Каплинская

Номер патента: 1807443

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Ведерников, Каплинская, Коваль, Перемитина, Ряннель

МПК: G03G 5/08

Метки: материал, электрофотографический

...примерами,П р и м е р, На полимерную подложкунаносят электропроводящий слой, Поверхэлектропроводящего слоя наносят органический (транспортный) слой толщиной 15мкм, содержащий органический полупроводник (ОП) - И,й-дифенилгидразон й-диэ-.тиламинобензальдегида (ДФГ) иполимерное связующее - поликарбонат(ПК). Содержание ОП в композиции 20 - 60мас,%. Поверх данного слоя наносят неорганический (генерирующий) слой твердогораствора селена и теллура толщиной 0,3 х. Сущность изобретеропроводящун подлой, содержащий оводни к - И,й-дифеламинобензальдегида щее - поликарбонат наносят слой из стек- содержащего селен и ся концентрацией по- слоя от 30 мас.% на м слоем до Оу свободбл,мкм. Концентрация Те составляет 30 ат.% награнице с транспортным слоем...

Номер патента: 1223191

Опубликовано: 07.04.1986

Авторы: Каплинская, Ряннель

МПК: G03G 5/04

Метки: материал, электрофотографический

...4. Изготавливают образец материала по примеру 1, содержащий в фотопроводящем слое, мас.%:35М,М-дифенилгидразонМ-диэтиламинобензальдегида 40Связующее 60Пример 5. (известный). Изготавливаютобразец материала по примеру 1, содержащий в фотопроводящем слое, мас,%:поли-М-винилкарбазол 50; сополимер стирола с дивинилом 50,Пример б (известный). Изготавливаютобразец материала, для чего на электропроводящую подложку из раствора красителя хлордиенового голубого в смеси растворителей этилендиамина (27 мл) и М-бутиламина (35 мл) наносят инжекционный слой, который высушивают на воздухе при 25 - 70 С.Толщина слоя составляет 0,8 мкм.50Поверх инжекционного слоя наносят фотопроводящий слой по примеру 1. Пример 7. Изготавливают образец материала по...

Номер патента: 1205121

Опубликовано: 15.01.1986

Авторы: Каплинская, Коваль, Ряннель, Сироткина

МПК: G03G 5/08

Метки: материал, электрофотографический

...материалпредставляет собой электропроводящую подложку с последовательно нанесенными на нее инжекционным слоем,содержащим селен и теллур с увеличивающейся концентрацией последнегоот 0,01 ат.% у подложки до 20 ат.%у поверхности слоя, и фотопроводящим слоем органического полупроводника - поли-И-бутенилкарбазола.П р и м е р 1, На электропроводящую металлизированную полимергидроподложку наносят вакуумным испарением инжекционный слой селена и теллура с увеличивающейся от подложкиконцентрацией теллура от 0,01 ат.%до 20 ат,%, Затем на инжекционныйслой наносят Фотопроводящий слойиз толуольного раствора поли-И-бутенилкарбазола толщиной 2 мкм.П р и м е р 2. Изготавливаютобразец материала по примеру 1, содержащий в...

Номер патента: 1096599

Опубликовано: 07.06.1984

Авторы: Ермолаев, Каплинская, Наумкина, Ряннель

МПК: G03G 5/082

Метки: носителя, электрофотографического

...к емкости для теллура электро- проводящую подложку и нанесение внешнего транспортного слоя из органического материала, после нанесения фотопроводникового слоя перемен,ного состава осуществляют повторное вакуумное термическое напыление второго фотопроводникового слоя пере О менного состава при движении электро- проводящей подложки в обратном направлении, причем первый слой фото- проводника напыляют при 35-65 С, а второй - при 20-30 С. 45 новую ленту - подложку, покрытуюслоем никеля, в один из испарителейпомещают селен,в другой - теллур.Между испарителями размещают экран,предотвращающий их от взаимного загрязнения, Зону конденсации ограничивают с помощью подвижных экрановна расстоянии 30 мм по отношению кнормали от источника селена и...

Номер патента: 1051490

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Каплинская, Наумкина, Ряннель, Химинец

МПК: G03G 5/04

Метки: материал, электрофотографический

...материала синтезируютстекла из элементарных А, В, 5 е,3 чистоты идентичной ОСЧ 8-5, Синтез проводят н аткаченных да 10 торркварцевых ампулах спланлением компонентов при 650-700 С н гечение05-6 ч, причем нагрев шихты осу;ествляют со скоростью 100 град/ч а охлаждение расплава - со око-оз"ью 50100 град/мин,На погложку из мегалла и;.ч диэлектрика - стекла, керамики, полимераэлектроправодящим слоем - ме"тадом термического испарения н вакууме поверх злектропроводящега слоянаносят слой стеклоабразнаго полупроводника толщиной 0,05 - 2 мкмопри температуре испарителя 450-650 Си температуре подложки 20-80 С, Поверх полупроводникового слоя методам полива из раствора наносят транспортирующий слой на основе органических полупроводников -...

Номер патента: 995058

Опубликовано: 07.02.1983

Авторы: Каплинская, Ряннель

МПК: G03G 5/022

Метки: материал, фототермопластический

...0,1 мкм.Поверх инжекционного слоя из толуоль.ного раствора наносилась композиция ПВК ителомера стирала с дивинилом в весовомсоотношении 1:1. Электрофотографическаячувствительность измерялась после сушки полученного слоя толщиной 2 мкм и оценива 10 лась по времени фотоиндуцированного спада. поверхностного потенциала до величиныЬ Ч/Ч = О 1П р и м е р 2. На,металлизированнуюподложку наносился слой чистого селенамарки ОСЧ термическим испарением в вакууме при температуре испарителя 330 в 3 С,а затем фотопроводящий слой по примеру 1.П р и м е р З.Наметаллйзированнуюподложку термическим испарением в вакуумемеханической смеси сенека с добавками притемпературе испарителя 330 - 335 С наносилсяоднородныи по толщине ийжекционныи...

Номер патента: 965006

Опубликовано: 07.10.1982

Авторы: Вольфбейн, Каплинская, Луговская, Сараев

МПК: H04L 7/08

Метки: аппаратуры, двоичных, передачи, сигналов, фазирования, циклового

...на вход первого слагаемо-.волом СК на операционном выходе . го сумматора 4,дешифратора 3 по сигналу из блока 2 Сумматор 4, получая такой имкоррекции устанавливается двоичное пульс, увеличивает на единицу двоиччисло,.на единицу большее того, ко- ное число, поступившее на его входторсе было в данном тактовом интер. - второго слагаемого, и результат слевале на выходе блока б памяти. Сле- дующим тактом записывается в ячейкудующим тактом это число записывается блока б памяти. Таким образом осуществ блок б памяти и появится на его25вляется подсчет обнаруженных СК длявыходе через г тактов (г=), где М - каждой группы позиций в цикле в течечисло бит в цикле,- число бит цик- ние п циклов подряд. Подсчет продолла отведенных для СК).ается до тех...

Номер патента: 951103

Опубликовано: 15.08.1982

Авторы: Григорьян, Иоселевич, Каплинская, Синяков, Слезингер, Шалаев

МПК: G01N 3/08

Метки: испытания, образцов, сжатие, трехосное

...высоту образца, а расстояние между пластинами 4 и 6, 5 и 7 15 соответственно боковые размеры образца.Верхняя плата 3 с помощью штока 8 связана с датчиком 9 измерения силы, который опирается в траверсу 10, связанную с платой 2 стойками 11. Пластина 7 имеет возможность торцом перемещаться на штоке 12 относительно неподвижной пластины 4, а пластина 6 - на штоке 13 относительно пластины 7 и на штоке 14 относительно пластины 5. Таким образом, все три пластины 5, 6 и 7 подвижны по отношению к пластине 4,951103 Формула изобретения ВНИИПИ Заказ 5713/45 Тираж 887 Подписное филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная,которая связана с платой 2. Для измерения перемещений пластин служат датчики дефорМации 15 и 16.Для испытания образца 1 на...

Номер патента: 631436

Опубликовано: 05.11.1978

Авторы: Аронова, Боева, Каплинская, Сперанский

МПК: B66C 23/84

Метки: круг, опорно-поворотный

...наружной поверхности И подвижного кольца и взаимодействует с ведущим элементом,На Фиг. 1 схематичесКи изображен опорно-поворотный круг в сечении; на фиг. 2 - то же,в плане. Ю Описываемый опорно-поворотныйкруг содержит внутреннее подвижноекольцо 1 с ведомым элементом зацепления 2, например червячной шестерней и дорожками 3, 4 качения, и наружное неподвижное кольцо 5. К кольцу 5 прикреплены подипниковые кольца 6, 7 с дорожками 8, 9 качения. Между дорожками качения установленытела качения 10, 11.Кольцо 5 выполнено с поперечной полостью а, в которой на подшипниках 12 установлен ведущий элемент 13 зацепления, например червяк, связанный с приводом (не показан).Опорно-поворотный круг работает сдедующим образом.От привода движение перед ведущий...

Номер патента: 570792

Опубликовано: 30.08.1977

Авторы: Есичева, Каплинская, Хазанов

МПК: G01J 1/14

Метки: видимости, объекта, освещаемого

...определяют снижение видимости реального объекта при рабочей осветительной установке по сравнению с эталонной установкой. Снижение вп димости определяют путем измерения яркостиобъекта наблюдения и фона, с последующим расчетом эффективного контраста.Недостатком этого устройства является необходимость использования специально разра ботанного сложного прибора для определенияснижения видимости и диффузного осветителя на рабочем месте, где находится рабочая осветительная установка.Наиболее близким к изобретению техниче ским решением является устройство, в кото570792 Формула изобретения 20 Составитель В. ВощанкннТехред А. Степанова Редактор Н. Коляда Корректор Л. Деннскнна Заказ 1893/13 Изд.696 Тираж 881 Подписное Ц 111111 ПИ...