Ряннель

Номер патента: 1807443

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Ведерников, Каплинская, Коваль, Перемитина, Ряннель

МПК: G03G 5/08

Метки: материал, электрофотографический

...примерами,П р и м е р, На полимерную подложкунаносят электропроводящий слой, Поверхэлектропроводящего слоя наносят органический (транспортный) слой толщиной 15мкм, содержащий органический полупроводник (ОП) - И,й-дифенилгидразон й-диэ-.тиламинобензальдегида (ДФГ) иполимерное связующее - поликарбонат(ПК). Содержание ОП в композиции 20 - 60мас,%. Поверх данного слоя наносят неорганический (генерирующий) слой твердогораствора селена и теллура толщиной 0,3 х. Сущность изобретеропроводящун подлой, содержащий оводни к - И,й-дифеламинобензальдегида щее - поликарбонат наносят слой из стек- содержащего селен и ся концентрацией по- слоя от 30 мас.% на м слоем до Оу свободбл,мкм. Концентрация Те составляет 30 ат.% награнице с транспортным слоем...

Номер патента: 1770943

Опубликовано: 23.10.1992

Авторы: Ведерников, Ряннель

МПК: G03G 5/022, G03G 5/06, G03G 5/08 ...

Метки: электрофотографического

...и источника вещества напыляемого функционального (электропроводящего) слоя. Важной особенностью является то, что распыляемые атомы и ионы титана поглощают остаточные и выделяющиеся из подложки и элементов конструкции газы непосредственно в зоне нанесения полупроводникового слоя, обеспечивая его чистоту и тем самым повышая качество слоя.Существенным отличительным признаком предлагаемого технического решения, обеспечивающим достижение положительного эффекта, является одновременное осаждение в вакууме на движущуюся подложку слоя металлического титана и поверх него слоя полупроводника.П р и м е р 1. В вакуумной камере размещают устройство для перемотки полиэтилентерефталатной ленты (основы), электродуговой испаритель титана, испаритель...

Номер патента: 1672408

Опубликовано: 23.08.1991

Авторы: Бондалетов, Бондалетова, Немеринская, Ряннель, Сироткина

МПК: G03G 5/04

Метки: материал, электрофотографический

...образом.2,25 г (0,01 моль) и-(й-атил-й-фениламино)бензальдегида растворяют в 5,0 мл диметилформамида, В полученный раствор добавляют 1,84 г (0,01 моль) й,й-дифенил- Фф гидразина, растворенного в 5,0 мл диметил фдад формамида. В реакционный раствор 00 добавляют уксусную кислоту (1 мас, ф 6 от количества альдегида). Реакцию проводят при 110 С, интенсивно перемешивая . Получен ввй ный смолообразный продукт очищают изопропиловым спиртом - отмывка 4-5 раз порциями по 40 мл,П р и м е р 2. Электрофотографический материал получают аналогично примеру 1 с той лишь разницей, что состав фотопроводящего слоя имеет следующее соотношениекомпонентов, мас.:1672408 Процентное содержание компонентов в фотопроводящем слое ТиражеСТОЙКОСТЬ,тыс....

Номер патента: 1479912

Опубликовано: 15.05.1989

Автор: Ряннель

МПК: G03G 5/08

Метки: изображения, носителя, фотоинжекционный, электрофотографического, элемент

...И-диэтиламинобензапьдегида и 40 мас.поликарбоната толщиной 10 мкм.П р и м е р 2, Изготавливают фотоинжекционный элемент по примеру 1,но концентрацию теллура в слое селена изменяют от 1 до 30 ат.%.П р и м е р 3. Изготавливаютфотоинжекционный элемент по примеру 1,25но концентрацию теллура в слое селена изменяют от 1 до 20 ат. .П р и м е р 4. Изготавливают фотоинжекционный элемент по примеру 1,но слой чистого селена и селена с примесью теллура напыпяют раздельно в дваэтапа. Сначала напыляют слой селена.Затем образец вынимают из вакуума,вновь устанавливают в напылительноеустройство и напыляют слой селенас примесью теллура.П р и м е р 5 (прототип).П р и м е р ы 6-10. Изготавлива"ют фотоинжекционный элемент по примеРУ .1, но толщину...

Номер патента: 1223191

Опубликовано: 07.04.1986

Авторы: Каплинская, Ряннель

МПК: G03G 5/04

Метки: материал, электрофотографический

...4. Изготавливают образец материала по примеру 1, содержащий в фотопроводящем слое, мас.%:35М,М-дифенилгидразонМ-диэтиламинобензальдегида 40Связующее 60Пример 5. (известный). Изготавливаютобразец материала по примеру 1, содержащий в фотопроводящем слое, мас,%:поли-М-винилкарбазол 50; сополимер стирола с дивинилом 50,Пример б (известный). Изготавливаютобразец материала, для чего на электропроводящую подложку из раствора красителя хлордиенового голубого в смеси растворителей этилендиамина (27 мл) и М-бутиламина (35 мл) наносят инжекционный слой, который высушивают на воздухе при 25 - 70 С.Толщина слоя составляет 0,8 мкм.50Поверх инжекционного слоя наносят фотопроводящий слой по примеру 1. Пример 7. Изготавливают образец материала по...

Номер патента: 1205121

Опубликовано: 15.01.1986

Авторы: Каплинская, Коваль, Ряннель, Сироткина

МПК: G03G 5/08

Метки: материал, электрофотографический

...материалпредставляет собой электропроводящую подложку с последовательно нанесенными на нее инжекционным слоем,содержащим селен и теллур с увеличивающейся концентрацией последнегоот 0,01 ат.% у подложки до 20 ат.%у поверхности слоя, и фотопроводящим слоем органического полупроводника - поли-И-бутенилкарбазола.П р и м е р 1, На электропроводящую металлизированную полимергидроподложку наносят вакуумным испарением инжекционный слой селена и теллура с увеличивающейся от подложкиконцентрацией теллура от 0,01 ат.%до 20 ат,%, Затем на инжекционныйслой наносят Фотопроводящий слойиз толуольного раствора поли-И-бутенилкарбазола толщиной 2 мкм.П р и м е р 2. Изготавливаютобразец материала по примеру 1, содержащий в...

Номер патента: 1096599

Опубликовано: 07.06.1984

Авторы: Ермолаев, Каплинская, Наумкина, Ряннель

МПК: G03G 5/082

Метки: носителя, электрофотографического

...к емкости для теллура электро- проводящую подложку и нанесение внешнего транспортного слоя из органического материала, после нанесения фотопроводникового слоя перемен,ного состава осуществляют повторное вакуумное термическое напыление второго фотопроводникового слоя пере О менного состава при движении электро- проводящей подложки в обратном направлении, причем первый слой фото- проводника напыляют при 35-65 С, а второй - при 20-30 С. 45 новую ленту - подложку, покрытуюслоем никеля, в один из испарителейпомещают селен,в другой - теллур.Между испарителями размещают экран,предотвращающий их от взаимного загрязнения, Зону конденсации ограничивают с помощью подвижных экрановна расстоянии 30 мм по отношению кнормали от источника селена и...

Номер патента: 1051490

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Каплинская, Наумкина, Ряннель, Химинец

МПК: G03G 5/04

Метки: материал, электрофотографический

...материала синтезируютстекла из элементарных А, В, 5 е,3 чистоты идентичной ОСЧ 8-5, Синтез проводят н аткаченных да 10 торркварцевых ампулах спланлением компонентов при 650-700 С н гечение05-6 ч, причем нагрев шихты осу;ествляют со скоростью 100 град/ч а охлаждение расплава - со око-оз"ью 50100 град/мин,На погложку из мегалла и;.ч диэлектрика - стекла, керамики, полимераэлектроправодящим слоем - ме"тадом термического испарения н вакууме поверх злектропроводящега слоянаносят слой стеклоабразнаго полупроводника толщиной 0,05 - 2 мкмопри температуре испарителя 450-650 Си температуре подложки 20-80 С, Поверх полупроводникового слоя методам полива из раствора наносят транспортирующий слой на основе органических полупроводников -...

Номер патента: 995058

Опубликовано: 07.02.1983

Авторы: Каплинская, Ряннель

МПК: G03G 5/022

Метки: материал, фототермопластический

...0,1 мкм.Поверх инжекционного слоя из толуоль.ного раствора наносилась композиция ПВК ителомера стирала с дивинилом в весовомсоотношении 1:1. Электрофотографическаячувствительность измерялась после сушки полученного слоя толщиной 2 мкм и оценива 10 лась по времени фотоиндуцированного спада. поверхностного потенциала до величиныЬ Ч/Ч = О 1П р и м е р 2. На,металлизированнуюподложку наносился слой чистого селенамарки ОСЧ термическим испарением в вакууме при температуре испарителя 330 в 3 С,а затем фотопроводящий слой по примеру 1.П р и м е р З.Наметаллйзированнуюподложку термическим испарением в вакуумемеханической смеси сенека с добавками притемпературе испарителя 330 - 335 С наносилсяоднородныи по толщине ийжекционныи...

Номер патента: 680108

Опубликовано: 15.08.1979

Авторы: Гущина, Ряннель, Чернев, Юсин

МПК: H02J 3/46

Метки: генераторами, между, нагрузок, параллельно, работающими, распределения, реактивных, шинах, электростанций

...превышения суммарного резерва станции нац требуемым запасом, соединен с определителем 6 суммарного минимального резерва станции, выход которого соединен с входом анализатора 14, Выход анализатора 14, соответствующий выполнению условия превы. шения суммарного минимально"о резерва над требуемым запасом, соединен с управляющим входом ключевого элемента 12, а выход ана. лизатора 14, соответствующий невыполнению условия превышения суммарного минимальнбго резерва над требуемым запасом, соединен с управляющим входом ключевого элемента 10. Выход анализатора 13, соответствующий невыполнению условия превышения суммарного ре. зерва над требуемым запасом, соединен с управляющим входом ключевого элемента 11.Выходы ключевых элементов 10 - 12 соединены...

Номер патента: 541256

Опубликовано: 30.12.1976

Автор: Ряннель

МПК: H02P 9/14

Метки: группы, объектов

...сбоев в каналах связи, в предлагаемом устройстве, содержащем центральный и индивидуальные регуляторы с элементом уставки, элементы 15 сравнения, выполненные в виде двухфазногоасинхронного двигателя, и элементы контроля по параметру распределения, одна обмотка двухфазного асинхронного двигателя подключена к выходу центрального регулятора 20 через фазоимпульсный преобразователь и фазоуправляемый инвертор, вторая обмотка подсоединена к выходу элемента контроля по параметру распределения через фазоимпульсцый преобразователь и фазоуправляемый иц вертор, причем асинхронный двигатель непосредственно соединен с элементом уставки иц 1 цвидуальиого регулятора.На чертеже представлена блок-схема устройства автоматического регулирования групЗ 0...

Номер патента: 483781

Опубликовано: 05.09.1975

Автор: Ряннель

МПК: H03K 11/00

Метки: широтно-импульсный

...времязадающуюРаботает устр В исходном с 2 открыт отриц точника преобра мым через тран стояние транзис на его базу пол лектора транзис транзистора 4 подаваемым наВремязадающ этом приблизит мого напряжени транзистора 3, и базу - эмиттер При подаче запускающего импульса Ус набазу транзистора 1 он открывается, База транзистора 2 оказывается под положительным потенциалом, равным напряжению на время задающей емкости 7. Транзистор 2 запирается,появляющийся на его коллекторе отрицательный потенциал запирает ключевой транзистор 3 и удерживает транзистор 1 в открытом состоянии. Начинается разряд времязадающего О конденсатора через коллектор - эмиттертранзистора 3, диод 5, резисторы 10, 11, 13, источник питания и коллектор - эмиттер транзистора...

Номер патента: 450303

Опубликовано: 15.11.1974

Авторы: Гущина, Ряннель

МПК: H02P 9/14

Метки: группового, шинах, электростанции

...Кроме того, устройство уставки имеет двигатель Дв, включенный в систему уравнивания. Воздействия от двигателя и сельсина - приемника суммируются дифференциальным редуктором ДР и передаются на вал блока уставки регуляторов АРВ генераторов, изменяя величину их реактивных нагрузок.Процесс регулирования происходпор, пока напряжение на шинах сстанет равно заданному, а реактгрузки генераторов - равными.Ограничители перегрузок ОП и минимального возбуждения ОМВ измеряют режимныепараметры машины и сигнализируют о выходе машины на один из двух возможных предельных режимов. При отсутствии сигналов от обоих ограничителей с выхода инверторов НЕ выдаются сигналы на логические элементы И и разрешается воздействие на блок уставки УУ каждого регулятора...