Круконене

Номер патента: 1000992

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Баерас, Каравацкас, Круконене, Пузинене

МПК: G03G 5/08

Метки: использования, многократного, пластина, электрофотографическая

...щ50 до 80:20, а соотношение окиси цинкаи общего количества сухого вещества от80:20 до 87,5: 12,5,Возникшие свободные радикалы ЦПК дспособны в условиях изготовления фотополупроводникового состава инициироватьреакции радикальной полимеризации черездвойные связи как в самом полимере,возникшие из-за реакций диспропорционирования при его синтезе, так и за счетследов мономеров, что приводит к увеличению молекулярной массы и к структурнымизменениям, в результате чего фотополупроводниковый слой становится более35равномерным, гладким и твердым по сравнению с контрольным образцом без инициатора, Гладкость фотополупроводникового слоя увеличивается на 50%, твердость - на 45%, что улучшает электри 40ческую и механическую прочность...

Номер патента: 934442

Опубликовано: 07.06.1982

Авторы: Баерас, Дамбраускене, Каравацкас, Круконене, Пузинене, Саусенис

МПК: G03G 5/08

Метки: использования, многократного, пластина, электрофотографическая

...сухоговещества связующего - от 80:20 до87,5:12,5.Оптимальное соотношение компонен- Зф тов фотополупроводникового слоя(вес.7. сухого вещества);Окись цинка 83,31Силиконовая смола 8,33Акриловые сополимер 8, 33 И Динитрил азоизомасляной кислоты 0,03Динитрил азоизомасляной кисиоты способствует лучшему пленкообразованию фотополупроводникового слоя. Роль инициирующих количеств ДАК сводится к возможному образованию свободных радикалов, способных в условиях изготовления фотопроводящего состава45 и формования пленки инициировать попимеризационный процесс,.В результате возрастания молекулярной массы (что подтверждают вискозиметрические исследования силиконовых смол и акрило 50 вых сополимеров) и других структурных изменений образующаяся пленка...