C01G 9/03 — способы получения сухими методами, например парофазные процессы

Номер патента: 72915

Опубликовано: 01.01.1948

Авторы: Галкович, Джаникян, Пляшкевич, Фефербойм, Финтиктиков

МПК: C01G 9/03, C09C 1/04

Метки: воздухом, окиси, окисления, путем, расплавленного, распыляемого, цинка

...способ получения окиси цинка в отличие от сущсствуощих предусматривает механизированный процесс производства, осуцествляемый распыливацием расплавленного цинка и безмуфсльпым его сжиганием в потоке воздуха.Расплавленный в плавильной печи 1 (см схему) пинк по трубопро. вол 2 подается к агрегат 1 бескохп 1)ессорного распъливания 3, которьЙ создаст неосхолимое давление и подает цинк к форсуике 4, установленной с выходом в камеру горения 5. Из форсунки хкидкий цинк в впдс мельчайших капель (тумана) впрыскив:ется в камеру горения, где происходит его окисление подаваемым тула воздухом. Продукты окисления газь и Окис цинка) поступают в циклон 6, в котором п 1 зотсхолт частичное отделение окиси цинка от газов, и дальше в уловитель 7, в...

Номер патента: 170928

Опубликовано: 01.01.1965

Автор: Малкин

МПК: C01G 9/03, C09C 1/04

Метки: окиси, пигментной, цинка

...в шахтную печь через механическое затрузэчное 30 устройство 1 и движется вниз, в верхней камере печи 2 она подогревается горячим воздухом и обхкигается,Далее шихта поступает в реакционную камеру 3, где соприкасается с потоком раскаленных продуктов неполного горения природ- .нэго газа, сгорающего в смеси с горячим воздухом в туннелях 4. Из реакционной камерывосстановленный цинк в парообразном состоянии вместе с газами поступает в скислительную камеру 5, где вся смесь встречаетсяс воздухом, выходящим из сопел б, и тоже сгорает; цинк прн этом превращается в твердуюмелкодисперсную окись (белила),Газовая смесь со взвешенной в ней окисьюцинка проходит последовательно рекуператор 7, поверхностный охладитель 8 и смеситель 9, предназначенный...

Номер патента: 231540

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Ватутин, Горелик, Лысунов, Малкин, Штерн

МПК: C01G 9/03

Метки: окиси, цинка

...давлением 2045 рт. ст. поступают в камеру окисления. Прлучецц высокодцсперсцой окиси цинкадух вамер) оспецияодаот токхями через 26 отверстий диаметром 9 л,большой скоростью, цс мецсс ЗО и/гек.цесс окисления осуществляют прц 700 Случают тоцкодцсперсцую окись цинка социм диаметром частиц 0,032 лк (удсгьаверхцость 33 лз/г). и цинка цу- цицксодсрнеполного окислсцием 800 в 9 С му способу ическую ак- дцсперсцоолучсция ок с ного обжиг токе продуктовпоследующим в цинка при мая по тако невысокую хим точуо стспеш и а срсд 1 оП рсдм3 о о р с т с 1 5 Для гювышеция химической си цицка и степени дисперсно ся процесс окисления вести п воздух ца окисление паров ци скоростьо 30 - 50 л/сек.П р и м с р. Цицксодержащ лируют с примецецием декстр...

Номер патента: 294796

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Заровный, Сулейменов, Шевцов

МПК: C01G 9/03

Метки: окиси, цинка

...колжает прост1,1%,Окись цинка получа ковых руд, кварцевог лочи в трубчатых вр гемпературе в зоне з зоне возгона 1100 в 1 ублпковано 04.11.1971. Б Изобретение относится к способам полу ния окиси цинка, широко применяемой многих отраслях промышленности, наприм р в химической и металлургической, для производства красок и металлического цинка,Известен способ получения окиси цинка из цинковых и смешанных руд путем возгона последних в трубчатых вращающихся печах при температуре 1150 в 12 С.При получении окиси цинка по такому способу происходит сильное и быстрое образование кольцевых настылей в трубчатой вращающейся печи, особенно при загрузке в печь шихты с легкоплавкими компонентами (окислами железа) и значительным содержанием окислов...

Номер патента: 956430

Опубликовано: 07.09.1982

Авторы: Балашов, Бромберг, Волков, Кургина, Никитин, Танцюра

МПК: C01G 9/03

Метки: оксида, цинка

...имеющейпотенциал зарядки 530 В, темновой спад9,2 В/с, остаточный потенциал 40 В,Пр им ер 2. Процесс получения окисицинка осуществляют в той же последовавательности, что в примере 1, но при следующих, параметрах: загрузка металлического цинка 45 кг, расход воздуха на окисление 36 мз/ч, время испарения цинка30 минпарциальное давление паров цинка 350 мм рт. ст., температура при окислении 2500 С.Получают 50 кг окиси цинка, имеющей15 потенциал зарядки 800 В; темновой спад1,7 В/с, остаточный потенциал ЗОВ.П р им е р 3. Процесс получения окисицинка осуществляют по примеру 1 приследующих, параметрах: загрузка циника20 37 кг, расход воздуха на окисление 30 мз/ч,время испарения ЗО мии, 1 парциальное давление, паров цинка 300 мм рт. ст...