияек окиси цинка, которые затем, попадая в реакционнуюзону, служат зародышами. Регулируя количество вводимого водяного пара получают продукт с заданным размером частиц. При 1 обавлении .в защитный газводяного...